標(biāo)題: 請(qǐng)教PMOS管驅(qū)動(dòng)中二極管D1的作用是什么？ [打印本頁]
作者: hhh402    時(shí)間: 2025-4-16 11:08
標(biāo)題: 請(qǐng)教PMOS管驅(qū)動(dòng)中二極管D1的作用是什么？

作者: zl98    時(shí)間: 2025-4-16 13:42
D1能夠防止輸出電壓通過Q9 PNP的射極基極二極管或者R3的路徑灌入到PWM信號(hào)，通常這類驅(qū)動(dòng)電路都是以弱信號(hào)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生強(qiáng)輸出，PWM信號(hào)通常來源于MCU/MPU/SOC/DSP etc...其幅值一般在1.8~5V之間，而VM作為功率管的源一般都是較高電壓如12V/24V etc...
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-16 13:56
隔離高壓電壓灌入單片機(jī)引腳用的,驅(qū)動(dòng)信號(hào)為5V,驅(qū)動(dòng)電路為12V通過電阻會(huì)連通的.
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-16 14:03
D1不用也是可以的,它同三極管中的二極管方向相同,只要三極管耐壓足夠高就不會(huì)高壓灌入的危險(xiǎn),假設(shè)三極管損壞屬于短路則二極管一點(diǎn)用處都沒有,可以斷定為多余.
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-16 14:04
況且只控制一個(gè)管子,完全不用那么麻煩,用光耦足夠.
作者: Y_G_G    時(shí)間: 2025-4-16 16:11
看了半天也沒看到它有什么用
但不能信說要用光耦的,用光耦的,在小電流時(shí)影響不大,大電流時(shí),容易燒壞功率管子
目前為止,沒見過電調(diào)上面用光耦的
作者: hhh402    時(shí)間: 2025-4-16 16:18
如果作用如沙發(fā)所說的話，我覺得D1有點(diǎn)多余，光耦更沒有必要，而且光耦速度太慢，驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OS不合適。
作者: xiaobendan001    時(shí)間: 2025-4-16 16:29
D1就是并聯(lián)在三極管的集電結(jié)上面的，的確感覺沒啥用。
作者: WL0123    時(shí)間: 2025-4-16 21:11
hhh402 發(fā)表于 2025-4-16 16:18
如果作用如沙發(fā)所說的話，我覺得D1有點(diǎn)多余，光耦更沒有必要，而且光耦速度太慢，驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OS不合適。

D1就是蛇足，任何典型圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路沒見過此用法。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-16 22:36
不僅D1多余Q8Q9更是多余，這充分體現(xiàn)了設(shè)計(jì)水平。
作者: szb314    時(shí)間: 2025-4-17 07:19
hhh402 發(fā)表于 2025-4-16 16:18
如果作用如沙發(fā)所說的話，我覺得D1有點(diǎn)多余，光耦更沒有必要，而且光耦速度太慢，驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OS不合適。

炸管的時(shí)候，就懂了，D1只是保護(hù)作用，去掉也沒什么，增加維修難度而已
作者: a399288395    時(shí)間: 2025-4-17 08:16
D1兩個(gè)作用，1；是防止Q7導(dǎo)通的時(shí)候把自己的基極電壓拉低把自己鎖死；2；是隔離，防止VM的電壓倒灌進(jìn)單片機(jī)的PWM口。  其實(shí)這個(gè)電路設(shè)計(jì)太繁瑣了； 完全不用這樣做； D1可以直接去掉；
作者: GlenXu    時(shí)間: 2025-4-17 08:58
這是一個(gè)經(jīng)典設(shè)計(jì)。
D1能防止Q7進(jìn)入深度飽和，提高關(guān)斷的速度。
作者: hhh402    時(shí)間: 2025-4-17 14:00
樓上說的好像有道理，但是用NI Multisim 14.0仿真，D1有沒有差別不大，還是NI Multisim 14.0無法仿真這種情況？
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-17 16:13
抗飽和的
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-17 16:16
我是電路原設(shè)計(jì)者。
看完了評(píng)論，居然沒人知道D1是用于三極管抗飽和的。如果沒有D1，三極管退出飽和時(shí)間會(huì)有幾個(gè)us，有D1則 三極管500ns之內(nèi)就能截止。
說D1沒有作用的，都是憑感覺而已，沒有人去測(cè)試一下嗎？ 加單點(diǎn)，就是上拉一個(gè)1K電阻，5V供電，就可以測(cè)試了，使用雙綜數(shù)字示波器。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-17 18:43
coody_sz 發(fā)表于 2025-4-17 16:16
我是電路原設(shè)計(jì)者。
看完了評(píng)論，居然沒人知道D1是用于三極管抗飽和的。如果沒有D1，三極管退出飽和時(shí)間會(huì) ...

