標(biāo)題: 關(guān)于BNRT [打印本頁(yè)]

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2023-12-9 23:27
標(biāo)題: 關(guān)于BNRT

如果我沒(méi)搞錯(cuò),它的誕生地是遼寧省吧?!

雙向負(fù)阻晶體管,于今并非新興事物,但亦不是老掉牙的貨色,
可是,搜尋老半天,只是覓得一個(gè)PDF,搜索倒是文獻(xiàn)索引一大堆,但點(diǎn)進(jìn)去都見(jiàn)不著內(nèi)文;
至于實(shí)用技術(shù)和電路則更是付諸闕如,難道是找不到適用場(chǎng)合,抑或是民用產(chǎn)品用不著它呢?!
因?yàn)檫@是疑問(wèn),而貴論壇沒(méi)有 電子元器件 專屬板塊,所以唯有直接發(fā)到答問(wèn)區(qū)來(lái)了。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2023-12-10 23:17

這貨是國(guó)內(nèi)研發(fā)和生產(chǎn)的,有沒(méi)有外銷呢,有零售嗎,能郵購(gòu)不 ?!

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2023-12-11 23:07

忽然想到,網(wǎng)上有一個(gè) BC547閃燈,
而在BNRT中,也總有一個(gè)管子是反著用的,
當(dāng)然,兩個(gè)BJT這樣串聯(lián),跟BNRT始終有分別,
就如SCS,是PNPN四層直接構(gòu)成的單體,而 PNP+NPN 是集成電路。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2023-12-13 00:46

把一個(gè)BJT的射極分成兩點(diǎn),這兩個(gè)射極距離之近,足以構(gòu)成又一個(gè)BJT而非Rb,
低 BVebo的發(fā)射結(jié),可以是兩個(gè)原生結(jié),亦可以是新增結(jié),視乎基區(qū)濃度分布的設(shè)計(jì),
如果基區(qū)濃度處處一致,則兩個(gè)射極的距離就要 比它們跟集極的距離還狹窄;一極多路的設(shè)計(jì),在集成電路中并不鮮見(jiàn)。

作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 02:02
提出了一種新的負(fù)阻半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),即由一個(gè)橫向晶體管與兩個(gè)縱向晶體管構(gòu)成的“合并晶體管”結(jié)構(gòu),由此導(dǎo)致了雙向負(fù)阻晶體管(BNRT)的發(fā)明。BNRT具有對(duì)稱的雙向S型負(fù)阻特性,其輸出脈沖上升時(shí)間在納秒范圍,轉(zhuǎn)折電壓值為8~12V,轉(zhuǎn)折電流為幾十至幾百微安,維持電流在2~10毫安范圍內(nèi),最大允許導(dǎo)通電流為幾十毫安。BNRT是一種低壓小功率快速負(fù)阻器件,采用最成熟的硅材料和硅平面管工藝制作,易于集成。目前已用該器件設(shè)計(jì)了單穩(wěn)、雙穩(wěn)、自激振蕩器、正弦波振蕩器、方波發(fā)生器、斜波發(fā)生器等近十種基本脈沖電路,該器件已生產(chǎn)二萬(wàn)余支,被廣泛應(yīng)用于各種脈沖控制線路和系統(tǒng)中。BNRT的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件這個(gè)大家族增添了一個(gè)新的成員
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2024-4-22 02:08
二萬(wàn)余只只能用來(lái)笑掉大牙。
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 02:09
不是遼寧,而是電子所
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 06:02
通過(guò)繼續(xù)增加反向二極管的摻雜濃度,可以使擊穿電壓為0V。而且,重?fù)诫s使得正向?qū)ㄇ€發(fā)生彎曲,具有這種特性的二極管稱為隧道二極管。有關(guān)資料此二極管最先由日本發(fā)現(xiàn)。這種二極管表現(xiàn)出負(fù)阻特性。即正向電壓的增加可以使正向電流。隧道二極管的負(fù)阻特性可用于高頻振蕩器電路。目前高頻振蕩電路采用晶振技術(shù)。遂道二極管振蕩器是將直流能量轉(zhuǎn)化為正弦波,采用晶振技術(shù)振蕩器是將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為正弦波。由于遂道二極管高頻振蕩器精度受溫度的影響較大,此技術(shù)應(yīng)用受到限制。
  雙向負(fù)阻晶體管(BNRT)是隧道二極管利用集成電路實(shí)現(xiàn)的一種方法,同樣應(yīng)用受溫度的影響較大,同樣此技術(shù)應(yīng)用受到限制。
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 07:38
隧道二極管通過(guò)集成電路技術(shù)生成雙向負(fù)阻晶體管,利用它的負(fù)阻特性可用于高頻振蕩器電路
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 08:48
注意:溫度對(duì)BNRT產(chǎn)生的高頻振蕩頻率產(chǎn)生很大影響,即溫度影響頻偏達(dá)到百分之幾。
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 08:55
由于溫度對(duì)BNRT的影響,目前高頻振蕩器采用晶振,溫度影響晶振所達(dá)到的頻偏只有百萬(wàn)分之幾(PPM)。
作者: 老愚童63    時(shí)間: 2024-4-22 09:37
指望搜索引擎?除了%和廣告,能夠提供多少有用的信息?
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 14:32
老愚童63 發(fā)表于 2024-4-22 09:37
指望

