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MRAM與現(xiàn)行各類存儲(chǔ)器的比較

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發(fā)布時(shí)間: 2020-11-25 14:43

正文摘要:

MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化,這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。 MRAM可以做到與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)類似的高密 ...

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ID:273087 發(fā)表于 2020-11-25 14:43
MRAM在讀寫方面可以實(shí)現(xiàn)高速化,這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。

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