既然是原設(shè)計(jì)者，那么，可說其減小時(shí)間原理？
另Q7集電極直接10K是否能正常工作？
作者: xiaobendan001    時(shí)間: 2025-4-17 19:12
coody_sz 發(fā)表于 2025-4-17 16:16
我是電路原設(shè)計(jì)者。
看完了評(píng)論，居然沒人知道D1是用于三極管抗飽和的。如果沒有D1，三極管退出飽和時(shí)間會(huì) ...

那么原理呢？科普一下唄
作者: 622323wjl    時(shí)間: 2025-4-17 20:59
D1不用也是可以的,它同三極管中的二極管方向相同,只要三極管耐壓足夠高就不會(huì)高壓灌入的危險(xiǎn),假設(shè)三極管損壞屬于短路則二極管一點(diǎn)用處都沒有,可以斷定為多余.應(yīng)該是這個(gè)原因。
作者: qrw    時(shí)間: 2025-4-17 23:02
D1能夠防止輸出電壓通過Q9 PNP的射極基極二極管或者R3的路徑灌入到PWM信號(hào)，通常這類驅(qū)動(dòng)電路都是以弱信號(hào)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生強(qiáng)輸出，PWM信號(hào)通常來源于MCU/MPU/SOC/DSP etc...其幅值一般在1.8~5V之間，而VM作為功率管的源一般都是較高電壓如12V/24V etc...
作者: TP801    時(shí)間: 2025-4-18 12:25
防止三極管進(jìn)入深度飽和狀態(tài)，影響開關(guān)速度，你可以仿真或者實(shí)測(cè)試試，比較一下有無二極管時(shí)的區(qū)別。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-18 14:10
TP801 發(fā)表于 2025-4-18 12:25
防止三極管進(jìn)入深度飽和狀態(tài)，影響開關(guān)速度，你可以仿真或者實(shí)測(cè)試試，比較一下有無二極管時(shí)的區(qū)別。

如果有，就請(qǐng)截圖仿真來看看，調(diào)節(jié)到10ns觀察，或者示波器也可，并請(qǐng)闡述其作用原理。
作者: hhh402    時(shí)間: 2025-4-18 16:46
仿真看不出來

無標(biāo)題.jpg (800.06 KB, 下載次數(shù): 0)

無標(biāo)題.jpg
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-18 19:20
hhh402 發(fā)表于 2025-4-18 16:46
仿真看不出來

三極管中二極管外并聯(lián)二極管如何能從幾個(gè)us減小到500ns？什么道理？
作者: 歐陽云天    時(shí)間: 2025-4-19 23:11
WL0123 發(fā)表于 2025-4-16 21:11
D1就是蛇足，任何典型圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路沒見過此用法。

D1是個(gè)有用的元件，推挽電路這邊的電壓高，萬一損壞的時(shí)候可以防止電壓倒灌進(jìn)入MCU造成損壞，這種設(shè)計(jì)在電磁爐電路里面也有
作者: qinlu123    時(shí)間: 2025-4-24 09:32
xiaobendan001 發(fā)表于 2025-4-17 19:12
那么原理呢？科普一下唄

我猜，三極管基極寄生電容存的電可以通過二極管從集電極釋放掉，沒有這個(gè)二極管只能從R1釋放掉
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-24 12:22
xiaobendan001 發(fā)表于 2025-4-17 19:12
那么原理呢？科普一下唄

