//--------------------------------------------------------
//FLASH字節(jié)寫程序
//功能: 寫一個字節(jié)到內(nèi)部FLASH
//入口: EEADRH,EEADR =地址
// EEDATH,EEDATA =數(shù)據(jù)
//--------------------------------------------------------
void write_flash ( void )
{
EEPGD = 1 ;      //設(shè)置訪問目標(biāo)為FLASH
WREN = 1 ;     //允許進行寫操作
GIE = 0 ;        //禁止中斷
EECON2 = 0x55 ;
EECON2 = 0xAA ;
WR = 1 ;         //啟動一次寫操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;
GIE = 1 ;        //使能中斷
WREN = 0 ;     //關(guān)閉寫操作
}

//--------------------------------------------------------
//FLASH字節(jié)讀程序
//功能: 從內(nèi)部FLASH讀一個字節(jié)
//入口: EEADRH,EEADR =地址
//出口: EEDATH,EEDATA =數(shù)據(jù)
//--------------------------------------------------------
void read_flash( void )
{
EEPGD = 1 ;      //設(shè)置訪問目標(biāo)為FLASH
RD = 1 ;        //啟動一次讀操作
asm ("nop") ;
asm ("nop") ;

}

2.方法二：

void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)        //寫EEPROM
   {
    do{;}
    while(WR==1);                        //上一次寫操作是否完成
    EEADR=addr;                            //EEPROM地址
    EEDATA=data;                        //準(zhǔn)備寫入EEPROM的數(shù)據(jù)
    EEPGD=0;                            //指向EEPROM數(shù)據(jù)儲存器
    WREN=1;                                //使能寫操作
    EECON2=0x55;                        //設(shè)置通用參數(shù)
    EECON2=0xAA;                        //設(shè)置通用參數(shù)
    WR=1;                                //開始寫
    do{;}
    while(WR==1);                        //等待寫操作完成
    WREN=0;                                //禁止寫操作
   }
//
unsigned char ReadEE(unsigned char addr)                //讀EEPROM
   {
    unsigned char num;
    do{;}
    while(RD==1);                        //上一次讀操作是否完成
    EEADR=addr;                            //EEPROM地址為00H
    EEPGD=0;                            //指向EEPROM數(shù)據(jù)儲存器
    RD=1;                                //開始讀
    do{;}
    while(RD==1);                        //等待讀操作完成
    num=EEDATA;                            //讀出
    return(num);                        //返回讀出的數(shù)
   }

說明：兩個程序基本步驟是一致的。個中的差別是：

1、一程序中更嚴密，其中增加了對WR和RD標(biāo)志位的判別，缺點是實時性較差。

2、而二程序中沒有這個對WR和RD標(biāo)志位的判別。那是因二將該判別的動作放在了上級程序中。也就是說，二在調(diào)用write_eeprom 函數(shù)之前，會先行判斷WR。確信上次寫操作已經(jīng)結(jié)束后，才去調(diào)用新一次的寫操作。這樣做的目的是為了系統(tǒng)的實時性。

3.方法三：

PICC系統(tǒng)自帶“ PIC.H”文件中，已經(jīng)內(nèi)嵌了這兩個函數(shù)。！

以下是“ PIC.H”文件中的內(nèi)容：

/***********************************************************************/
/****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
/***********************************************************************/
/* NOTE WELL:

   The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
   write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear.  This is by
   design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
   desired.  To guarantee uncorrupted writes, use the function
   eeprom_read() or insert
while(WR)continue;
   before calling EEPROM_READ().
*/
#if EEPROM_SIZE > 0
#ifdef __FLASHTYPE
// macro versions of EEPROM write and read
#define EEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
#else // else doesn't write flash
#define EEPROM_WRITE(addr, value) \
do{ \
while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value); \
CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0; \
WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0; \
if(CARRY)GIE=1; \
}while(0)
#define EEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
#endif

/* library function versions */
extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
#endif // end EEPROM routines