<2008-9-12> 另外，每次重新啟動H-JTAG和H-Flash后，都要將H-Flash重新設一遍。
3、 現(xiàn)象：在調(diào)試GB_Disp工程時，程序無法正常運行。
分析：當調(diào)試的程序中包含中斷時，分散加載文件“mem_*.scf”的“IRAM ”項設置不能從0x40000000開始，而應該從0x40000040開始（給中斷向量留下空間），否則程序無法調(diào)試。（先是在選用RelOutChip出現(xiàn)這種情況，后選用DebugInExram也出現(xiàn)這種情況。）
< 2008-9-12 htwang注: 上面的解釋并不正確，因為在調(diào)試其他中斷實驗的過程中，配置文件“mem_*.scf”的“IRAM ”項設置成從0x40000000開始也可以正常運行。（估計可能是存儲器映射的問題）
打開GB_Disp工程“target.c”文件，果然發(fā)現(xiàn)在函數(shù)“void TargetResetInit(void)”中將存儲器映射寄存器初始化成“MEMMAP ＝ 0x2”，這是選用的用戶RAM模式，中斷向量也從靜態(tài)RAM重新映射。如果想映射到用戶外部存儲器模式，應該改為“MEMMAP ＝ 0x3”（見《ARM嵌入式系統(tǒng)基礎教程》P166 或《****ARM7—LPC2200》P119）。按此方式更改后，實際調(diào)試也正常。
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（2008-9-12）結論：要么把該工程文件 “mem_bscf” 中的“IRAM ”項改成從0x40000040開始；要么把該工程文件“target.c”中的存儲器映射初始化為“MEMMAP ＝ 0x3”。
4、在調(diào)試中斷程序時，如果使用IRQ.S中的匯編宏定義程序和“IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3”代替原來的C語言函數(shù)中斷方式（當然同時將代碼“VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3;”改為“VICVectAddr0 = (uint32)IRQ_Eint3_Handler; ”），則應將C語言中斷函數(shù) “void __irq IRQ_Eint3(void)”改寫成“void IRQ_Eint3(void)”。
否則調(diào)試是出現(xiàn)的情況就是程序在“IRQ_Eint3_Handler HANDLER IRQ_Eint3”和中斷函數(shù)“void __irq IRQ_Eint3(void){}”里面反復執(zhí)行，再也退不出來。
2008-9-12 調(diào)試“SmartARM2200 V2.02實驗箱”心得：
5、現(xiàn)象：在自己編寫定時器中斷程序時，如果自己用工程模板“ARM Executable Image for lpc2200”建立工程并編寫中斷程序后，調(diào)試過程中總是不能進入中斷，但是用定時中斷的事例程序可以進入。
原因：經(jīng)將自己建立的模板工程文件中的“Startup.s”文件和事例程序中的比較，發(fā)現(xiàn)在模板工程的“Startup.s”文件中的堆棧初始化代碼“InitStack …”中有一行語句為：
;設置系統(tǒng)模式堆棧
MSR CPSR_c, #0xdf
LDR SP, =StackUsr
這就將IRQ和FIQ都禁止了，需要將“MSR CPSR_c, #0xdf”改為“MSR CPSR_c, #0x5f”來打開IRQ中斷才行。
6、現(xiàn)象：用C語言編寫中斷函數(shù)時，如void __irq Timer0Int(void){ }，該中斷函數(shù)必須放在主函數(shù)main()的上方，否則編譯時會出現(xiàn)錯誤（因為主函數(shù)需要調(diào)用語句“VICVectAddr0 = (uint32)Timer0Int;”）：
1）Error: (Serious) C2933E: type disagreement for “Timer0Int”
2) Error: C2456E: undeclared name, inventing ‘extern int Timer0Int’
解決方法：在主函數(shù)前面加上聲明“void __irq Timer0Int(void);”（ZLG李工），此時編譯應該不會再出現(xiàn)上述的問題，但如果此時Debug運行時不正常，需在ADS1.2(編程軟件)執(zhí)行操作“Project -> Remove Object Code… ”后，再重新編譯調(diào)試。
