這個電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間，對光藕的沖擊問題。風(fēng)險大。
需要稍加改進。原理上說得通。
C5通常應(yīng)該用安規(guī)。
如果C5壞了，一定是先短后開。如溫變內(nèi)部擠壓形變層間相短或相近，間距耐壓不足，擊穿，大電流大溫升直至燒成開路才會停下來。
R11，可以影響到相位，但影響范圍不寬。且不太靠譜。

這個電路是利用電容的容抗來限流的(可認為是恒流), 相當(dāng)于電阻, 但不消耗功率, 所以不會發(fā)熱. Xc=1/(2*3.14*f*c),市電頻率50Hz, Xc = 31.8K歐, 限流大約6.9毫安(電壓220V時), 所以基本是峰值光耦才導(dǎo)通(電壓低點電流就不夠了), 光耦一定要反向并個二極管(使交流形成回路, 你電路是加了的).R11保護光耦的.當(dāng)光耦斷開時R11端電壓 V=220*R11/(31.8K+R11), 取R11=1K就好了(100K光耦開路時電壓太高, 瞬間接入有可能擊穿光耦). 電容C5耐壓夠就OK了, 很少壞了短路的(基本上開關(guān)電源的市電端都并一個0.1的電容的)

單片機對家用交流電過零同步可以用這個電路，過零高電平觸發(fā)同步，我目前也是用這個電路，兩個50K電阻用1/2W 以上的。

這個電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間，對光藕的沖擊問題。風(fēng)險大。
需要稍加改進。原理上說得通。
C5通常應(yīng)該用安規(guī)。
如果C5壞了，一定是先短后開。如溫變內(nèi)部擠壓形變層間相短或相近，間距耐壓不足，擊穿，大電流大溫升直至燒成開路才會停下來。
R11，可以影響到相位，但影響范圍不寬。且不太靠譜。

高壓側(cè)電路有一些問題。 首先，必須準(zhǔn)確計算C5電容器，以將電流限制在光耦合器的最大電流要求以下。 其次，您需要添加一個與電容器并聯(lián)的放電電阻，這樣在電源關(guān)閉時它將使電容器放電。 第三，為了安全起見，C5必須為X級，并且至少要承受400V擊穿電壓。
使用以下公式計算C5的電抗：X = 1 /（2 * 3.14 * f * C5），其中，f為頻率50Hz。 因此，C5 = 1 /（2 * 3.14 * f * X），X由光耦合器的電流決定：I = 220V /（R11 + X），假設(shè)I = 10mA，則R11 + X = 22 kohm， 假設(shè)R11為1kohm，則X = 21kohm，C5 = 1 /（2 * 3.14 * 50 * 21000）〜= 0.15uF。 光耦合器上的電壓為10mA * 1kohm = 10V。

可參https://blog.csdn.net/xianfajushi/article/details/100553842

不能用！要用光偶做過零得兩個，百度上大把例子！

擺渡過一個很巧妙的過零電路使用的都是普通的1/8元件，很多人認為該電路不能正常工作，但是它的巧妙就在其中能正常工作，以前回復(fù)過。

zhangxiaozi 發(fā)表于 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時候，P3.3是高電平，其他時間是低電平

你好，可以按照我的要求幫我設(shè)計一個電路板的pcb圖紙嗎？

這個電路很有實用價值，很適合單片機使用，檢測點在最高點是沒有問題的，主要是要準(zhǔn)確，R11、C4會影響準(zhǔn)確度要去除，將保護二極管換成穩(wěn)壓管可以完美保護光耦了（包括上電瞬間的沖擊），C5電容630v耐壓足夠了，像電腦電源就在電源線接有一個0.1UF電容，這個電容是很耐用的。建議如下圖電路：

這樣玩是不行的，最起碼也得雙光藕，電路也較復(fù)雜，不過現(xiàn)在有雙向可控硅，完全沒必要這么整

電阻去掉不要，將二極管換成3.3V穩(wěn)壓管就行，穩(wěn)壓管正向壓降0.7V相當(dāng)于普通二極管，反向是3.3V穩(wěn)壓，不管電源方向如何都可以保護LED不被擊穿。

小李子鐵頭 發(fā)表于 2018-7-12 10:04
加電容需要調(diào)試，電容會有延時，

串電感行嗎

lzts88 發(fā)表于 2018-6-15 19:04
雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

加電容需要調(diào)試，電容會有延時，

lzts88 發(fā)表于 2018-6-15 19:04
雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

在光耦發(fā)光二極管上并聯(lián)電容，這樣可以濾除尖峰脈沖，這樣就可以減少對發(fā)光二極管的沖擊，如果加二極管也可以，直接起到權(quán)位，

給你介紹一個正確有效看得懂的案例

ZXHREG 發(fā)表于 2018-6-15 15:43
這是個雙向光耦，還需要并二極管或電阻嗎

是不是如 yzwzfyz老師所說，這個電路缺個上電沖擊保護

雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗分壓最高也就7V這樣,  R11你用100K和31K分壓R11分160V這樣肯定沖擊)

小李子鐵頭 發(fā)表于 2018-6-15 11:41
其他人回答夠多了，我想說CBB電容改為X電容，這樣不存在風(fēng)險。

基礎(chǔ)差，所以好多問題搞不明白

開始是用47K兩個電阻限流，但是發(fā)熱量大，后來用兩個150K，基本不發(fā)熱，但是用單片機下降沿中斷，產(chǎn)生中斷是在零點以后（2V以下）。

看別人帖子，用電容不發(fā)熱，但yzwzfyz 老師說上電對光耦沖擊較大，想不出好辦法
還請多指教。

lzts88 發(fā)表于 2018-6-15 01:19
這個電路是利用電容的容抗來限流的(可認為是恒流), 相當(dāng)于電阻, 但不消耗功率, 所以不會發(fā)熱. Xc=1/(2*3.14 ...

這是個雙向光耦，還需要并二極管或電阻嗎

是不是如 yzwzfyz老師所說，這個電路缺個上電沖擊保護

其他人回答夠多了，我想說CBB電容改為X電容，這樣不存在風(fēng)險。

zhangxiaozi 發(fā)表于 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時候，P3.3是高電平，其他時間是低電平

串聯(lián)100K+200K就不那么熱了，不知道對光耦有沒有影響

不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時候，P3.3是高電平，其他時間是低電平

zhangxiaozi 發(fā)表于 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時候，P3.3是高電平，其他時間是低電平

100K 電阻真的很熱

angmall 發(fā)表于 2018-6-12 23:06
溫度變化不會導(dǎo)致明顯的過零脈沖飄逸，但時間會，只是這個時間不短且是以極低的變化率漸變的，因為光耦會老 ...

謝謝，謝謝，謝謝

不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時候，P3.3是高電平，其他時間是低電平

溫度變化不會導(dǎo)致明顯的過零脈沖飄逸，但時間會，只是這個時間不短且是以極低的變化率漸變的，因為光耦會老化，靈敏度逐漸降低，但這種情況在要求不高時可以忽略。

沒人回答