標(biāo)題: 關(guān)于控制電磁鐵電路加入二極管請(qǐng)教 [打印本頁(yè)]
作者: happy2058    時(shí)間: 2025-3-6 23:41
標(biāo)題: 關(guān)于控制電磁鐵電路加入二極管請(qǐng)教
如圖，D2有什么作用
作者: rundstedt    時(shí)間: 2025-3-7 13:29
1）D2完全沒用。

2）假設(shè)D2有用，MOSFET的體二極管完全可以替代D2，體二極管缺點(diǎn)是恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)，高速場(chǎng)合下需要并聯(lián)快恢復(fù)管替代之，但是電磁閥如此慢的負(fù)載，體二極管足夠用了。結(jié)論，完全不需要D2。
作者: 飛云居士    時(shí)間: 2025-3-7 16:42




圖中D2的核心作用是 **保護(hù)MOS管**，具體分析如下：  
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，電磁鐵（感性元件）會(huì)因電流突變產(chǎn)生反向感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，可能形成高壓。D2在此構(gòu)成一條泄放路徑，將感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)鉗位在安全范圍內(nèi)，避免MOS管因承受過高反向電壓而被擊穿，從而保護(hù)MOS管的安全工作。這種應(yīng)用場(chǎng)景中，D2與D1（續(xù)流二極管）配合，分別針對(duì)不同電壓沖擊機(jī)制，共同保障電路穩(wěn)定性。
MOS管內(nèi)不是有一個(gè)寄生二極管，可以起到D2的作用。解釋原因。




MOS管內(nèi)部的寄生二極管（體二極管）雖理論上能為感性負(fù)載（如電磁鐵）提供續(xù)流路徑，但其在實(shí)際電路中存在局限性，無(wú)法完全替代D2，原因如下：  

### 1. 反向恢復(fù)特性不足  
MOS管寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，在高頻開關(guān)場(chǎng)景下，會(huì)產(chǎn)生顯著開關(guān)損耗，甚至引發(fā)電壓尖峰。而專用二極管（如D2若為快恢復(fù)二極管）反向恢復(fù)時(shí)間短，續(xù)流過程更高效，可減少損耗與電壓波動(dòng)，保障電路穩(wěn)定性。  

### 2. 參數(shù)匹配問題  
寄生二極管的耐壓、最大電流等參數(shù)由MOS管本身決定，未必適配電路需求。例如，若電磁鐵關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)超出寄生二極管耐壓值，其會(huì)被擊穿。而外接D2可根據(jù)電路實(shí)際電壓、電流沖擊，選擇耐壓、電流容量更匹配的型號(hào)，確�？煽坷m(xù)流。  

### 3. 保護(hù)可靠性差異  
僅依賴寄生二極管時(shí)，若MOS管因溫度變化、電壓波動(dòng)等因素導(dǎo)致寄生二極管性能下降，電路保護(hù)機(jī)制可能失效。額外添加D2相當(dāng)于增加獨(dú)立保護(hù)環(huán)節(jié)，提升電路應(yīng)對(duì)復(fù)雜工況（如過載、電壓突變）的能力，保障系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

作者: lxh2002    時(shí)間: 2025-3-7 16:54
我也沒看懂D2的作用，同問
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-7 17:05
D2作用是多余，場(chǎng)效應(yīng)管就有體二極管。
作者: qinlu123    時(shí)間: 2025-3-7 17:24
百度續(xù)流二極管
作者: qinlu123    時(shí)間: 2025-3-7 17:26
D2沒用設(shè)計(jì)人員喝大了
作者: 1109    時(shí)間: 2025-3-7 17:38
D2屬于畫蛇添足，MOS管體內(nèi)自身已經(jīng)寄生有一個(gè)體二極管了。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-8 21:35
不知道是否正確，能不能正常工作，帶的是增壓泵，不是燈泡。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-8 23:36
我知道這個(gè)電路有缺陷，假設(shè)峰值與電機(jī)感生疊加，有可能超過管子耐壓，因此，可能要加個(gè)泄放措施，而且就算是直流回路，加泄放二極管都沒有地方的，何處續(xù)流？
作者: dj3365191    時(shí)間: 2025-3-9 10:45
D2啥作用都沒有，因?yàn)镸OS管內(nèi)已經(jīng)封裝了保護(hù)二極管
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-9 11:24
電路中2個(gè)電容器多余，最危險(xiǎn)是2個(gè)電阻比例不合理的話，燒毀概率極大。比較直接的保護(hù)措施用2個(gè)壓敏電阻分別并聯(lián)電機(jī)與直流端，當(dāng)然還有其它可能更好的。

作者: ZSJM    時(shí)間: 2025-3-9 11:55
xianfajushi 發(fā)表于 2025-3-8 21:35
不知道是否正確，能不能正常工作，帶的是增壓泵，不是燈泡。

這個(gè)電路是不行的, MOS導(dǎo)通后,VGS電壓就太低了, 維持不了MOS的導(dǎo)通.

如果是增壓泵, 電感性負(fù)載. 你還是選擇過零導(dǎo)通的可掛硅, 耐壓選擇800V-1000V , 電流選擇是電機(jī)額定的3--5倍左右.
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-9 14:57
ZSJM 發(fā)表于 2025-3-9 11:55
這個(gè)電路是不行的, MOS導(dǎo)通后,VGS電壓就太低了, 維持不了MOS的導(dǎo)通.

如果是增壓泵, 電感性負(fù)載. 你還 ...

正是疑慮的地方，然而分析后消除了疑慮，從仿真波形也證實(shí) 可以正常工作。相互探討是有益的。

作者: rundstedt    時(shí)間: 2025-3-9 17:39
飛云居士 發(fā)表于 2025-3-7 16:42
圖中D2的核心作用是 **保護(hù)MOS管**，具體分析如下：  
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，電磁鐵（感性元件）會(huì)因電 ...