如果把C語言編寫的中斷函數(shù)放到其他文件中，也是類似的處理方法，如：“extern void __irq Timer0Int(void);”
7、在ADS軟件中int類型占用4個字節(jié)的空間。
8、ALIGN=2 ，即定義2的n次冪對齊方式（梅工（程宇））。（見ARM指令集ARM_zhiling.pdf）
9、SvcStackSpace SPACE SVC_STACK_LEGTH * 4； 其中的SPACE為字節(jié)空間定義（梅工（程宇）），并用0對之進行初始化。（見ARM指令集ARM_zhiling.pdf）
10、要想看到所有文件（函數(shù)）對FLASH和RAM的使用情況，在編譯選項設置->ARM Linker -> Listings -> Listings的“Image map”和“Symbols”前面的復選框選中，編譯后即可輸出想要的詳細信息（梅工（程宇））。
11、實驗箱上的ZLG7290芯片由于內(nèi)部鍵盤處理程序沒有去抖動和防連擊處理，所以用起來不太好用。（據(jù)說ZLG7290芯片只是ZLG用一款單片機寫了軟件貼了個商標）
2008-9-16 調(diào)試“SmartARM2200 V2.02實驗箱”心得：
12、中斷使能寄存器VICVectEnable寫入1，對應通道的中斷使能；寫入0，無效。如指令：
VICIntEnable = 1 << 6;
VICIntEnable = 1 << 4;
指令這兩條指令之后，通道6和通道4都被中斷使能。
（課本《****ARM7--LPC2200》的P164有詳細說明）
13、在任務Task定義的局部變量與定義的靜態(tài)局部變量功能等同，因為任務不可能返回，只能被中斷(大部分是定時中斷，也可能是其他中斷)所打斷，這時中斷會保存相應的現(xiàn)場。（自我理解，沒有看到相關資料上如此解釋）
14、用typedef定義的結構體不能多次用#include 包含，否則會出現(xiàn)錯誤：
Error：(Serious) C2930E: duplicate definition of ‘ ***’
<2008-9-16 htwang注：上述結論并不正確，出現(xiàn)這種情況是因為一個有typedef的頭文件在同一個文件中include包含了兩次。
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2008-9-17 調(diào)試“SmartARM2200 V2.02實驗箱”心得：
15、因為任務創(chuàng)建成功后OSTaskCreate（）即進行任務的調(diào)度OS_Sched()，因而與此相關的事件創(chuàng)建（如消息郵箱）程序要放在先創(chuàng)建的任務中，而不是放在即將創(chuàng)建的高優(yōu)先級任務中。
<2008-9-17 htwang注：上述結論不正確，因為任務創(chuàng)建后并不會馬上運行，它創(chuàng)建后的切換操作總是會切換到最高優(yōu)先級的任務運行，而一般我們都是用高優(yōu)先級的任務進行所有低優(yōu)先級任務的創(chuàng)建，因此任務仍然會返回起始任務繼續(xù)創(chuàng)建其它任務。所以與此相關的事件創(chuàng)建（如消息郵箱）程序必須要放在相關的即將創(chuàng)建的高優(yōu)先級任務中。
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16、現(xiàn)象：在使用消息郵箱進行工程“E:\htwang\uCOS_Homework\uCOS_Homework”調(diào)試時，發(fā)現(xiàn)消息郵箱的指針DispMbox總是被不正常修改（因此程序也就不能正常運行）。
檢查調(diào)試：經(jīng)反復檢查調(diào)試，發(fā)現(xiàn)在一個任務中使用了一個100字節(jié)的字符數(shù)組，而給這個任務分配的堆棧長度只有64個字節(jié)，分析應該是由于堆棧溢出造成的上述現(xiàn)象。于是把該任務的堆棧長度分配為256個字節(jié)，不正常現(xiàn)象消失。
17、在調(diào)液晶顯示程序時，液晶顯示速率非常慢，經(jīng)查是由于uC/OS II工程模板的Startup.s文件中的總線速率配置太慢。原值為：
;IDCY = 0x0f(最大值), WST1 = 0x1f(最大值), WST2=0x1f(最大值)
;RBLE=1(字節(jié)選擇有效),MW=1(16位寬總線)
LDR R0, =BCFG0
LDR R1, =0x1000ffef
STR R1, [R0]
;IDCY = 0x0f(最大值), WST1 = 0x1f(最大值), WST2=0x1f(最大值)
;RBLE=1(字節(jié)選擇有效),MW=1(16位寬總線)
LDR R0, =BCFG1
