標(biāo)題:
MOS管的Pd參數(shù)是什么？
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作者:
MirrAKe
時(shí)間:
2023-5-12 20:26
標(biāo)題:
MOS管的Pd參數(shù)是什么？
如題，我看很多mos管的封裝都是很小的sot23，但是電流id都能達(dá)到好幾A,Vds能達(dá)到2，30V,我就好奇這個(gè)pd是指功率嗎？如果是這樣，Id*Vds不就遠(yuǎn)超Pd
作者:
Hephaestus
時(shí)間:
2023-5-12 23:52
power dissipation只跟封裝和散熱關(guān)系最密切，跟Id和Vds關(guān)系不大，因?yàn)檫@兩個(gè)參數(shù)不可能同時(shí)很大。如果同時(shí)很大，那么Pd就很小。
作者:
xh896
時(shí)間:
2023-5-13 09:33
PD 是指:最大耗散功率.是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)不可靠）.
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