進(jìn)入光伏逆變器行業(yè)有3個(gè)年頭,回想過去,想從可靠性設(shè)計(jì)這個(gè)角度談一下我對(duì)光伏逆變器的理解。
設(shè)計(jì)方案的可靠性選擇
500KW逆變器,就IGBT排布,就有很多選擇,每一種都有優(yōu)缺點(diǎn)。
總結(jié)起來分為四種,IGBT單個(gè)模塊,并聯(lián),逆變橋并聯(lián),混合并聯(lián)。
(1) 采用6個(gè)單管IGBT,型號(hào)為FZ2400R12HP4,經(jīng)過計(jì)算,每個(gè)IGBT損耗是1932W,總損耗是11592W,這種方式優(yōu)點(diǎn)是電路簡單,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方便,體積較少,功率密度大,電氣上不存在IGBT均流和逆變橋均流等問題,驅(qū)動(dòng)芯片只有3組;缺點(diǎn)是IGBT價(jià)格比較貴,熱源比較集中,如果散熱器的溫度不超過85°C,散熱器的熱阻為0.02K/W,要采用水冷散熱器或者加熱管的散熱器才能達(dá)到要求,成本比較高,只有一個(gè)電感和濾波電容,在低功率時(shí),THD比較大,總體發(fā)電量比較低。
(2)分為兩個(gè)250KW的逆變矩形并聯(lián),每一相只有一個(gè)功率器件,500K逆變器選用FF1400R12IP4,直流電經(jīng)過逆變,各自接一個(gè)LC濾波,交流接觸器,再匯流進(jìn)電網(wǎng),每一個(gè)逆變矩形可以單獨(dú)控制,當(dāng)輸入功率不足45%時(shí),可以關(guān)閉其中一個(gè),歐洲效率比較高,低載時(shí)THD比較小,整體發(fā)電量提高,在陰雨天太陽輻照度低時(shí)也能發(fā)電。
(3)是IGBT并聯(lián)方案,每一個(gè)橋臂用兩個(gè)IGBT并聯(lián),逆變器只用一組LC濾波器,這種方式總成本稍低,功率密度大,缺點(diǎn)是存在IGBT均流,在多個(gè)IGBT并聯(lián)使用時(shí),由于功率器件不一致,IGBT驅(qū)動(dòng)電路也不一定特性能保持一致加上電路布局等的影響,會(huì)引起流過各并聯(lián)IGBT的電流不均衡,電流大的器件有可能由于過熱而損壞。在實(shí)際應(yīng)用中,要采取以下措施:要使用同一批次的器件,減少器件參數(shù)的不一致性,改善靜態(tài)均流的效果;共用一路驅(qū)動(dòng)電路,提高器件參數(shù)的一致性,改善動(dòng)態(tài)。
IGBT并聯(lián)和逆變橋并聯(lián)比較
(1) 效率比較:最大效率IGBT并聯(lián)方案高,歐洲效率逆變橋并聯(lián)方案高?偘l(fā)電量逆變橋并聯(lián)高。
(2) 控制方法:IGBT并聯(lián)需要6組PWM,逆變橋并聯(lián)需要12組PWM。
(3) 均流:IGBT并聯(lián)要考慮器件之間均流,主要靠硬件實(shí)現(xiàn),成本較高,逆變橋并聯(lián)需要考慮逆變橋之間均流,主要靠軟件實(shí)現(xiàn)。
(4) 可移植性:IGBT并聯(lián)250K,500K,750K不能移植,需要重新開發(fā),逆變橋并聯(lián)可以植移,逆變橋可以共用。
(5) 結(jié)構(gòu) :IGBT并聯(lián)需要3個(gè)散熱器,三相之間距離較長不對(duì)稱,成本稍低;模組并聯(lián)需要6個(gè)散熱器,三相之間距離較短對(duì)稱性好,成本稍高。
功率設(shè)計(jì)方案比較
價(jià)格 | 散熱 | 均流 | 發(fā)電量 | 歐洲效率 | 體積 | 可靠性 | 壽命 | |
無并聯(lián) | 高 | 水冷 | 無 | 中 | 中 | 小 | 高 | 中 |
IGBT并聯(lián) | 中 | 風(fēng)冷 | 有 | 中 | 中 | 中 | 中 | 中 |
逆變橋并聯(lián) | 高 | 風(fēng)冷 | 無 | 高 | 高 | 大 | 高 | 高 |
混合并聯(lián) | 低 | 風(fēng)冷 | 有 | 高 | 高 | 大 | 低 | 高 |
光伏逆變器由電阻、電容、繼電器、接插件、半導(dǎo)體器件及集成電路等元器件組成的。系統(tǒng)的可靠性除取決于這些電子元器件的固有可靠性外,還與設(shè)計(jì)時(shí)元器件能否合理選用有關(guān)。
元器件的選用要遵循下述原則:
1)在元器件型號(hào)、規(guī)格眾多的情況下,應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品要實(shí)現(xiàn)的功能要求及環(huán)境條件,選用相應(yīng)種類、型號(hào)規(guī)格及質(zhì)量等級(jí)的元器件。
2)估算元器件使用時(shí)的應(yīng)力情況,確定元器件的極限值,按降額設(shè)計(jì)技術(shù),選用元器件。
3)根據(jù)產(chǎn)品要求的可靠性等級(jí),選用與其適應(yīng)的、符合生產(chǎn)許可證審查要求的A,B,C 級(jí)元器件。
4)設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí),盡量選用標(biāo)準(zhǔn)元器件,并使品種簡化,這是大型電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)重要原則,也是系統(tǒng)總體對(duì)部件及線路設(shè)計(jì)者提出的約束條件。
5)對(duì)非標(biāo)準(zhǔn)的元器件要進(jìn)行嚴(yán)格的驗(yàn)證,使用時(shí)要經(jīng)過批準(zhǔn)手續(xù)。
6)制定元器件選用手冊(cè),規(guī)范元器件的選用和采購。
降額設(shè)計(jì)的依據(jù)
所謂降額設(shè)計(jì),就是使元器件運(yùn)用于比額定值低的應(yīng)力狀態(tài)的一種設(shè)計(jì)技術(shù)。為了提高元器件的使用可靠性以及延長產(chǎn)品的壽命,必須有意識(shí)地降低施加在器件上的工作應(yīng)力(如:電、熱、機(jī)械應(yīng)力等),降額的條件及降額的量值必須綜合確定,以保證電路既能可靠性地工作,又能保持其所需的性能。降額的措施也隨元器件類型的不同而有不同的規(guī)定,如電阻降額是降低其使用功率與額定功率之比;電容降額是使工作電壓低于額定電壓;半導(dǎo)體分立器件降額是使功耗低于額定值;接觸元件則必須降低張力、扭力、溫度和降低其它與特殊應(yīng)用有關(guān)的限制。
降額的等級(jí)分為三個(gè)等級(jí),分別稱I 級(jí)降額、II 級(jí)降額和III 級(jí)降額。
I 級(jí)降額是最大降額,超過它的更大降額,元器件的可靠性增長有限,而且使設(shè)計(jì)難以實(shí)現(xiàn)。I 級(jí)降額適用于下述情況:設(shè)備的失效將嚴(yán)重危害人員的生命安全,可能造成重大的經(jīng)濟(jì)損失,導(dǎo)致工作任務(wù)的失敗,失敗后無法維修或維修在經(jīng)濟(jì)上不合算等。
II 級(jí)降額指元器件在該范圍內(nèi)降額時(shí),設(shè)備的可靠性增長是急劇的,且設(shè)備設(shè)計(jì)較I 級(jí)降額易于實(shí)現(xiàn)。II 級(jí)降額適用于設(shè)備的失效會(huì)使工作水平降級(jí)或需支付不合理的維修費(fèi)用等場(chǎng)合。
III 級(jí)降額指元器件在該范圍內(nèi)降額時(shí)設(shè)備的可靠性增長效益最大,且在設(shè)備設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)困難最小,它適用于設(shè)備的失效對(duì)工作任務(wù)的完成影響小,不危及工作任務(wù)的完成或可迅速修復(fù)的情況。
降額應(yīng)注意的問題
1)有些元器件的負(fù)荷應(yīng)力是不能降額或者對(duì)最大降額有限制的,如電子管的燈絲電壓、繼電器線包的吸合電流是不能降額的,否則電子管的壽命要降低;
2)有些元器件降額到一定程度時(shí)卻得不到預(yù)期的降額效果。如薄膜電阻器的功率減額到10%以下時(shí),一般二極管的反向電壓減額到最大反向電壓的60%以下時(shí),失效率將不再下降;
3)有些類型電容器的降額可能發(fā)生低電平失效,即當(dāng)電容器兩端電壓過低時(shí)呈現(xiàn)開路失效,也就是說,降額不但不能使失效率下降,反而會(huì)使失效率增高。
降額系數(shù)的選擇大部分是依靠試驗(yàn)數(shù)據(jù)和根據(jù)元器件使用的環(huán)境因子來確定。確定降額系數(shù)的方法如下:
1)數(shù)學(xué)模型及基本失效率與溫度、降額系數(shù)之間的關(guān)系曲線;
2)減額曲線給出了為保證元器件可靠工作所選擇的降額系數(shù)與溫度之間的函數(shù)關(guān)系,當(dāng)在該減額曲線上工作的半導(dǎo)體結(jié)溫達(dá)到其最高結(jié)溫時(shí),其失效率仍然較高;
