NUC1xx全系列包含NUC100, NUC120, NUC130 及 NUC140等多個(gè)子系列。

NUC1xx 系列為32位單片機(jī)，內(nèi)建ARM® Cortex™-M0內(nèi)核，用于工業(yè)控制及相關(guān)需要豐富信號(hào)通訊界面的應(yīng)用場(chǎng)合。Cortex™-M0為ARM公司最新處理器內(nèi)核并擁有與傳統(tǒng)8051單片機(jī)之匹敵的價(jià)格。

NUC100 Cortex™-M0內(nèi)核系列最高可運(yùn)行至50MHz外部時(shí)鐘，內(nèi)建32K/64K/128K字節(jié)內(nèi)建Flash存儲(chǔ)器，4K/8K/16K字節(jié)內(nèi)建SRAM。并內(nèi)建有定時(shí)器，看門狗定時(shí)器，RTC，PDMA，UART，SPI/SSP，I2C, , I2S ,PWM定時(shí)器, GPIO, 12位ADC，模擬比較器，低電壓復(fù)位和欠壓檢測(cè)功能。

NUC120 Cortex™-M0內(nèi)核系列最高可運(yùn)行至50MHz外部時(shí)鐘，內(nèi)建2K/64K/128K字節(jié)內(nèi)建Flash存儲(chǔ)器，4K/8K/16K字節(jié)內(nèi)建SRAM。并內(nèi)建有定時(shí)器，看門狗定時(shí)器，RTC，PDMA，UART，SPI/SSP，I2C, PWM 定時(shí)器, GPIO, USB 2.0等模塊，12位ADC，模擬比較器，低電壓復(fù)位和欠壓檢測(cè)功能。

NUC130 Cortex™-M0內(nèi)核系列最高可運(yùn)行至50MHz外部時(shí)鐘，內(nèi)建32K/64K/128K字節(jié)內(nèi)建Flash存儲(chǔ)器，4K/8K/16K字節(jié)內(nèi)建SRAM。并內(nèi)建有定時(shí)器，看門狗定時(shí)器，RTC，PDMA，UART，SPI/SSP，I2C, PWM定時(shí)器, GPIO, LIN, CAN,12位ADC，模擬比較器，低電壓復(fù)位和欠壓檢測(cè)功能。

NUC140 Cortex™-M0內(nèi)核系列最高可運(yùn)行至50MHz外部時(shí)鐘，內(nèi)建32K/64K/128K字節(jié)內(nèi)建Flash存儲(chǔ)器，4K/8K/16K字節(jié)內(nèi)建SRAM。并內(nèi)建有定時(shí)器，看門狗定時(shí)器，RTC，PDMA，UART，SPI/SSP，I2C, PWM Timer, GPIO, LIN, CAN, USB 2.0模塊，12位ADC，模擬比較器，低電壓復(fù)位和欠壓檢測(cè)功能。

二、 系列產(chǎn)品

產(chǎn)品有分NUC100、NUC120、NUC130、NUC140等系列。其中NUC100系列產(chǎn)品又分中端與低端。區(qū)別主要如下幾點(diǎn)：

1、 NUC100低端系列不含PDMA，FLASH比較小（32-64K）RAM也較�。�4-8K），I/O最多為49最多二個(gè)串口，封裝為LQFP48-LQFP64；

2、 而中端系列FLASH為8-128K。RAM為8-16K，I/O最多為80，串口最多為3個(gè)；其它外設(shè)大同小異。封裝為LQFP48-LQFP64；

NUC120也同樣分低端與中端，主要區(qū)別如下：

1、NUC120低端：不含PDMA，FLASH比較小（32-64K）RAM也較�。�4-8K），I/O最多為49最多二個(gè)串口；封裝為LQFP48-LQFP64；

2、而中端系列FLASH為8-128K。RAM為8-16K，I/O最多為76，串口最多為3個(gè)；其它外設(shè)大同小異。封裝為LQFP48-LQFP100；

3、NUC120對(duì)比NUC100只是增加一個(gè)USB控制器，其它類似。

NUC130不分低中端，與100及120有如下差異：

1、FLASH為8-128K。RAM為8-16K，I/O最多為80，串口全部為3個(gè)；封裝為LQFP48-LQFP100；其它外設(shè)與上述產(chǎn)品類似

2、NUC130對(duì)比NUC120（或100），沒有USB控制器，但有一個(gè)CAN控制器和二個(gè)LIN控制。

NUC140為高端產(chǎn)品，對(duì)比上述各系列產(chǎn)品，有如下特色：

FLASH、RAM與UNC130相同；串口有2-3個(gè)，有USB控制器，還有一個(gè)CAN控制器和二個(gè)LIN控制。I/O最多為80，封裝為LQFP48-LQFP100；

三、 優(yōu)勢(shì)

1、 品牌優(yōu)勢(shì)

2、 價(jià)格便宜

3、 供電電壓范圍大：2、5~5、5V，CM3只能用3、3V；可省掉一個(gè)3、3V LDO

4、 cm0用1/3的芯片面積，達(dá)到了80%的cm3的性能。（理論上性能也僅80%）

5、 M0的功耗比M3的更低，在DEEP SLEEP下，只有幾個(gè)微安

6、 內(nèi)核在MCU整體功耗的比例只有不到1/4

7、 可用常用的編譯工具，MDK，IAR

四、 與CM3相比的劣勢(shì)：

五、 CM3有硬件除法，CM0沒有

1、 MO的IO最多只有80個(gè)，CM3可達(dá)112個(gè)。

2、 MO只能到50M，CM3可達(dá)到36-72M。

3、 M0指令集比M3的少，M0好像只有56條指令

4、 M0的中斷比M3的少

5、 MO：45MIPS ，CM3可達(dá)90MIPS。

6、 cm0：thumb指令集

v6架構(gòu)

馮諾依曼結(jié)構(gòu)

3級(jí)流水線

7、 cm3：thumb2指令集

v7架構(gòu)

哈佛結(jié)構(gòu)

3級(jí)流水+分支預(yù)測(cè)

8、 CM0是thumb指令集，不支持32位指令，CM3 支持THUMB與ARM 32位指令

9、 MO無DAC，CM3有12位DAC

10、RTC沒有單獨(dú)供電腳，使用時(shí)會(huì)相對(duì)麻煩一些。