續(xù)流也要看電流方向，D2跟電磁鐵電流方向是相反的，如何續(xù)流？
作者: rundstedt    時(shí)間: 2025-3-9 17:41
xianfajushi 發(fā)表于 2025-3-9 11:24
電路中2個(gè)電容器多余，最危險(xiǎn)是2個(gè)電阻比例不合理的話，燒毀概率極大。比較直接的保護(hù)措施用2個(gè)壓敏電阻分 ...

你畫的圖跟樓主位電路完全沒有關(guān)系，你可以另開一貼，沒必要%這里。
作者: fj51hei    時(shí)間: 2025-3-9 18:35
飛云居士 發(fā)表于 2025-3-7 16:42
圖中D2的核心作用是 **保護(hù)MOS管**，具體分析如下：  
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，電磁鐵（感性元件）會(huì)因電 ...

能解釋下  D2的泄放路徑？
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-11 10:11
rundstedt 發(fā)表于 2025-3-9 17:41
你畫的圖跟樓主位電路完全沒有關(guān)系，你可以另開一貼，沒必要%這里。

探討是必須的,無(wú)問題開帖.
作者: 黃youhui    時(shí)間: 2025-3-12 13:40
rundstedt 發(fā)表于 2025-3-7 13:29
1）D2完全沒用。

2）假設(shè)D2有用，MOSFET的體二極管完全可以替代D2，體二極管缺點(diǎn)是恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)，高速場(chǎng) ...

如果mos擊穿電壓100，二極管擊穿電壓80的話二極管就可以發(fā)揮作用
作者: mycpu    時(shí)間: 2025-3-12 16:47
保護(hù)MOS管  防止擊穿
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-3-12 18:14
D2沒有作用，MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個(gè)二極管了，實(shí)際二極管一直都不會(huì)導(dǎo)通。
作者: rayin    時(shí)間: 2025-3-15 15:20
在電磁鐵關(guān)斷瞬間, D1與線圈構(gòu)成回路放掉線圈中的儲(chǔ)能, D2此時(shí)是反向的, 不能提供電感泄流作用, 因此D2是多余的, 不差錢裝上也無(wú)害.
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-16 05:58
再舉個(gè)荔枝，提問的電路



我的分析回復(fù)：電路設(shè)計(jì)不是很合理，R82R86屬于多余，甚至R80都可以不用，而且射極電壓跟隨基極輸入電壓，由于三極管屬于射隨器輸入阻抗很大，因此R77可以大些無(wú)妨，47k范圍內(nèi)。
作者: NJDG    時(shí)間: 2025-3-16 22:24
R86是必須存在的，為可靠需要再并聯(lián)一個(gè)10-15V的穩(wěn)壓二極管。小負(fù)載開關(guān)可以，大負(fù)載輸出曲線不佳。小功率MOS需要瞬間給柵極幾百毫安的電流是理想的。緩慢開關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電流可以小。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-17 09:41
NJDG 發(fā)表于 2025-3-16 22:24
R86是必須存在的，為可靠需要再并聯(lián)一個(gè)10-15V的穩(wěn)壓二極管。小負(fù)載開關(guān)可以，大負(fù)載輸出曲線不佳。小功率M ...

R77處的電壓一直是0.66V（約），無(wú)法被單片機(jī)拉高或者拉低。
排查1：去掉R77發(fā)現(xiàn)單片機(jī)引腳是能正常拉高的，R77焊盤處能測(cè)到3.3V。
排查2：去掉R82這個(gè)下拉電阻后，就能正常拉低拉高；
相同6組電路，只有這組的這里有這個(gè)問題，同一批板子也都是這里有問題；是鋪銅走線導(dǎo)致的嗎，看了半天沒發(fā)現(xiàn)有什么特別的地方。疊層順序：頂層-地-電源-底層。
作者: NJDG    時(shí)間: 2025-3-17 16:36
理論上R77R82沒有問題，倍數(shù)相差10倍以上即可，差20倍以上更佳。因此，R82可更換為100K或更高。R77偏小，可能會(huì)將IO的電壓拉低,你更換為1K-4.7K試下�？赡芫w管或IO引腳體質(zhì)原因。需要將R77加大至1K以上。R82至少47K。用歐姆定律算下R77的電流，再查下IO的IOH是多少，就是高電平輸出電流是多少，應(yīng)該就可以破案了。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-18 17:34
NJDG 發(fā)表于 2025-3-17 16:36
理論上R77R82沒有問題，倍數(shù)相差10倍以上即可，差20倍以上更佳。因此，R82可更換為100K或更高。R77偏小，可 ...

理論上R77完全可以不用，更不用查IO輸出電流。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-19 12:53
今天動(dòng)手，打磨燒黑觸點(diǎn)，用4個(gè)元件，按我仿真電路焊接組裝起來，通電使用正常，不過我還是有些擔(dān)心，假設(shè)觸點(diǎn)閉合恰巧碰到峰值電壓會(huì)不會(huì)燒管的柵極？試用了幾次開關(guān)水龍頭，電機(jī)工作正常，但不知道能用多久，拭目以待了。

作者: lxs200368    時(shí)間: 2025-3-20 08:41
D2在實(shí)際電路中經(jīng)常能看到，是用來保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的，很多場(chǎng)效應(yīng)管是沒有內(nèi)置二極管的。我在維修中經(jīng)常能遇到此問題。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-3-20 22:41
如果場(chǎng)效應(yīng)管是沒有內(nèi)置二極管不如并聯(lián)一個(gè)氖泡+電阻



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