作為行業(yè)中最大的鐵電隨機存儲器(Ferroelectric Random Access Memory)供應(yīng)商，富士通公司早在1998年就將鐵電隨機存儲器結(jié)合到微處理器中，并在1999年推出批量產(chǎn)品，均為行業(yè)之最。新一代的非易失性鐵電隨機存儲器在性能上超過現(xiàn)有的存儲器，比如電可擦除只讀存儲器（EEPROM）、電池后備供電靜態(tài)讀寫存儲器（BBSRAM）。鐵電隨機存儲器耗電更少，對于多次讀寫運算具有更高的耐受性。這一突破性存儲介質(zhì)正在各種應(yīng)用中使用，包括智能卡、無線射頻識別（RFID）和安全應(yīng)用。

鐵電隨機存儲器屬于非易失性存儲器，但在其它各方面則類似于隨機存儲器。因此，和其它類型的非易失性存儲器相比（如電可擦除只讀存儲器和閃存），它的特點是寫入速度更快，擦寫次數(shù)更多，同時耗電少。

富士通是最早創(chuàng)立嵌入式鐵電隨機存儲器制程的半導(dǎo)體制造商。富士通的鐵電隨機存儲器器件在巖手縣（Iwate）工廠生產(chǎn)，并獲得ISO9002 和ISO14001認證。

什么是鐵電隨機存儲器的材料？
鈣鈦礦類型結(jié)構(gòu)(ABO3)的PZT (Pb {ZrTi}O3)是鐵電隨機存儲器中使用的最常見的材料。在應(yīng)用和排除外電場后，PZT的電極化（ Zr/Ti 原子的上/下移動）仍然存在，從而帶來了非易失性的特質(zhì)。因此，數(shù)據(jù)存儲所消耗的電量非常小。

鐵電隨機存儲器和其它非易失性存儲器相比具有的優(yōu)勢

• 比電可擦除只讀存儲器（EEPROM）讀寫速度快30,000倍
• 比電可擦除只讀存儲器（EEPROM）擦寫次數(shù)高出100,000倍
• 比電可擦除只讀存儲器（EEPROM）的耗電少200倍
• 出眾的防干擾性能

深圳市華胄科技有限公司鐵電存儲器產(chǎn)品選型表

1、并口鐵電存儲器系列

產(chǎn)品名稱 容量 存儲結(jié)構(gòu) 類型 訪問時間 時鐘速度 工作電壓 工作溫度
MB85R256 256k 32k x 8 parallel 150ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R256H 256k 32k x 8 parallel 70ns - 2.7-3.6v -40 to 85°c
MB85R1001 1m 128k x 8 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R1002 1m 64k x 16 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R2001 2m 256k x 8 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c
MB85R2002 2m 128k x 16 parallel 100ns - 3.0-3.6v -40 to 85°c 

2、SPI鐵電存儲器

產(chǎn)品名稱 容量 存儲結(jié)構(gòu) 類型 訪問時間 時鐘速度 工作電壓 工作溫度 
MB85RS256 256k 32k x 8 spi - 15mhz 3.0-3.6v -20 to 85°c 
MB85RS64  64k    8k x 8  spi -  15mhz 3.0-3.6v -20 to 85°c 
MB85RS128 128k 16k x 8 spi - 15mhz 3.0-3.6v -20 to 85°c

3、IIC鐵電存儲器

產(chǎn)品名稱 容量 存儲結(jié)構(gòu) 類型 最大工作電流 最大讀寫頻率 封裝
MB85RC64   64K      8k x 8 iic 400uA 400kHz SOP8
MB85RC128 128K 16k x 8 iic 400uA 400kHz SOP8

4、帶鐵電的MCU
產(chǎn)品名稱 frequency band fram i/f modulation method
MB89R118B 13.56mhz 2kb iso 15693 ask 10%, ask 100%
MB89R119 13.56mhz 256b iso 15693 ask 10%, ask 100% 

還行吧。。。