看到不少人仍有疑問，統(tǒng)一回復(fù)這里：

抗飽和是三極管應(yīng)用最基本的技術(shù)之一。

三極管從深度飽和退出緩慢的原因

電荷存儲(chǔ)效應(yīng)
  在深度飽和時(shí)，基區(qū)會(huì)積累過量的少數(shù)載流子（NPN管為電子，PNP管為空穴）。
  集電結(jié)正偏導(dǎo)致集電區(qū)也會(huì)注入大量少數(shù)載流子（NPN管集電區(qū)的空穴）。
  這些存儲(chǔ)電荷形成"超量存儲(chǔ)電荷"，需要更長的關(guān)閉時(shí)間來清除。

深度飽和時(shí)VCE電壓過低，出現(xiàn)雙結(jié)正偏效應(yīng)，導(dǎo)致：
  集電結(jié)耗盡層電容處于最大充電狀態(tài)。
  發(fā)射結(jié)電容也完全充電。
  這些電容在退出時(shí)需要重新建立耗盡層，延遲電壓恢復(fù)。

復(fù)合過程限制
  截止時(shí)存儲(chǔ)電荷主要通過兩種方式消散：
  (1) 基極反向電流抽走（主導(dǎo)作用），較小的基極電阻可以加快截止，但會(huì)加重驅(qū)動(dòng)負(fù)擔(dān)。
  (2) 載流子本征復(fù)合（速度較慢）
  深度飽和時(shí)PN結(jié)電荷極大，即便有強(qiáng)反向驅(qū)動(dòng)電流，完全清除仍需較長時(shí)間。

要提高速度，PN結(jié)不要進(jìn)入反偏，減小PN結(jié)充電電荷，使三極管不進(jìn)入深度飽和是最簡(jiǎn)單有效的措施。
有多種抗飽和的電路，有興趣的朋友可以自行去搜索，我大學(xué)時(shí)的模電課本（80年代版本）就有提及。
最簡(jiǎn)單的抗飽和電路就是使用抗飽和二極管，讓三極管的VCE保持在0.5~0.8V左右，而只用一個(gè)肖特基二極管，可以令VCE在0.3V左右，雖然效果比VCE=0.5~0.8V稍差，但電路簡(jiǎn)單，零件少，成本低，工程上可以接受。

有人用虛擬軟件仿真說沒有效果，因?yàn)槲也挥梅抡�，所以不知道，建議實(shí)際搭電路測(cè)試，使用雙蹤數(shù)字示波器觀察，最小采樣1GHz，最小模擬帶寬50MHz，示波器探頭一定要使用x10檔。下面給一個(gè)結(jié)果參考。測(cè)試時(shí)VCC=5V。



作者: Y_G_G    時(shí)間: 2025-4-24 13:03
hhh402 發(fā)表于 2025-4-18 16:46
仿真看不出來

我的仿真電路是看得出來的,加了二極管是300nS左右關(guān)斷,不加二極管的是660nS左右關(guān)斷
但是,這個(gè)在無刷驅(qū)動(dòng)中并沒有什么用,電感電流不能突變,最初的電流并不會(huì)太大,所以,也幾乎看不到有人用這個(gè)電路的,不知道有這個(gè)電路存在也是正常的
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 10:19
用參數(shù)接近的三極管作測(cè)試，BC817頻率100M，比8050的150M還小些，仿真看下圖： 這是正弦波驅(qū)動(dòng)
這是方波驅(qū)動(dòng)

作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 11:57
之前示波器時(shí)間調(diào)大了，不用發(fā)表，看新的。
方波，可見并聯(lián)二極管反而時(shí)間多了。

正弦波

作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 13:48
再補(bǔ)充一張上升圖片，這才是并聯(lián)二極管帶來的變長影響曲線。
至于正弦波的那個(gè)圖，要品品。
作者: Y_G_G    時(shí)間: 2025-4-25 14:59
xianfajushi 發(fā)表于 2025-4-25 13:48
再補(bǔ)充一張上升圖片，這才是并聯(lián)二極管帶來的變長影響曲線。
至于正弦波的那個(gè)圖，要品品。

品品什么?加了二極管開關(guān)速度就是快了呀,這還要品什么
你的仿真就是錯(cuò)的,加了二極管開關(guān)就是快了,不是慢了對(duì)比一下我的電路,再看一下你的電路,看一下區(qū)別在哪里
這是64KHZ的仿真結(jié)果,加了二極管就是快了,不是慢了


作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 17:12
Y_G_G 發(fā)表于 2025-4-25 14:59
品品什么?加了二極管開關(guān)速度就是快了呀,這還要品什么
你的仿真就是錯(cuò)的,加了二極管開關(guān)就是快了,不是慢 ...

