標(biāo)題: FinFET（鰭型MOSFET）簡介 [打印本頁]
作者: 小融1號    時間: 2017-1-6 15:20
標(biāo)題: FinFET（鰭型MOSFET）簡介
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1、半導(dǎo)體的工藝尺寸

在我們談到半導(dǎo)體工藝尺寸的時候，通常對于下面的一串?dāng)?shù)字耳熟能詳：3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人說5nm是半導(dǎo)體工藝的極限尺寸，也有人說1nm是半導(dǎo)體工藝的極限尺寸；iPhone6s的 A9處理器更出現(xiàn)了三星14nm工藝和臺積電16nm工藝二個版本、哪個版本更先進的激烈的爭論。這里的工藝尺寸，通常是指集成電路的最小線寬，那么在集成電路的內(nèi)部，最小的線寬是指哪一個幾何尺寸呢？

在集成電路的內(nèi)部，最小的功能單元是平面橫向?qū)щ姷腗OSFET，如下圖所示，這個結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點，其由三個電極：G柵極、D漏極和S源極組成。


圖1：平面橫向?qū)щ奙OSFET

灰色Gate柵極的寬度、也就是溝槽寬度或者線寬，通常所說的多少多少um、多少多少nm就是指的這個寬度，而不是每個晶胞單元的尺寸。

溝槽寬度的減小，可以帶來如下的優(yōu)點：

（1）溝槽寬度對應(yīng)著D到S極的距離，溝槽寬度減小，載流子流動跨越溝道的導(dǎo)通時間減小，這樣允許工作的開關(guān)頻率就可以提高；

（2）溝槽寬度小，溝道完全開通所加的G極電壓可以降低，導(dǎo)通更容易，開關(guān)損耗降低；

（3）溝槽寬度減小，溝道導(dǎo)通電阻降低，也更一進降低導(dǎo)通損耗。


正因為這些優(yōu)點，也驅(qū)使半導(dǎo)體制造公司不斷的采取新的工藝，追求更低的工藝尺寸，來提升半導(dǎo)體器件的性能、降低功耗。


圖2：變形的平面橫向?qū)щ奙OSFET結(jié)構(gòu)


圖2右上角為平面MOSFET的結(jié)構(gòu)，實際的結(jié)構(gòu)稍微變形，如圖2下方的所示，G極同樣也是跨在D和S之間，G極下面為絕緣的氧化層。


同一代技術(shù)，半導(dǎo)體生產(chǎn)的二大巨頭英特爾和臺積電，采用的線寬稍有差別，如下圖所示。


圖3：英特爾和臺積電工藝


2、傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)的限制


近些年來，半導(dǎo)體工藝不斷的向著微型化發(fā)展，基于傳統(tǒng)平面MOSFET結(jié)構(gòu)的晶胞單元不斷的縮小，漏、源的間距也不斷的減小，G極下面的接觸面積越來越小，G極的控制力就不斷的減弱，帶來的問題就是不加?xùn)艠O電壓時漏源極的漏電流增加，導(dǎo)致器件的性能惡化，同時增加了靜態(tài)的功耗。

增加G極面積的方法，就必須采用新的結(jié)構(gòu)，如三維結(jié)構(gòu)。三維的G極結(jié)構(gòu)有二種類型：一是雙柵極結(jié)構(gòu)，二是Fin型結(jié)構(gòu)，也就是非常有名的鰭型結(jié)構(gòu)，如下圖所示。

(a)：雙柵極結(jié)構(gòu)

G極不加電壓   單G極加電壓   雙G極加電壓  

(b)：導(dǎo)通溝道
圖4：雙柵極結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通溝道

雙柵極結(jié)構(gòu)形成二個溝道，減小溝道的導(dǎo)通電阻，增強了通流的能力和G極對溝道的控制能力。

圖5：Fin鰭型結(jié)構(gòu)

FinFET結(jié)構(gòu)看起來像魚鰭，所以也被稱為鰭型結(jié)構(gòu)，其最大的優(yōu)點是Gate三面環(huán)繞D、S兩極之間的溝道（通道），實際的溝道寬度急劇地變寬，溝道的導(dǎo)通電阻急劇地降低，流過電流的能力大大增強；同時也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進一步減小Gate寬度。

目前三星和臺積電在其14/16nm這一代工藝都開始采用FinFET技術(shù)。



圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)

注：圖3、圖6的圖片來于網(wǎng)絡(luò)。





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