之前用STM32做直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)用的，弄個(gè)局部圖給你參考參考！

樓上的咋想的？這個(gè)是圖騰驅(qū)動(dòng)啊，樓主的電路沒(méi)有大問(wèn)題，檢查一下元件吧。

直接用個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)的片子不可以嗎？

推挽電路驅(qū)動(dòng)mos管讓mos管放電更快，，可以啊，挺好，不過(guò)也可以簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)

沒(méi)看出來(lái)Q3如何導(dǎo)通的。你仿真看看，能行嗎？

呵呵~~圖騰柱驅(qū)動(dòng)沒(méi)問(wèn)題阿！

電路有問(wèn)題。 光耦合器的輸出一側(cè)沒(méi)有接地，它是浮地。 不需要推挽驅(qū)動(dòng)器，移除Q3，但使用Q2并將Q2的基極連接到光電耦合器的引腳4。 在Q2的集電極上添加一個(gè)1k歐姆的電阻，并將R1連接到Q2的集電極。 Q2發(fā)射極接地。
當(dāng)光耦合器輸出時(shí)，Q2截止，Q1導(dǎo)通，LED點(diǎn)亮。
當(dāng)光耦合器斷開(kāi)時(shí)，Q2導(dǎo)通，然后Q1斷開(kāi)并且LED熄滅。

為何要推挽輸出？浪費(fèi)了！
場(chǎng)效應(yīng)具有很高的輸入阻抗的，光耦直接帶就可以了，
具體是：光耦發(fā)射極接地，集電級(jí)接R3可10K，直接接場(chǎng)效應(yīng)管控制級(jí)，控制級(jí)要有接地電阻R2可100K，場(chǎng)效應(yīng)后面不變！省掉兩個(gè)三極管和一個(gè)電阻！

1. R4值太小
2. Q2,Q3互換一下位置
3. Q1控制極最好加穩(wěn)壓管，R1最好并聯(lián)0.1UF以下的電容，要根據(jù)控制頻率選擇
4. R3值不合適，Q2,Q3基極不能懸空

1.用于低頻開(kāi)關(guān)電路不需要采用圖騰柱驅(qū)動(dòng)，高頻開(kāi)關(guān)高于10MHz采用圖騰柱驅(qū)動(dòng)才有意義。
2.現(xiàn)在低閾值 MOS管多的很，VGS3~4V就能飽和導(dǎo)通，單片機(jī)IO口直接驅(qū)動(dòng)毫無(wú)問(wèn)題。

Q2  Q3用一個(gè)作開(kāi)關(guān)管就可以了,開(kāi)關(guān)管的基極接光耦第4腳,光耦第3腳接地

當(dāng)然有問(wèn)題，Q3偏置，R4

這樣的電路多余一些元件浪費(fèi)錢又沒(méi)蝦米作用且沒(méi)提高蝦米性能用途,假設(shè)柵極電壓是10伏特的管則參數(shù)不合理