那就調(diào)到64千赫，150M的管子對(duì)于千赫信號(hào)。后級(jí)不管，就論并聯(lián)二級(jí)管的這個(gè)三極管，哪里不同？不就是一個(gè)并聯(lián)二極管，一個(gè)不并聯(lián)二極管？


作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 17:21
不要心浮氣躁，看我說的，要測(cè)試就要拿參數(shù)相近的管子，低頻管子能用在高頻電路？
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 17:24
從理論上并聯(lián)也只能是增加結(jié)電容和結(jié)電荷區(qū)，速度自然也會(huì)有影響，變快的理論不成立。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-25 17:47
xianfajushi 發(fā)表于 2025-4-16 22:36
不僅D1多余Q8Q9更是多余，這充分體現(xiàn)了設(shè)計(jì)水平。

你這說法，充分說明你沒有實(shí)際做過這種驅(qū)動(dòng)電路。
D1用于加速三極管截止速度，否則，你將會(huì)有幾個(gè)us的延時(shí)，而PWM周期一般就是20~50us。
PWM加到上管，一般PWM頻率為20~40KHz，MOSFET的等效輸入電容比較大，VGS充電到10V或從10V放電到0V的電量超過50nC，假設(shè)只用一個(gè)1K上拉電阻放電，中點(diǎn)電壓為5V，則平均電流為5mA，根據(jù)Q=I*t，放電50nC需要t=10us，使用兩個(gè)三極管來快速充放電，可以達(dá)到500ns的速度。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 18:59
coody_sz 發(fā)表于 2025-4-25 17:47
你這說法，充分說明你沒有實(shí)際做過這種驅(qū)動(dòng)電路。
D1用于加速三極管截止速度，否則，你將會(huì)有幾個(gè)us的延 ...

推斷正確，確實(shí)沒實(shí)際設(shè)計(jì)過，現(xiàn)在是紙上談兵，說不定將來會(huì)涉及到。
充放電理論也站得住，但就并聯(lián)二極管來說，理論在上面已經(jīng)說過，提高速度理論得不到支持的。
至于將來設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)選用管子類型，可能也不會(huì)選場(chǎng)效應(yīng)管，或許選高頻大功率場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-25 19:25
然而要使得后面管子速度快，也不應(yīng)該并聯(lián)二極管，除非有特別理由以及理論支持。
仿真就不說了，大家都有仿真軟件，都可以做，也不是一言堂，不如搭建電路示波器說話，并配合理論支持，論壇嘛，討論還是有益的。
印象中場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)電容應(yīng)該很小。
‌場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的結(jié)電容主要包括輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss，其具體數(shù)值取決于MOS管的規(guī)格和設(shè)計(jì)。‌
結(jié)電容的定義和影響因素
‌輸入電容Ciss‌：包括柵源電容Cgs和柵漏電容Cgd，其值通常在幾皮法拉（pF）到幾十皮法拉（pF）之間。例如，Ciss = Cgs + Cgd‌
‌輸出電容Coss‌：漏源電容Cds，其值一般在幾皮法拉到幾十皮法拉之間‌
‌反向傳輸電容Crss‌：柵漏電容Cgd，其值也較小，通常在幾皮法拉到幾十皮法拉之間‌
如果是上述同1K電阻則頻率應(yīng)該是在兆赫茲范圍。
作者: Y_G_G    時(shí)間: 2025-4-26 09:36
xianfajushi 發(fā)表于 2025-4-25 17:12
那就調(diào)到64千赫，150M的管子對(duì)于千赫信號(hào)。后級(jí)不管，就論并聯(lián)二級(jí)管的這個(gè)三極管，哪里不同？不就是一個(gè) ...

