標(biāo)題: 電路請(qǐng)教,這樣的過(guò)零檢測(cè)會(huì)影響芯片不? [打印本頁(yè)]
作者: xiaobendan001    時(shí)間: 2024-3-2 09:26
標(biāo)題: 電路請(qǐng)教,這樣的過(guò)零檢測(cè)會(huì)影響芯片不?

會(huì)有一個(gè)脈動(dòng)電流灌入單片機(jī)引腳，用示波器看腳上電壓峰值是5.7V�？雌饋�(lái)運(yùn)行是正常的。
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2024-3-2 10:10
超過(guò)VCC+0.7V會(huì)引發(fā)可控硅閂鎖燒毀芯片。
作者: 明日之星8    時(shí)間: 2024-3-2 10:52
串入電阻限制脈沖電流的強(qiáng)度，R17可以并聯(lián)5V1穩(wěn)壓二極管同時(shí)可調(diào)大R17的阻值。
因?yàn)槊}沖信號(hào)可能有時(shí)大，有時(shí)小，調(diào)整串入電阻和R17的大小，使大信號(hào)時(shí)脈沖電
流不太大，小信號(hào)時(shí)也要能被檢測(cè)到。
作者: aidianzi    時(shí)間: 2024-3-2 12:38
不知道你單片機(jī)IO是否帶鉗位位二極管不，要是帶有的話你限流電阻大一些就沒(méi)什么問(wèn)題，要是沒(méi)有那就不要超過(guò)電壓，可以試著分壓測(cè)試，TTL電平CMOS電平不是絕對(duì)的5V為高0V為低是一個(gè)范圍值，順便內(nèi)部有施密特功能的話順便開(kāi)啟那就沒(méi)什么大問(wèn)題了
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2024-3-2 15:38
aidianzi 發(fā)表于 2024-3-2 12:38
不知道你單片機(jī)IO是否帶鉗位位二極管不，要是帶有的話你限流電阻大一些就沒(méi)什么問(wèn)題，要是沒(méi)有那就不要超過(guò) ...

除非像STM32的模擬量輸入徹底沒(méi)有任何保護(hù)以外，單片機(jī)引腳都帶鉗位二極管防可控硅閂鎖，但是為了不影響性能，鉗位能力很有限一般不超過(guò)1mA，硬懟還是要燒的。
作者: xiaobendan001    時(shí)間: 2024-3-2 17:40
感謝大家的指導(dǎo)，本來(lái)R18上端有4.7V穩(wěn)壓管接地的，但是現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)這個(gè)穩(wěn)壓管質(zhì)量不穩(wěn)定，問(wèn)題較多，所以想去掉它試試。我是感覺(jué)把R18改大例如47K甚至100K應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題了
作者: donglw    時(shí)間: 2024-4-24 16:36
建議使用帶光電隔離的過(guò)零檢測(cè)電路
作者: heyanrog    時(shí)間: 2024-4-24 16:48
加個(gè)穩(wěn)壓管保險(xiǎn)一些
作者: xiaobendan001    時(shí)間: 2024-4-24 17:00
donglw 發(fā)表于 2024-4-24 16:36
建議使用帶光電隔離的過(guò)零檢測(cè)電路

是，可是成本和空間都不允許啊
作者: kmsj    時(shí)間: 2024-4-24 17:41
這樣的過(guò)零電路勉勉強(qiáng)強(qiáng)可以用，類似的過(guò)零電路我用過(guò)，加了一個(gè)三極管反相之后性能好很多，但是，仍然有干擾，后來(lái)改成用四腳的光耦，性能一下子好的不得了，控制可控硅導(dǎo)通角燈泡最暗到最亮精度很高，還可以用來(lái)計(jì)時(shí)，相當(dāng)于用50Hz的交流電計(jì)時(shí)，平均精度高于RC振蕩器，低于晶體。



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