標(biāo)題: MOS管驅(qū)動電路問題 [打印本頁]
作者: 624353765    時(shí)間: 2024-2-3 14:35
標(biāo)題: MOS管驅(qū)動電路問題


PMOS管上的二極管D1起到什么作用，去掉會影響哪些方面




這是我做的，這兩者區(qū)別大嗎
作者: hong19851024    時(shí)間: 2024-2-3 17:28
鉗位S8050基極電壓。
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2024-2-3 20:39
二極管沒用。
作者: tt2016    時(shí)間: 2024-2-3 20:46
老哥，圖一中的二極管是由大功率的MOS管生產(chǎn)工藝造成的，不是特地焊裝的啊，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個(gè)寄生二極管。 小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個(gè)二極管。 模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個(gè)二極管。
作者: TTQ001    時(shí)間: 2024-2-4 08:26
這是 PMOS 晶體管的體二極管，它是在制造 MOSFET 晶體管時(shí)制造的。
作者: ppcbug    時(shí)間: 2024-2-4 14:39
看上去 確實(shí)用處不大。 仔細(xì)看看 ， 有可能 能提升 關(guān)斷MOS的 速度。
只是猜測， 僅供參考。
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2024-2-4 17:10
TTQ001 發(fā)表于 2024-2-4 08:26
這是 PMOS 晶體管的體二極管，它是在制造 MOSFET 晶體管時(shí)制造的。

樓主問的是D1，沒問體二極管，請審題。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2024-2-4 21:50
抗飽和二極管，不用這個(gè)二極管，三極管截止時(shí)間是幾個(gè)us，用了這個(gè)二極管，三極管截止時(shí)間是幾百ns。
抗飽和相關(guān)知識，可以看看課本中分離零件TTL電路的相關(guān)章節(jié)。



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