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正確認識CMOS靜電和過壓問題

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發(fā)布時間: 2018-4-4 15:11

正文摘要:

對于模擬CMOS(互補對稱金屬氧化物半導(dǎo)體)而言,兩大主要危害是靜電和過壓(信號電壓超過電源電壓)。了解這兩大危害,用戶便可以有效應(yīng)對。靜電由靜電荷積累(V=q/C=1kV/nC/pF)而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊 ...

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