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發(fā)布時(shí)間: 2020-11-30 15:09
正文摘要:目前主流的MRAM利用巨磁阻效應(yīng)( GMR）和磁性隧道結(jié)(MTJ)）的隧穿電阻效應(yīng)來進(jìn)行存儲(chǔ)。以MTJ為例,其元胞結(jié)構(gòu)包括自由層、隧道層和固定層3個(gè)層面（如圖1所示)。自由層的磁場(chǎng)極化方向是可以改變的,而固定層的磁場(chǎng)方向是 ... |
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