LDR R1, =0x1000ffef
STR R1, [R0]
;IDCY = 0x0f(最大值), WST1 = 0x1f(最大值), WST2=0x1f(最大值)
;RBLE=1(字節(jié)選擇有效),MW=2(32位寬總線)
; LDR R0, =BCFG2
; LDR R1, =0x2000ffef
; STR R1, [R0]
;IDCY = 0x0f(最大值), WST1 = 0x1f(最大值), WST2=0x1f(最大值)
;RBLE=1(字節(jié)選擇有效),MW=2(32位寬總線)
; LDR R0, =BCFG3
; LDR R1, =0x2000ffef
; STR R1, [R0]
修改后的總線配置為：
; 定義總線速度控制字
BCFG_DEF EQU 0x10000400
IDCY EQU (0x00<<0)
WST1 EQU (0x01<<5)
WST2 EQU (0x01<<11)
BCFG3_SET EQU (BCFG_DEF | IDCY | WST1 | WST2)
IDCYFS EQU (0x01<<0)
WST1FS EQU (0x03<<5)
WST2FS EQU (0x03<<11)
BCFG_FS EQU (BCFG_DEF | IDCYFS | WST1FS | WST2FS)
LDR R0, =BCFG0
LDR R1, =BCFG_FS
STR R1, [R0]
LDR R0, =BCFG1
LDR R1, =BCFG_FS
STR R1, [R0]
LDR R0, =BCFG2
LDR R1, =0x1000ffef
STR R1, [R0]
LDR R0, =BCFG3
LDR R1, =BCFG3_SET
STR R1, [R0]
分析：由于液晶接在CS3，而CS3的總線配置在uC/OS II工程模板的Startup.s文件中被分號所屏蔽，所以其值為默認值（最大延時）。把有關CS3的屏蔽去掉，也應該能加快液晶顯示速度。
結論：經(jīng)實際調(diào)試，把uC/OS II工程模板的Startup.s文件中有關CS3的總線配置屏蔽去掉并不能正常進行液晶顯示，因為原值為配置的32位總線寬度（見上面程序中后加的注釋分析），原總線類型配置值與液晶不匹配，必須要進行修改。
2008-09-19調(diào)試“E:\htwang\uCOS_Homework2”目錄下的工程心得：
18、互斥信號量是對共享資源的獨占，最好一次使用完必須立即釋放。如果不想一次使用完就釋放（需要該共享資源使用一段時間或好幾次循環(huán)），那么在另一個任務中對共享資源的請求當然可以采用OSMutexPend(RTCModifyMutex,0,&err) 的方法，但只需要該任務如果得不到共享資源就不能執(zhí)行其他操作；如果任務在得不到共享資源的情況下仍然需要執(zhí)行其他必須的操作，那么用if（OSMutexAccept(RTCModifyMutex,&err)）的方法請求互斥信號量是一個很好的選擇。
19、信號量發(fā)送（包括互斥信號量）沒有廣播發(fā)送的方式，信號量集也沒有；只有消息和消息隊列有廣播發(fā)送的方式。
20、為什么在所有軟中斷和IRQ中斷只保存了R0-R3和R12，其他的R4-R11為何沒有保存？（見《嵌入式實時操作系統(tǒng)uC/OS-II 原理及應用》的P220）
（2008-9-19 趙永科答）查看一個C語言函數(shù)編寫的反匯編代碼，如果使用了太多的局部變量等，C語言函數(shù)會在程序開始部分自動把R4-R11保存起來（不是全部，用到多少保存多少），如：
STMFD r13!,{r4-r11,r14} (其中一個C函數(shù)頭部的反匯編)
stmfd r13!,{r1-r11,r14} (其中一個C函數(shù)頭部的反匯編)
stmfd r13!,{r3-r7,r14} (其中一個C函數(shù)頭部的反匯編)
所以IRQ中斷只保存了R0-R3和R12）。
<htwang注：在編譯階段的所有C語言函數(shù)里，函數(shù)會在開頭自動把R4-R11都保存起來，如：STMFD r13!,{r4-r11,r14} (編譯階段其中一個C函數(shù)頭部的反匯編)
而在調(diào)試階段的所有C語言函數(shù)里，函數(shù)會在開頭自動把R4-R11中用到的變量智能自動保存起來，如：
stmfd r13!,{r1-r11,r14} (調(diào)試階段其中一個C函數(shù)頭部的反匯編)
stmfd r13!,{r3-r7,r14} (調(diào)試階段其中一個C函數(shù)頭部的反匯編)
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2008-09-20調(diào)試“E:\htwang\uCOS_Homework3”目錄下的工程心得：