這種電路叫抗飽和電路,是電路知識(shí)中的一種,理論依據(jù)什么的就不要去糾結(jié)了,你不知道是因?yàn)檫@種電路并不像恒流或者放大那樣常用,早期高速數(shù)字電路中就有這種應(yīng)用
至于150MHZ對(duì)64KHZ,不要有這種管子隨便能應(yīng)付得過來的想法,你先去復(fù)習(xí)一下共發(fā)射極放大電路的頻率特性再說
至于電路有什么不同,你的電路跟我的電路明顯就不一樣的呀,包括信號(hào)源,工作電壓,三極管連接方式,根本就是兩個(gè)電路呀
那你為什么不完全按照我的電路去試一下呢?反正你也有這個(gè)仿真軟件,你也能看到我的仿真結(jié)果呀
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-26 13:51
xianfajushi 發(fā)表于 2025-4-25 19:25
然而要使得后面管子速度快，也不應(yīng)該并聯(lián)二極管，除非有特別理由以及理論支持。
仿真就不說了，大家都有仿 ...

大功率的MOSFET的輸入電容可以到nF級(jí)別，實(shí)際計(jì)算要看Total Charge的庫倫量，比如AOD403的VGS=10V時(shí)Total Charge為51nF，簡(jiǎn)單線性計(jì)算，恒流驅(qū)動(dòng)，如果要求0.1us就充放電完畢（這是很常用的速度），則要求充放電電流=51*10^-9 / 10^-7 = 0.51A，這就是為什么那些驅(qū)動(dòng)芯片大部分都能提供0.2~2A的驅(qū)動(dòng)電流的原因。下面是我常用的驅(qū)動(dòng)芯片EG2104的驅(qū)動(dòng)電流參數(shù)，死區(qū)100ns，充電2A，放電2.5A。


作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-26 14:40
coody_sz 發(fā)表于 2025-4-26 13:51
大功率的MOSFET的輸入電容可以到nF級(jí)別，實(shí)際計(jì)算要看Total Charge的庫倫量，比如AOD403的VGS=10V時(shí)Total ...

場(chǎng)效應(yīng)管目前還沒有研究，等手頭有示波器，搭建電路一定能觀察到。
作者: rundstedt    時(shí)間: 2025-4-26 17:34
就是防止三極管進(jìn)入深飽和狀態(tài)的，當(dāng)Q7 Vce低于0.5V，因?yàn)镾BD D1的正向電壓0.2V，而Q7 Vbe是標(biāo)準(zhǔn)的0.7V二極管正向電壓，此時(shí)Q7的b極電流就從ce漏掉了，永遠(yuǎn)無法進(jìn)入Vce小于0.3V的深飽和狀態(tài)，那么管子從飽和恢復(fù)回來的速度會(huì)非�？��！稊�(shù)字電路》這本教材現(xiàn)在不講74系列進(jìn)化到74LS系列的往事了嗎？
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-26 17:54
Y_G_G 發(fā)表于 2025-4-26 09:36
這種電路叫抗飽和電路,是電路知識(shí)中的一種,理論依據(jù)什么的就不要去糾結(jié)了,你不知道是因?yàn)檫@種電路并不像 ...

不用糾結(jié)？這不是提問者意愿，也不是論壇意愿，不是圍觀意愿，也不是參與者的意愿，大家都想弄明白，學(xué)些東西，對(duì)不。現(xiàn)在已經(jīng)明白了些電路設(shè)計(jì)意圖了，相信所有參與者多少有些收獲。
那我就來說網(wǎng)絡(luò)找到的資料，說是肖特基壓降0.4低于三極管0.2，因此，先導(dǎo)通參與三極管電流，從而使得三極管集電極處于非深度飽和狀態(tài)，為快速恢復(fù)爭(zhēng)取到時(shí)間。
然而總觀整個(gè)波形，爭(zhēng)取那么點(diǎn)時(shí)間對(duì)整體波形時(shí)間來說不過杯水車薪，意義何在？對(duì)電機(jī)或元件意義何在？
電機(jī)對(duì)陡直加電，斷電意義何在？
都知道電感特性，也知道交流電中的電機(jī)并不需要陡直波形，況且這一丁點(diǎn)陡直在這個(gè)脈沖波形來看算的什么？
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-27 11:05
仿真畢竟是仿真，不能表示示波器，修改了還是一樣。


