標(biāo)題: NMOS應(yīng)用在高端，需要自舉電容疊加電壓才能打開NMOS [打印本頁]
作者: QWE4562012    時間: 2025-1-21 09:46
標(biāo)題: NMOS應(yīng)用在高端，需要自舉電容疊加電壓才能打開NMOS
NMOS應(yīng)用在高端，需要自舉電容疊加電壓才能打開NMOS

1.這里是不是有錯誤�。繎�(yīng)該是15V加電容電壓Vc_boot？

2.既然NMOS在高端需要自舉，為什么不直接用PMOS？用PMOS有哪些隱患和不好的地方

1.這里是不是有錯誤啊？.png (114.58 KB, 下載次數(shù): 0)

1.這里是不是有錯誤��？.png
作者: yanjian    時間: 2025-1-21 11:49
PMOS貴而且性能不好.
比如你看看PMOS內(nèi)阻都不會很小
作者: 明日之星8    時間: 2025-1-21 12:19
PMOS做不到那么大功率。高耐壓大電流的都是NMOS。
作者: xiaobendan001    時間: 2025-1-21 18:35
大多數(shù)都放假了吧。我也放假了，上管不用PMOS的原因好像是說PMOS的高壓或者大電流的型號都不太好找。成本可能比較高吧
作者: cnos    時間: 2025-2-16 13:07
對于高壓應(yīng)用，主控芯片輸出的電平也就還是那3V 5V的，一樣要想辦法提升電位才能正�？刂芇MOS，那既然這樣，就干脆用NMOS了。
作者: TTQ001    時間: 2025-2-17 00:49
NMOS 晶體管在速度和導(dǎo)電性方面通常比 PMOS 具有顯著優(yōu)勢。此外，NMOS 晶體管的成本低于 PMOS。實際上，如果使用 PMOS 晶體管，則可能需要不同的電源電壓，包括正電壓和負電壓。在散熱方面，PMOS 的功率效率低于 NMOS。



歡迎光臨 (http://www.torrancerestoration.com/bbs/) Powered by Discuz! X3.1