21、使用內(nèi)存分區(qū)時，每“一組”數(shù)據(jù)都要申請一個內(nèi)存塊。（不是每一個數(shù)據(jù)，存放每一個數(shù)據(jù)只需把申請到的對應的指針加1就行）
22、在調(diào)試“E:\htwang\uCOS_Homework3”目錄下的工程時：如果分配AD數(shù)據(jù)采樣任務TaskSamp的優(yōu)先級大于顯示任務TaskDisp的優(yōu)先級時，當AD數(shù)據(jù)采樣任務TaskSamp中在開始沒有延時（如OSTimeDly(1);）程序總會出現(xiàn)預取指中止；但當設置AD數(shù)據(jù)采樣任務TaskSamp的優(yōu)先級小于顯示任務TaskDisp的優(yōu)先級時，即使沒有延時OSTimeDly(1)程序也能運行。不知是什么原因。
經(jīng)反復檢查調(diào)試，發(fā)現(xiàn)給AD數(shù)據(jù)采樣任務TaskSamp分配的堆棧太小（只有64個字節(jié)），當把該任務堆棧大小改為256個字節(jié)時，各種情況下調(diào)試都很正常。
分析得出：當給任務分配的堆�？臻g太小，在堆棧使用溢出后，會占用其他任務的堆�？臻g。因此程序就會出現(xiàn)不可預料的結果。
（堆棧分配太小還可能出現(xiàn)的情況，如本調(diào)試心得第15條）
2008-09-22調(diào)試“E:\htwang\uCOS_Homework3”目錄下的工程心得：
23、像程序中的函數(shù)“OSTimeDly(OS_TICKS_PER_SEC * 5); //每5s采樣一次” (配置頭文件中定義：#define OS_TICKS_PER_SEC 200) ，其參數(shù)并不需要人工強制類型轉換，如“OSTimeDly((uint16)OS_TICKS_PER_SEC * 5);”調(diào)試階段的反匯編會自動將它們算好作為一個常量處理，如下面的實際反匯編：
[0xe3a00ffa] mov r0,#0x3e8 ；OS_TICKS_PER_SEC * 5 =200*5 =1000=0x3e8
[0xebffff4e] bl OSTimeDly
24、創(chuàng)建動態(tài)內(nèi)存分區(qū)時“OS_MEM *OSMemCreate (void *addr, INT32U nblks, INT32U blksize, INT8U *err)”，需注意：
1）、必須要指向一個具體的二維數(shù)組，如“uint8 ADCDataPart[10][100];”即addr不能為空；
2）、每個內(nèi)存分區(qū)的塊數(shù)必須不能小于2，即nblks >= 2；
3）、每個塊的大小必須至少能夠放下一個4字節(jié)的指針（void *），即blksize >= sizeof(void *)；
<htwang注：也就是說每個塊有4個字節(jié)的空間被指針所用。即如果你定義了100個字節(jié)的塊空間大小，只能使用96個字節(jié)。這樣看來在《基于嵌入式實時操作系統(tǒng)的程序設計技術》的P130-P133的例程L8-7出現(xiàn)錯誤。
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2008-09-22注：經(jīng)ZLG梅工（程宇）多方確認：原來的程序沒有錯誤。這個需要將OSMemCreate（）、void *OSMemGet（OS_MEM *pmem, INT8U *err）和INT8U OSMemPut（OS_MEM *pmem, void *pblk）三個函數(shù)聯(lián)系起來看。
在OSMemGet（）中，總是將指針OSMemFreeList指向下一個未用的空間，這樣申請到的塊中的所有空間（包括4個字節(jié)的指針空間）可以一起使用。原來申請到使用的塊的指針空間會在OSM emPut（）中恢復。
在OSMemPut（）中會把在OSMemGet（）中申請到的指針（指向該塊的首址）重新建立一個指向下一個塊（原OSMemFreeList指向的單元）的指針。
具體請看這3個函數(shù)的源代碼。
25、對按鍵的延時去抖和防連擊處理。參考了《基于嵌入式實時操作系統(tǒng)的程序設計技術》P163的按鍵處理例程。
26、（2008-9-23）在使用LPC2000系列ARM的AD轉換部件時發(fā)現(xiàn)：每個通道在進行AD轉換時，第1次采樣和第2次采樣有較大的誤差；而第3次采樣又和第1次一樣，第4次采樣和第2次一樣…
如：1994mV，2036mV，1994mV，2036mV…
因此，每次都應對同一個通道采樣兩次，然后舍棄前一個值。見《基于嵌入式實時操作系統(tǒng)的程序設計技術》P132的AD采樣例程