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由于LLC有眾多優(yōu)良特性，目前應(yīng)用越來越廣，例如adapter,LED TV, telecom power, Lighting，medical power等等，甚至有些沒有PFC的低端充電器都用LLC做，其輸入電壓，輸出電流和輸出電壓都不是恒定電壓，可見工程師對LLC的愛有多深了。

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但是在平常的客戶拜訪中了解到LLC產(chǎn)品在產(chǎn)線或終端客戶經(jīng)常碰到低失效率的問題，所以今天介紹一下LLC的MOSFET在開機(jī)以及過載時(shí)的一個(gè)主要失效模式，這個(gè)話題有文章有講過，但是很多工程師并沒有刻意去了解過，今天再用中文總結(jié)一下。

兩種工況，先看剛開機(jī)的情況，剛上電時(shí)諧振電容Cr上的電壓沒有建立起來（穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，該電容的中點(diǎn)電壓應(yīng)該是1/2的BUS電壓），由于普通的LLC controller的占空比都是固定的50%，所以主變壓器的原邊可能會存在伏秒不平衡的狀態(tài)，導(dǎo)致LLC的MOSFET硬開關(guān)，典型波形如下，可以看到上管（HVG）打第二個(gè)PWM時(shí)對應(yīng)的諧振腔的電流相位是不對的。

再來看過載/短路時(shí)，LLC工作在容性模式的情況，先看一張DC gain對應(yīng)的容性和感性區(qū)域的圖，當(dāng)開光頻率低于第二諧振頻率fr2時(shí)就是容性區(qū)域。

下圖是一張工作在容性模式的圖，可以看到下管（LVG）的最后一個(gè)PWM開通時(shí)對應(yīng)的諧振腔電流相位也是不對的。

分析了上面兩種工況，都是電流相位不對，MOSFET都存硬開關(guān)，所謂硬開關(guān)就是，當(dāng)MOSFET開通時(shí)，電流沒有反向流過體二極管，也就是說Vds的電壓不為零，那為什么硬開關(guān)就會導(dǎo)致MOSFET失效呢？下面詳細(xì)介紹。

首先看一個(gè)普通高壓MOSFET datasheet里面對dv/dt的AMR規(guī)格如，所謂AMR就是absolute maximum rating，就是說超過這個(gè)參數(shù)范圍，MOSFET就有可能損壞。

我們發(fā)現(xiàn)有兩個(gè)限制，其對應(yīng)不同的條件，就是體二極管是否有反向恢復(fù)，對于沒有反向恢復(fù)的這一項(xiàng)50V/ns，只是對之前的老MOSFET有限制，對于現(xiàn)代工藝的MOSFET，算是一個(gè)冗余的規(guī)定，由于習(xí)慣問題一直保留著，其實(shí)就算100V/ns的dv/dt加在管子上都不一定有問題。但是對于體二極管存在反向恢復(fù)的dv/dt就比較危險(xiǎn)了，這個(gè)管子的規(guī)定是15V/ns，其實(shí)在高溫下，情況會更糟糕。

下面先看一下MOSFET帶寄生參數(shù)的等效模型，由于側(cè)重點(diǎn)的原因，寄生電感和寄生電阻就沒畫出來。

從上圖可以看到，MOSFET存在一個(gè)寄生的BJT，也就是說當(dāng)Rb上的電壓達(dá)到這個(gè)BJT的門檻電壓時(shí)，這個(gè)BJT就會導(dǎo)通，關(guān)鍵在于這個(gè)BJT是負(fù)溫度系數(shù)的，它不像MOSFET的Rds_on，溫度越高阻抗越高，而是相反，晶元上溫度越高的地方，阻抗越低，更多的電流會流過同一個(gè)點(diǎn)，因此特別容易造成熱點(diǎn)損壞,并且起始結(jié)溫越高時(shí)情況越惡劣。

回過頭來，我們再看Rb上的電壓是從哪里來的，主要有兩個(gè)方面，一個(gè)是體二極管的反向恢復(fù)電流，另外一個(gè)是流過Cdb的容性電流。

再回過頭來看上面介紹的LLC的兩個(gè)電流相位不對的情況，上面提到這兩種情況會存在硬開關(guān)模式，其特點(diǎn)是半橋的兩顆MOSFET，當(dāng)其中一個(gè)MOSFET有體二極管反向續(xù)流的時(shí)候另外一個(gè)管子導(dǎo)通了（可以參考下圖實(shí)例，Q1有二極管續(xù)流時(shí)，Q2導(dǎo)通了，這時(shí)Q1的體二極管就會有反向恢復(fù)），因此就會出現(xiàn)有續(xù)流的這個(gè)MOSFET的體二極管有很大的反向恢復(fù)，并且伴隨很高的dv/dt。

連貫起來看，就是LLC的硬開關(guān)會導(dǎo)致有體二極管方向恢復(fù)這顆管子的內(nèi)部BJT導(dǎo)通，從而熱點(diǎn)損壞，進(jìn)而半橋電路出現(xiàn)直通短路。

考慮到上面介紹的失效機(jī)制，其實(shí)有很多應(yīng)對方法，簡單的有選擇體二極管反向恢復(fù)特性較好的MOSFET，或者在電路上或電路架構(gòu)上進(jìn)行優(yōu)化，甚至有些芯片已經(jīng)集成了硬開關(guān)和容模保護(hù)等功能，這些就不詳細(xì)展開了。

文章來源：微信公眾號融創(chuàng)芯城（一站式電子元器件、PCB、PCBA購買服務(wù)平臺，項(xiàng)目眾包平臺，方案共享平臺）