標(biāo)題: 關(guān)于增強(qiáng)型和耗盡型MOS的應(yīng)用 [打印本頁(yè)]
作者: 李冬    時(shí)間: 2024-5-23 14:45
標(biāo)題: 關(guān)于增強(qiáng)型和耗盡型MOS的應(yīng)用
什么情況使用耗盡型MOS
萬(wàn)用表如何檢測(cè)耗盡型MOS好壞
作者: Lee196    時(shí)間: 2024-5-24 09:51
增強(qiáng)型MOS：增強(qiáng)型MOSFET一個(gè)正電壓作為門(mén)極與源極之間的電壓來(lái)形成導(dǎo)通通道。當(dāng)門(mén)極壓高于閾值電壓時(shí)，通道將完全形成，從而允許電流流過(guò)。增強(qiáng)型MOS常用于開(kāi)關(guān)和放大器等需要控制通斷的應(yīng)用，如邏輯門(mén)、功率放大器、開(kāi)關(guān)模式電等。

耗盡型MOS：耗盡型MOSFET沒(méi)有驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，在門(mén)極與源極之間存在一個(gè)偏置電壓即可控制其截止或?qū)ā．?dāng)負(fù)置超過(guò)一定閾值時(shí)，耗盡型MOS將被關(guān)斷，現(xiàn)在耗盡型的MOS幾乎不再應(yīng)用
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2024-5-24 15:19
萬(wàn)用表如何檢測(cè)耗盡型MOS好壞？
答：要求萬(wàn)用表中的電池電壓大于門(mén)極電壓值（通常使用6V或９V電池的就可以了）。
１、先將萬(wàn)用表調(diào)檔于“用到電池電壓檔位”（如測(cè)電阻的10K檔，二極管檔，因表型號(hào)而異），用表棒給MOS的柵源加壓（碰一下即可），表棒方向調(diào)換一下，再碰一次。兩次操作會(huì)改變MOS的通、斷（依據(jù)沙發(fā)所寫(xiě)的邏輯。）
２、再用表測(cè)量源漏極的通、斷狀態(tài)。如果符合沙發(fā)所寫(xiě)的邏輯，就是好的。反之是壞的。
源漏極的通、斷，會(huì)符合１、中表棒在柵源上的施壓極性。
總結(jié)：測(cè)量MOS的好壞需要分兩步，第一步給柵源加壓；第二步測(cè)量源漏的通斷。
原理：MOS的柵源是有極電容的，給柵源加壓，就是給極電容充電，電容上的電壓短時(shí)間內(nèi)跑不掉，且這個(gè)電壓會(huì)決定MOS管的通斷。
作者: aAliujiahui    時(shí)間: 2024-5-26 22:16
一些情況下，表面有燒毀痕跡的MOS管很容易判斷為已損壞，使用二極管檔位來(lái)測(cè)量MOS管，多數(shù)時(shí)候?qū)妷簯?yīng)該在4.5-5.5V之間，負(fù)極接D引腳，正極接S引腳如果導(dǎo)通電壓過(guò)低或者接近0，那么說(shuō)明已經(jīng)損壞
作者: aAliujiahui    時(shí)間: 2024-5-26 22:20
一些情況下，這種表面有燒毀痕跡的MOS管很容易判斷為已損壞，若使用二極管檔位來(lái)測(cè)量MOS管，1.多數(shù)時(shí)候?qū)妷簯?yīng)該在4.5-5.5V之間，負(fù)極接D引腳，正極接S引腳，如果導(dǎo)通電壓過(guò)低或者接近0，那么說(shuō)明已經(jīng)損壞，2.測(cè)量D和S之間的電阻，如果不是無(wú)窮大說(shuō)明有損壞，3.給G極通電，設(shè)置在5V-12V，然后測(cè)量有沒(méi)有完全導(dǎo)通，如果有很大的比如5歐姆甚至以上的電阻說(shuō)明有問(wèn)題
作者: rundstedt    時(shí)間: 2024-5-30 22:06
耗盡型用于RF電路，井蛙們沒(méi)見(jiàn)過(guò)不等于不存在。



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