標(biāo)題: MOS管驅(qū)動(dòng)電路問(wèn)題 [打印本頁(yè)]
作者: KingTheWorld    時(shí)間: 2023-11-5 00:05
標(biāo)題: MOS管驅(qū)動(dòng)電路問(wèn)題
大佬們幫忙看下這個(gè)圖是不是有問(wèn)題，我焊接實(shí)物后想測(cè)試控制電機(jī)，一通電MOS就直接導(dǎo)通了一樣，電機(jī)直接轉(zhuǎn)起來(lái)。。。。用的3.3V單片機(jī)控制。V cc是12V.但是用萬(wàn)用表測(cè)MOS的G極電壓是0V的。用萬(wàn)用表的蜂鳴器擋位測(cè)D和S正向反向都是0.5左右是不是擊穿了，。。。。謝謝！

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作者: 1256618767    時(shí)間: 2023-11-5 06:07
q2基極分壓差不多6v了大于0.7v太多。如果損壞開(kāi)路mos就會(huì)打開(kāi)了。當(dāng)然這只是可能的原因之一。
作者: TTQ001    時(shí)間: 2023-11-5 08:27
看起來(lái)MOSFET被擊穿了，很可能是體二極管損壞了
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-11-5 10:47
MOSFET Vgs=0 還能導(dǎo)通那就是壞了。
作者: dj3365191    時(shí)間: 2023-11-5 11:11
用蜂鳴檔位測(cè)0.5就是擊穿了，用二極管檔位測(cè)0.5未必?fù)舸?hr noshade size="2" width="100%" color="#808080"> 作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-11-5 14:12
dj3365191 發(fā)表于 2023-11-5 11:11
用蜂鳴檔位測(cè)0.5就是擊穿了，用二極管檔位測(cè)0.5未必?fù)舸?/blockquote>

你萬(wàn)用表什么型號(hào)？沒(méi)見(jiàn)過(guò)蜂鳴器（通斷）和二極管不是一個(gè)檔位的。
作者: KingTheWorld    時(shí)間: 2023-11-5 14:54
Hephaestus 發(fā)表于 2023-11-5 14:12
你萬(wàn)用表什么型號(hào)？沒(méi)見(jiàn)過(guò)蜂鳴器（通斷）和二極管不是一個(gè)檔位的。

我的表兩個(gè)擋位是在一起的，勝利的881D。不好意思沒(méi)說(shuō)清楚。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2023-11-5 15:02
會(huì)不會(huì)DS接反了？
作者: 一事無(wú)成    時(shí)間: 2023-11-5 16:49
不要怕麻煩，把MOS拆下來(lái)測(cè)，搭個(gè)小電路，記得把驅(qū)動(dòng)電路也測(cè)一下，另外注意下封裝是不是正確的
ps:單片機(jī)驅(qū)動(dòng)高壓大功率建議用驅(qū)動(dòng)芯片，可以試試N531，便宜
作者: jhczy    時(shí)間: 2023-11-6 09:13
“用萬(wàn)用表的蜂鳴器擋位測(cè)D和S正向反向都是0.5左右”說(shuō)明已經(jīng)壞了（DS擊穿），或用電阻1K檔測(cè)正反向電阻都是導(dǎo)通的話，說(shuō)明壞了（DS擊穿）
作者: hhp008    時(shí)間: 2023-11-7 16:45
G極為0V，DS正反都導(dǎo)通，估計(jì)是擊穿了。
作者: asmmcu    時(shí)間: 2023-11-7 21:58
換個(gè)N型三極管上去測(cè)試正常就基本沒(méi)問(wèn)題了
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-11-7 22:04
coody_sz 發(fā)表于 2023-11-5 15:02
會(huì)不會(huì)DS接反了？

功率MOSFET的D是襯底，在中間，用腳后跟想想都沒(méi)錯(cuò)。
作者: 卡姿蘭大眼睛    時(shí)間: 2023-11-9 16:35
估計(jì)擊穿了。柵極都是0V了，還能導(dǎo)通肯定不對(duì)了
作者: 李冬    時(shí)間: 2023-11-13 16:59
C1去掉



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