標(biāo)題: 請教mos開通時g級電流一般多大 [打印本頁]
作者: wifen    時間: 2023-10-1 10:45
標(biāo)題: 請教mos開通時g級電流一般多大
12v的mos管，一般開通的時候g級電流有多大？
作者: sgq657785    時間: 2023-10-1 13:33
可以說沒有電流
作者: hhh402    時間: 2023-10-1 14:19
MOS管g級相當(dāng)于通過一個電阻給電容充電，初始電流有可能很大幾十mA到幾A都可能，但是時間很短一般小于1uS，完全導(dǎo)通后電流為0。比如電壓10v，電阻100Ω，初始電流=10v/100=0.1A，導(dǎo)通時g級電壓約2.5v，電流=7.5v/100=0.075A，如果是大電流MOS管，電壓15v，電阻10Ω，導(dǎo)通時g級電壓約2.5v，電流=12.5v/
10=1.25A。
作者: wulin    時間: 2023-10-1 14:43
MOS管是電壓驅(qū)動型，G級電流極小，幾乎為0。只有用作高速開關(guān)電路時才考慮結(jié)電容的存在需要較大的瞬時驅(qū)動電流。
作者: coody_sz    時間: 2023-10-1 15:58
那要看具體的充電參數(shù)，比如10V柵壓50nC的，柵壓0V上升到10V的時間對應(yīng)驅(qū)動電流，10us-->5mA，1us-->50mA，0.1us-->500mA。
作者: shenchaobiao    時間: 2023-10-1 16:00
看手冊啊，不同功率的不一樣，大功率的還要小功率的推動呢。
作者: Hephaestus    時間: 2023-10-1 16:31
MOSFET的G極靜態(tài)電流是0，只有動態(tài)，也就是說G極電壓變化的時候，必須考慮G極電容，才有電流。
作者: fishafish    時間: 2023-10-1 16:34
一瞬間100ma-1A左右
作者: 老愚童63    時間: 2023-10-1 19:49
MOS管是電壓控制元件，理論上不需要G極電流或者G極電流可以忽略。但動態(tài)驅(qū)動時因為GS結(jié)電容的存在需要對結(jié)電容充電電流，當(dāng)結(jié)電容充電到MOS管開啟電壓后MOS管導(dǎo)通。所以，MOS管需要的動態(tài)驅(qū)動電流實際上是給結(jié)電容充電電流。靜態(tài)驅(qū)動基本上不需要電流
作者: TTQ001    時間: 2023-10-2 00:30
MOSFET柵極是靠電壓工作的，而不是電流工作的，幾乎沒有電流流過MOSFET的柵極。
作者: NJDG    時間: 2023-10-2 13:26
MOSFET需要驅(qū)動，開通瞬間需要一個大的沖擊電流，特別是高頻率驅(qū)動時，大的驅(qū)動電流可以減少MOS管的損耗，留意一下CISS這個輸入電容的參數(shù)，越大需要的驅(qū)動電流越大。C是隔直的，樓上幾位都說了。MOS和IGBT都有專門的驅(qū)動芯片，就可以理解這個問題了，驅(qū)動芯片的輸出都是幾百毫安到A級的。如果不是PWM驅(qū)動，只是開關(guān)，那隨便了。驅(qū)動幾個毫安也是可以的。
作者: 老愚童63    時間: 2023-10-3 09:24
在不給定MOS管驅(qū)動脈沖頻率的前提下談MOS管的G極電流是沒有意義的！高頻脈沖需要很大的驅(qū)動電流，一般需要使用功率驅(qū)動芯片或者三極管提供幾安培甚至十多安培驅(qū)動電流。低頻或者靜態(tài)條件下需要的驅(qū)動電流很�。�
作者: 量子工業(yè)    時間: 2023-10-3 11:37
MOS屬于電場控制器件，若是直流偏置的話，是無 電流的，
但由于GS GD之間有個結(jié)電容，高頻交流時候會在這個結(jié)電容上有一個電流；
作者: jlslwh    時間: 2023-10-3 18:15
除去大家說的，還有一個因素得考慮，就是為了泄放掉柵極的電壓（因為結(jié)電容的原因）一般柵極和源極之間會并接一個電阻（這個電阻的大小和要求的截止速度相關(guān)）這個電阻會對于驅(qū)動電路形成一些電流。
作者: Hephaestus    時間: 2023-10-4 22:38
jlslwh 發(fā)表于 2023-10-3 18:15
除去大家說的，還有一個因素得考慮，就是為了泄放掉柵極的電壓（因為結(jié)電容的原因）一般柵極和源極之間會并 ...

這個電阻在管子內(nèi)部是不存在的。
作者: 大漠落日    時間: 2023-10-5 07:51
MOS主要考慮的是動態(tài)電流，看別人的設(shè)計就可以發(fā)現(xiàn)，有采用二極管或者電容方式的驅(qū)動類型，并且還要并上一只電阻。平時見到的小功率充電器采用一只電阻驅(qū)動就可以了。
作者: rayin    時間: 2023-10-5 09:42
mos管有N-MOS, P-MOS之分, 一般用NMOS管, 盡量不用PMOS. NMOS導(dǎo)通電壓可能比5V要高, 單片機就需要通過三極管提升電壓來驅(qū)動MOS管. MOS的柵極與DS之間是高阻的, 高頻使用時需要考慮柵極節(jié)電容.
作者: aygc    時間: 2023-10-5 15:27
需要的電流并不大，但是柵極有寄生電容，相當(dāng)于給電容充電，在瞬態(tài)下充電電流會較大，要想更好的驅(qū)動，驅(qū)動電路要有很好的驅(qū)動能力，說白了就是充電時間和放電時間都要最短才好
作者: Y_G_G    時間: 2023-10-12 00:29
如果只是單純的開和關(guān),那你可以認(rèn)為它是不需要電流的
如果是PWM,那就得要電流+電壓了,大多的驅(qū)動芯片都有0.2A以上驅(qū)動電流+10V驅(qū)動電壓的
作者: univers    時間: 2023-10-17 09:32
MOS的G極，你可以把它看成一個電容。每種MOS管子的輸入電容都不一樣�？梢圆楸�。
作者: 1528853327    時間: 2023-10-17 09:43
信息12mA
作者: 老愚童63    時間: 2023-10-17 12:40
1528853327 發(fā)表于 2023-10-17 09:43
信息12mA

如果100KHz頻率，12ma可以嗎？
作者: lsgzq    時間: 2023-10-19 09:18
場效應(yīng)管是電壓控制器件，G極和其它極是絕緣的，所以沒有G極電流，使用的時候注意G極的開通電壓和關(guān)斷電壓在合適的范圍就行。
作者: hclin    時間: 2023-10-21 00:36
mosfet的驅(qū)動電流大致上跟開關(guān)頻率成比例。
作者: 1600277881    時間: 2023-10-22 16:22
GS極等效一電容， 所以G極的電流，只有在輸入信號狀態(tài)變動時所產(chǎn)生瞬間RC充電電流， C多大可以在MOS管規(guī)格書查到， R就查看你的電路
作者: 圣博朗西斯    時間: 2023-10-27 11:17
MOS壓動型，電流很小



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