標(biāo)題: 隔離H橋電路頭疼的選型過程 [打印本頁]
作者: 624353765    時(shí)間: 2023-4-8 10:05
標(biāo)題: 隔離H橋電路頭疼的選型過程


本來這個(gè)橋上橋用pmos，下橋用nmos，nmos12元10個(gè)管子，pmos太貴了2元一個(gè)，就用4個(gè)nmos做，也沒找到pnp型的光耦，最后的設(shè)計(jì)是這樣的，依舊存在問題

幫忙修改下或者推薦下好用的型號，一個(gè)橋只能用兩個(gè)io口控制
作者: zywng2153    時(shí)間: 2023-4-8 11:16
上端的驅(qū)動(dòng)是有問題的 可以使用EG3013或者EG2104類的驅(qū)動(dòng)芯片
作者: wufa1986    時(shí)間: 2023-4-8 14:14
H橋不是這樣驅(qū)動(dòng)的，你這直接50V導(dǎo)入G極絕對超標(biāo)了，然后無法保證上下不同時(shí)導(dǎo)通，為了省點(diǎn)錢結(jié)果燒管燒的懷疑人生
作者: hhh402    時(shí)間: 2023-4-8 14:51
MOS管驅(qū)動(dòng)沒有你想象那么簡單，正常驅(qū)動(dòng)電壓5-15V，50V是不可以直接驅(qū)動(dòng)的。光耦驅(qū)動(dòng)MOS管只能夠做開關(guān)，不可PWM，如果電流不大簡易用集成H橋芯片，比如A4950
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-4-8 15:10
上臂用NMOS不可能完全導(dǎo)通，發(fā)熱量巨大。



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