標(biāo)題: 在MOS管的D和S之間串聯(lián)RC電路 [打印本頁]
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-3 13:38
標(biāo)題: 在MOS管的D和S之間串聯(lián)RC電路
在MOS管的D和S之間串聯(lián)RC電路是為了吸收D和S之間電流發(fā)峰值嗎？減小D和S之間的電流或者電壓應(yīng)力？

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作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-3 13:42
RC的值如何取呢？
作者: huaruolong    時(shí)間: 2023-6-4 08:26
吸收？那會(huì)引起振蕩，rc串聯(lián)電路就是振蕩電路的一種，不如去掉電感，直接用電容。
作者: wulin    時(shí)間: 2023-6-4 10:16
QWE4562012 發(fā)表于 2023-6-3 13:42
RC的值如何取呢？

“電流發(fā)峰值、電壓應(yīng)力”都是樓主自定義的詞匯，他人難以解釋。圖中RC接法也不是典型應(yīng)用。沒有完整電路不易判斷其設(shè)計(jì)意圖。
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-6-4 15:50
一般這種RC串聯(lián)是吸收負(fù)載尖峰電壓的snubber，樓主把圖畫成這樣還想讓別人告訴你RC參數(shù)如何�。�
作者: hsphsp789    時(shí)間: 2023-6-4 15:52
這是一個(gè)橋臂電路嗎
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2023-6-5 11:21
這種設(shè)計(jì)針對(duì)性很強(qiáng)，不是普遍的行為。
你需要結(jié)合電路的其它部分來分析。
例如：MOS承壓200，但電路中會(huì)出現(xiàn)250V的尖峰，再依據(jù)尖峰的寬度，頻率來決定RC。
當(dāng)RC無法解決時(shí)，還需要用其它方案配合。
作者: 886yz    時(shí)間: 2023-6-5 12:20
同問，看不懂這個(gè)是什么意思。
作者: EdwardTsapiev    時(shí)間: 2023-6-7 15:47
該 RC 電路用于抑制在“暫�！保ㄋ绤^(qū)時(shí)間）時(shí)刻發(fā)生的“寄生”（不需要的）振蕩，此時(shí)“上方”晶體管已經(jīng)關(guān)閉，而“下方”晶體管尚未開啟。

根據(jù)產(chǎn)生的波動(dòng)的性質(zhì)，選擇 R 和 C 的值：
- 如果是由于負(fù)載線的寄生電感引起的“振鈴”（高頻振蕩，“噪聲”），那么通常使用 C = 0.01-0.1 μF 和 R = 10-100 Ohm。 選擇（觀察示波器上的波形），從C = 0.01和R = 100開始，然后增加電容并減少電阻，直到獲得抑制（減少到安全）。
- 如果這些是串聯(lián)振蕩電路中的低頻振蕩，由負(fù)載電感（電動(dòng)機(jī)、螺線管等）和晶體管的寄生電容獲得，則選擇 C ​​以防止發(fā)生危險(xiǎn)的過電壓（對(duì)于晶體管）和 R - 以確保衰減這些波動(dòng)。 也就是說，R 和 C 是為將要連接的負(fù)載單獨(dú)選擇的。

從理論上講，這些振蕩的能量可以存儲(chǔ)并返回到源頭（“恢復(fù)”），但實(shí)際上，與設(shè)計(jì)、計(jì)算和測(cè)試這種恢復(fù)方案相比，損失 5-10W 的功率更容易（更便宜）（需要有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)工程師和測(cè)試工程師）。

無論如何 - 我們必須記住，RC 電路會(huì)將通過晶體管的“有用”能量的一部分轉(zhuǎn)化為熱量（耗散） - 因此，您需要有一個(gè)電流余量（晶體管功率）。
而且在選擇R和C時(shí)，不要忘記諧振時(shí)會(huì)出現(xiàn)過電壓，即電容器的工作電壓可能需要1000-2000V，以防止其在“不幸的情況下”擊穿。 如果負(fù)載電感很大，電阻的功率可達(dá)數(shù)十瓦，甚至數(shù)百瓦（需要冷卻，通常甚至是強(qiáng)制冷卻）。 另外，不要忘記電阻器上也有高電壓 - 也就是說，它必須是合適的類型（即使在“最壞情況”下也不應(yīng)擊穿）。

（對(duì)不起我的語言 - 機(jī)器翻譯并不完美）
作者: bai_yun    時(shí)間: 2023-6-7 16:12
吸收Q1關(guān)斷時(shí)D.S兩端產(chǎn)生的電壓尖峰
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 17:25
Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-4 15:50
一般這種RC串聯(lián)是吸收負(fù)載尖峰電壓的snubber，樓主把圖畫成這樣還想讓別人告訴你RC參數(shù)如何�。�

具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH，負(fù)載電流是100mA

整個(gè)電路不方便畫出來。。。
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 17:25
huaruolong 發(fā)表于 2023-6-4 08:26
吸收？那會(huì)引起振蕩，rc串聯(lián)電路就是振蕩電路的一種，不如去掉電感，直接用電容。

那個(gè)是電阻  不是電感
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 17:26
EdwardTsapiev 發(fā)表于 2023-6-7 15:47
該 RC 電路用于抑制在“暫�！保ㄋ绤^(qū)時(shí)間）時(shí)刻發(fā)生的“寄生”（不需要的）振蕩，此時(shí)“上方”晶體管已經(jīng)關(guān) ...

實(shí)在看不懂  不過非常感謝你   你是哪國人
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 17:27
yzwzfyz 發(fā)表于 2023-6-5 11:21
這種設(shè)計(jì)針對(duì)性很強(qiáng)，不是普遍的行為。
你需要結(jié)合電路的其它部分來分析。
例如：MOS承壓200，但電路中會(huì) ...

具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH，負(fù)載電流是100mA
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-6-7 17:56
QWE4562012 發(fā)表于 2023-6-7 17:25
具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH，負(fù)載電流是100mA

整個(gè)電路 ...

你不方便畫出來我也不方便回答，問別人吧。
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 18:01
具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH，負(fù)載電流是100mA  無非我想要知道的事并聯(lián)在D和S之間的R和C的取值計(jì)算
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 18:01
Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-4 15:50
一般這種RC串聯(lián)是吸收負(fù)載尖峰電壓的snubber，樓主把圖畫成這樣還想讓別人告訴你RC參數(shù)如何��？

具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH，負(fù)載電流是100mA  無非我想要知道的事并聯(lián)在D和S之間的R和C的取值計(jì)算
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-7 18:02
yzwzfyz 發(fā)表于 2023-6-5 11:21
這種設(shè)計(jì)針對(duì)性很強(qiáng)，不是普遍的行為。
你需要結(jié)合電路的其它部分來分析。
例如：MOS承壓200，但電路中會(huì) ...

，再依據(jù)尖峰的寬度，頻率來決定RC。比如寬度是10ms  怎么選擇RC
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-6-12 16:26
Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-7 17:56
你不方便畫出來我也不方便回答，問別人吧。

10R&220P
作者: zmc419    時(shí)間: 2024-7-5 22:02
huaruolong 發(fā)表于 2023-6-4 08:26
吸收？那會(huì)引起振蕩，rc串聯(lián)電路就是振蕩電路的一種，不如去掉電感，直接用電容。

RC電路，不是LC電路。
作者: wufa1986    時(shí)間: 2024-7-8 08:41
通常這是為了通過EMC測(cè)試才需要加入這個(gè)電路



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