標(biāo)題: PL60N02D 20VN通道增強(qiáng)模式MOSFET場效應(yīng)管 [打印本頁]
作者: bsdz123    時間: 2023-7-4 10:07
標(biāo)題: PL60N02D 20VN通道增強(qiáng)模式MOSFET場效應(yīng)管
一般說明
PL60N02D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

應(yīng)用
蓄電池保護(hù)
負(fù)荷開關(guān)
不間斷電源 ​​​






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