集成電路的發(fā)展,1M以下的振蕩器主要靠集成電路,1M以上的振蕩器主要靠晶振。無(wú)論是工作電壓的高低,還是精度,BNRT都不沾優(yōu)勢(shì)?
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-22 14:34
Hephaestus 發(fā)表于 2024-4-22 02:08
二萬(wàn)余只只能用來(lái)笑掉大牙。

能打開市場(chǎng),很不錯(cuò)了。
作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-26 00:24
donglw 發(fā)表于 2024-4-22 06:02
通過(guò)繼續(xù)增加反向二極管的摻雜濃度,可以使擊穿電壓為0V。而且,重?fù)诫s使得正向?qū)ㄇ€發(fā)生彎曲,具有這種 ...


那么我就納悶。
半導(dǎo)體有源器件的原理,其實(shí)都是 PN結(jié) 的運(yùn)用,
BNRT的閾值比雪崩晶體管或DIAC低,但好歹也有幾V至十幾V,
隧道二極管卻完全沒(méi)有反向阻斷能力的,正向特性跟普通二極管一樣,只是中間多了個(gè)負(fù)阻區(qū),那意味著,正向轉(zhuǎn)折電壓只有普通二極管的一半。

作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-26 09:03
LhUpBJT 發(fā)表于 2024-4-26 00:24
那么我就納悶。
半導(dǎo)體有源器件的原理,其實(shí)都是 PN結(jié) 的運(yùn)用,
BNRT的閾值比雪崩晶體管或DIAC低, ...

國(guó)內(nèi)喜歡炒概念,集成電路發(fā)展到今天,凡是有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值的,外面早就開發(fā)了,這方面我們的鄰居韓國(guó)和日本比較注重作這方面的事情。而美歐注重更多應(yīng)用方面的開發(fā)。無(wú)論是精度還是市場(chǎng),1MHz以下使用運(yùn)算放大器,1MH以上使用晶振。請(qǐng)問(wèn)BNRT能用于1MHz以上嗎?1MHz以下,無(wú)論是成熟度,還是精度能與運(yùn)算放大器相比?。。。。。。。。
作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-26 10:06

BNRT這傢伙,可謂生不逢時(shí)了。
它的通態(tài)壓降跟BJT的飽和壓降相若,所以,幾伏的轉(zhuǎn)折電壓就能造出比DIAC更強(qiáng)的脈沖,可惜,連TRIAC也開始式微了。

作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-26 10:21
LhUpBJT 發(fā)表于 2024-4-26 10:06
BNRT這傢伙,可謂生不逢時(shí)了。
它的通態(tài)壓降跟BJT的飽和壓降相若,所以,幾伏的轉(zhuǎn)折電壓就能造出比DIAC ...

技術(shù)的發(fā)展,淘汰一些沒(méi)有價(jià)值的產(chǎn)品很正常,你想使用模擬大哥大手機(jī),網(wǎng)絡(luò)也不會(huì)提供服務(wù)了。
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-26 10:25
已經(jīng)承認(rèn)BNRT微了,沒(méi)必要討論此話題了,繼續(xù)討論是有其他用途了。
作者: wufa1986    時(shí)間: 2024-4-26 11:25
自己用分立元件搭建,就是溫度和對(duì)稱性差點(diǎn)
作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-27 08:36
donglw 發(fā)表于 2024-4-26 10:21
技術(shù)的發(fā)展,淘汰一些沒(méi)有價(jià)值的產(chǎn)品很正常,你想使用模擬大哥大手機(jī),三大電信供應(yīng)商也不會(huì)提供服務(wù)了。


白熾燈,雖然還能買到,但實(shí)際上已淘汰,
跟可控硅配套的相移觸發(fā)及過(guò)零觸發(fā)技術(shù)已告落伍,SCR與TRIAC亦漸趨式微,
但這都是正常的新陳代謝,BNRT卻是「出師未捷身先死」,想當(dāng)初還說(shuō)好的將它「引進(jìn)到高速集成電路設(shè)計(jì)中」哩。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-27 08:44
wufa1986 發(fā)表于 2024-4-26 11:25
自己用分立元件搭建,就是溫度和對(duì)稱性差點(diǎn)


我發(fā)這帖,就是沖那個(gè) BC547閃燈 而來(lái)的,
用兩個(gè)BC547,集極連集極,基極接基極,就可組成 仿BNRT 拓?fù)洌?br /> 沒(méi)辦法,BNRT已經(jīng)「夭折」,相郵購(gòu)幾顆也沒(méi)門嘍。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-27 09:19
donglw 發(fā)表于 2024-4-26 09:03
集成電路發(fā)展到今天,凡是有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值的, ...