3)應(yīng)用減額圖,即在減額曲線的下方,通過試驗(yàn)找到一條半導(dǎo)體結(jié)溫較低的減額曲線;
4)各種元器件的減額因子參見國家標(biāo)準(zhǔn)。
功率開關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是將DSP發(fā)出的控制信號(hào)加以隔離并放大, 以驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件,并檢測(cè)電路的電壓,防止因電路過壓, 短路而造成IGBT損壞,因此驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)滿足以下要求:
(1)為了減少器件的損耗,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)保證器件充分導(dǎo)通和可靠關(guān)斷。 驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短。
(2)保障驅(qū)動(dòng)電路和主回路的電氣隔離,由于主回路是高電壓, 驅(qū)動(dòng)控制電路是低電壓,所以要求驅(qū)動(dòng)信號(hào)與主回路無電氣耦合。
(3)具有抗干擾能力,防止開關(guān)器件在各種外界干擾下的出現(xiàn)誤動(dòng)作, 影響逆變器總的發(fā)電量,保證器件的高可靠的工作。
(4)具有可靠的保護(hù)能力,當(dāng)主回路或驅(qū)動(dòng)控制電路出現(xiàn)故障時(shí) (如主電路過電流、過電壓和驅(qū)動(dòng)電路欠電壓), 驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)迅速封鎖IGBT的PWM信號(hào),關(guān)斷器件。 主要的保護(hù)功能有:過流檢測(cè)及保護(hù),欠壓檢測(cè)及保護(hù), 溫度檢測(cè)及保護(hù)。
IGBT驅(qū)動(dòng)電路按功能可分三種類型:單功能型、多功能型、全功能型。
(1)單功能型驅(qū)動(dòng)電路是由功率緩沖器和光耦構(gòu)成,如HCLP-3150,
(2)多功能型的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,如HCPL-316J、 M57962, VLA500-01等。
直流母線電容設(shè)計(jì)
太陽能組件輸出的連續(xù)的直流電流,逆變橋采用高頻PWM控制,輸出的是高頻脈沖電流,因此在逆變橋和太陽能組件之間,需要一個(gè)直流支撐電容,主要有以下幾個(gè)作用:
(1)和太陽能組件一起提供逆變器輸入電流;
(2)降低諧波電流進(jìn)入電網(wǎng);
(3)當(dāng)機(jī)器在緊急情況下急停時(shí),能吸收功率開關(guān)器件關(guān)斷下能量;
(4)在特殊工況下,能提供瞬時(shí)峰值功率;
(5)當(dāng)逆變器受到電網(wǎng)瞬時(shí)峰值沖擊,能保護(hù)逆變器。
母線電容設(shè)計(jì)選型,要考慮的以下主要因素:電容器的額定電壓、電容器容量、電容器的紋波電流、電容器的安裝散熱方式,電容器的溫升和壽命等等
1)從紋波電流考慮,母線電容中的紋波電流一般取流過IGBT電流的0.65倍。所有電容的紋波電流之各要大于此值。
2)從能量的轉(zhuǎn)換考慮,一般要使電容組能提供0.5個(gè)周期的能量。
3) 電容的電壓要大于電流最高電壓
選擇IGBT時(shí)需要考慮額定電壓和額定電流是否在允許的范圍內(nèi):
耐電壓要求:IGBT在開通和關(guān)斷時(shí),會(huì)在產(chǎn)生尖峰電壓,這個(gè)電壓要低于器件的耐壓值,否則器件將因電壓過高擊穿而損壞;本逆變器輸入電壓范圍是450VDC到820VDC,關(guān)斷時(shí)的峰值電壓為: UCESP (820×1.1+50)×α=1047V
式中,IGBT的CE兩端承受的最高電壓是820V,1.1為IGBT電壓保護(hù)系數(shù),α為安全系數(shù),一般取1.1,50為L×(di/dt)引起的尖峰電壓。令UCES≥UCESP,并向上靠攏IGBT的實(shí)際電壓等級(jí),取UCES=1200V。
安全電流:IGBT工作過程中,峰值電流必須小于IGBT的額定電流;
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