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標(biāo)題: 關(guān)于鐵電存儲(chǔ)IC擦寫次數(shù) [打印本頁]

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2023-12-14 10:26
標(biāo)題: 關(guān)于鐵電存儲(chǔ)IC擦寫次數(shù)
鐵電存儲(chǔ)IC擦寫次數(shù)達(dá)到了10的10次方次，也就是10億次。這個(gè)比一般的EEPROM優(yōu)勢(shì)明顯，比如AT24CXX，一般都是10萬次。但是MB85RC16PNF-G-JNERE1為啥SOP8那么大的封裝，鐵電的容量才2KB也就是16Kb，那么小的容量？這是材料局限決定的嗎？有誰知道的？科普一下

MB85RC16PNF-G-JNERE1 鐵電存儲(chǔ)IC.png (144.69 KB, 下載次數(shù): 36)

MB85RC16PNF-G-JNERE1鐵電存儲(chǔ)IC2.png (50.58 KB, 下載次數(shù): 32)

作者: 18680365301 時(shí)間: 2023-12-14 11:25
10的10次方是100億次,老弟

作者: 飛云居士 時(shí)間: 2023-12-14 12:07
在目前現(xiàn)有的科技水平下，鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的容量通常受到材料的限制。鐵電存儲(chǔ)器使用的是一種叫做鐵氧體(ferroelectric)的材料，它是一種晶體狀固體，可以在電場的作用下發(fā)生極化現(xiàn)象。然而，鐵氧體的電阻率較高，導(dǎo)致電流密度較低，限制了其容量。為了提高鐵電存儲(chǔ)器的容量，人們一直在努力尋找新的材料和工藝來解決這一問題。近年來，出現(xiàn)了一些新型鐵氧體材料，如鈮鈦酸鹽(NTO)、氧化鋅鐵(ZnFeO)等，這些材料的電阻率和靈敏度都比傳統(tǒng)鐵氧體要高得多，有望用于開發(fā)更高容量的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。另外，通過改進(jìn)制造工藝和提高器件設(shè)計(jì)效率等方法也可以在一定程度上提升鐵電存儲(chǔ)器的性能。總之，目前的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的容量受限于材料的特性和技術(shù)水平的限制，但隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及新材料的應(yīng)用，未來的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品將會(huì)更加高效可靠，并具備更高的容量。

作者: Hephaestus 時(shí)間: 2023-12-14 12:10
鐵電核心材料并不是硅，還要集成到硅片上，能有多少集成度？

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2023-12-14 16:44

18680365301 發(fā)表于 2023-12-14 11:25
10的10次方是100億次,老弟

那這個(gè)擦寫次數(shù)有些恐怖啊根本用不完

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2023-12-14 16:46

Hephaestus 發(fā)表于 2023-12-14 12:10
鐵電核心材料并不是硅，還要集成到硅片上，能有多少集成度？

嗯有道理不過他這個(gè)擦寫次數(shù)可是吊打其他的EEPROM

作者: QWE4562012 時(shí)間: 2023-12-14 16:46

飛云居士發(fā)表于 2023-12-14 12:07
在目前現(xiàn)有的科技水平下，鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的容量通常受到材料的限制。鐵電存儲(chǔ)器使用的是一種叫做鐵氧體(fer ...

你是做半導(dǎo)體的嗎了解那么深

作者: powerdruy 時(shí)間: 2023-12-15 09:30
鐵電的優(yōu)勢(shì)也是其他存儲(chǔ)的劣勢(shì)，鐵電的劣勢(shì)也是其他存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)，鐵電有集合了RAM和ROM各自的特定，高速存取又掉電保存，但是受限制工藝和材料，難以低成本的大規(guī)模集成，這又是常規(guī)存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)所在

作者: bigbigcong 時(shí)間: 2023-12-15 10:02
在立創(chuàng)商城看了一下，和24c02價(jià)格相差100倍，讀寫次數(shù)相差10萬倍。我懷疑是以前用在航天這種級(jí)別上的。

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