2SC3355,是正常的BJT,它的 f[sub]T[/sub],是6.5GHz,把BNRT升級(jí)至GHz頻段其實(shí)并非不可能,
只是猜測(cè),晶振只適宜以小功率的三極管或運(yùn)放驅(qū)動(dòng),跟負(fù)阻器件無(wú)法做到完美合作,反之,負(fù)阻器件亦似乎只能跟實(shí)體的電感或電容配套,無(wú)法以晶振帶動(dòng),頻率穩(wěn)定程度也就上不去。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-30 01:01

喔,對(duì)咧,晶振的等效Q值極高,但只有壓電效應(yīng),沒(méi)有無(wú)功能量,而負(fù)阻有源器件卻必須靠無(wú)功能量才能驅(qū)動(dòng),
負(fù)阻唯一的好處是,電路比用三極管的更簡(jiǎn)單(不用反饋),如果用 RC或LR 就更簡(jiǎn)單(一階即可),但即使用LC槽路,Q值也是遠(yuǎn)不及晶振的,另外,三極管的溫漂可引進(jìn)溫度補(bǔ)償配置,負(fù)阻元件似乎無(wú)計(jì)可施,這樣,以負(fù)阻主震的電路的頻率穩(wěn)定度自然就上不去了,也許是這樣吧。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-30 01:12

一個(gè)本來(lái)有望成為企業(yè)傳承人的干將,卻遽然收到指示說(shuō) 公司轉(zhuǎn)型 (轉(zhuǎn)型倒是不假),你不再適用了,就倒霉蛋就這樣一臉懵B地被淘汰了。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-30 01:26

BNRT的命運(yùn),就有點(diǎn)像這倒霉蛋,其實(shí)是這企業(yè)小看他了,轉(zhuǎn)型真的那么難適應(yīng)嗎,未必!

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-30 01:40
donglw 發(fā)表于 2024-4-22 08:55
由于溫度對(duì)BNRT的影響,目前高頻振蕩器采用晶振,溫度影響晶振所達(dá)到的頻偏只有百萬(wàn)分之幾(PPM)。


我就納悶,三極管的溫漂也不太小,但為甚么不會(huì)拖晶振后腿呢?!
跟DIAC相比,BNRT更接近BJT,但BNRT始終不是三極管,而是負(fù)阻器件,無(wú)需反饋且加不上補(bǔ)償,所以無(wú)法受惠于晶振。

作者: LhUpBJT    時(shí)間: 2024-4-30 02:07

想當(dāng)年,我這邊的電子元件店說(shuō)多不多,也有十幾所,三極管過(guò)千種,可控硅近百款,無(wú)源元件更幾乎一應(yīng)俱全,沒(méi)賣的也可訂購(gòu),
如今,電子元件店只剩下兩所,而且是以工具及儀器為主,元件已全面萎縮,尤其是有源器件,三極管和運(yùn)放都只剩下十?dāng)?shù)種,
想買兩只2SC3355玩負(fù)阻,不求穩(wěn)定,就看能跑多快,可是,能買到的只有 8050/8550 及 BC547/BC557 這些,90XX也斷貨了,當(dāng)然,負(fù)阻元件有它先前提到的短板,注定它難以當(dāng)上新時(shí)代的時(shí)鐘源,可是,隧道二極管也不行,卻沒(méi)被淘汰。

作者: donglw    時(shí)間: 2024-6-4 01:22
運(yùn)算放大器、時(shí)鐘集成電路(NE555)、單片機(jī)電路發(fā)展逐步淘汰一些偏僻的二極管和三極管電路。
作者: donglw    時(shí)間: 2024-6-4 13:51
LhUpBJT 發(fā)表于 2024-4-30 02:07
想當(dāng)年,我這邊的電子元件店說(shuō)多不多,也有十幾所,三極管過(guò)千種,可控硅近百款,無(wú)源元件更幾乎一應(yīng)俱全 ...

別買2SC3355了,首先高頻電路和低頻電路設(shè)計(jì)方法不同,高頻電路要考慮分布電感和分布電容,低頻電路不考慮分布電感和分布電容。




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