依然看不出加速跡線


使用場(chǎng)效應(yīng)管確實(shí)有結(jié)電容充電的影響，選用場(chǎng)效應(yīng)管有比三極管幾個(gè)優(yōu)勢(shì)？
可以肯定的是使用三極管確實(shí)可以加速充電


作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-27 18:05
rundstedt 發(fā)表于 2025-4-26 17:34
就是防止三極管進(jìn)入深飽和狀態(tài)的，當(dāng)Q7 Vce低于0.5V，因?yàn)镾BD D1的正向電壓0.2V，而Q7 Vbe是標(biāo)準(zhǔn)的0.7V二極 ...

我估計(jì)都簡(jiǎn)化了吧，只有我們這些上年紀(jì)的老電工都還記得這些最基礎(chǔ)的技術(shù)。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2025-4-27 18:08
xianfajushi 發(fā)表于 2025-4-26 17:54
不用糾結(jié)？這不是提問者意愿，也不是論壇意愿，不是圍觀意愿，也不是參與者的意愿，大家都想弄明白，學(xué)些 ...

如果沒有抗飽和電路，三極管截止會(huì)延時(shí)達(dá)到2us以上，而上下臂死區(qū)小于1us的話，就有燒管的危險(xiǎn)，怎能說沒有意義呢？做電機(jī)驅(qū)動(dòng)的，燒管的很多。
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-28 10:44
coody_sz 發(fā)表于 2025-4-27 18:08
如果沒有抗飽和電路，三極管截止會(huì)延時(shí)達(dá)到2us以上，而上下臂死區(qū)小于1us的話，就有燒管的危險(xiǎn)，怎能說沒 ...

答復(fù)的好，相信提問者，圍觀者，參與者，都能明白其道理。
仿真，我這里只得到相反的觀察波形，當(dāng)然不能與實(shí)際相比。
作者: Y_G_G    時(shí)間: 2025-4-28 13:13
xianfajushi 發(fā)表于 2025-4-26 17:54
不用糾結(jié)？這不是提問者意愿，也不是論壇意愿，不是圍觀意愿，也不是參與者的意愿，大家都想弄明白，學(xué)些 ...

1,你仿真的電路依然是不對(duì)的,很顯然,你不太懂得用這個(gè)仿真軟件
2,仿真結(jié)果確實(shí)只是參考而已,這不代表實(shí)際電路有同樣的效果
3,這是一個(gè)數(shù)字電路內(nèi)部的基礎(chǔ)知識(shí),不要用網(wǎng)上查到的東西來作為正確的答案來反駁
74LS系列就是加入了肖特基的誕生,你可以去看一下74LS07的規(guī)格書來驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用
至于它能帶來的加速效果,我在前面已經(jīng)說了呀,是沒什么用的,對(duì)于電感沒多大意義
但不妨礙這個(gè)二極管具有"可以加快關(guān)斷速度,提高開關(guān)速度"的作用
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2025-4-28 14:23
Y_G_G 發(fā)表于 2025-4-28 13:13
1,你仿真的電路依然是不對(duì)的,很顯然,你不太懂得用這個(gè)仿真軟件
2,仿真結(jié)果確實(shí)只是參考而已,這不代表實(shí) ...

算了，對(duì)于網(wǎng)絡(luò)上能找到的資料也表示懷疑，假如說是由于電壓比較低引起的三極管集電極被鉗位，那么，用PNP不是更低了？然而，仿真曲線并未證實(shí)。
橋電路也看過幾款，有人自稱一個(gè)電路穩(wěn)穩(wěn)工作幾十年沒出過事的，純?nèi)龢O管電路。
不要勉強(qiáng)用你選的三極管仿真模型，三極管模型多了。
數(shù)字電路要求信號(hào)上升下降陡直這很容易理解。
橋臂要求減少交越時(shí)間這也有理，那是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管特性采取的措施，而三極管可以說基本同信號(hào)保持一致，前級(jí)特定場(chǎng)合可以采用恒流阻抗。



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