如果主控管，也就是SW信號(hào)來源是P溝MOSFET則不需要bootstrap電容。

但是對(duì)于硅材料來說，同樣成本，N溝比P溝性能好，反過來說同性能N溝比P溝成本低，這樣最大的那個(gè)管子，也就是跨接在IN和SW之間的主控管，最好使用N溝，但是N溝MOSFET的柵極電壓要高于源極電壓（SW），又要低壓差（穩(wěn)定后，IN-SW電壓越低越好），就要憑空變出一個(gè)比IN電壓還要高的驅(qū)動(dòng)電壓，這樣，bootstrap電容就是干這個(gè)用的。

BOOT電容，自舉電容。

是升壓電路的話就是自舉電容了

去耦電容是電路連接在元件的電源端的電容，此電容可以提供較穩(wěn)定的電源，同時(shí)也可以降低元件耦合到電源端的噪聲

/www.docin.com/p-2019723729.html
這個(gè)文章解釋得比較清楚。

lfc315 發(fā)表于 2019-10-15 15:35
上面答案都是錯(cuò)的；
你看那個(gè)引腳的名字：BS，應(yīng)該是BOOST的縮寫；
其實(shí)就是自舉電容，作用是提升BS腳電 ...

能解釋一下具體過程嗎？謝謝！

上面答案都是錯(cuò)的；
你看那個(gè)引腳的名字：BS，應(yīng)該是BOOST的縮寫；
其實(shí)就是自舉電容，作用是提升BS腳電壓；
因?yàn)樾酒瑑?nèi)部是類似下圖這樣的架構(gòu)：

好好看數(shù)據(jù)手冊(cè)，講的很清楚，給上管的門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

去耦電容，把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。