場(chǎng)效應(yīng)管看GS端就知道是控制開關(guān)的,三極管導(dǎo)通VGS電壓減小,至于二極管為反向保護(hù)三極管基射極反向耐壓而設(shè),這種場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)在IN仿真軟件一時(shí)沒找到.

仿反接的電路。
電源正常連接時(shí)，二極管用于防止輸入電壓反向擊穿三極管的VBE（超過-5V就會(huì)開始擊穿），IC通過電容BOOT自舉讓MOSFET導(dǎo)通。
電源反接時(shí)，二極管導(dǎo)通，三極管導(dǎo)通，將柵壓VGS嵌位在一個(gè)二極管壓降0.6~0.7V，MOSFET不通。

其功能詳見帖子：http://www.torrancerestoration.com/bbs/dpj-236102-1.html

供電正常時(shí)MOS內(nèi)部并聯(lián)二極管提供啟動(dòng)電流，MOS壓降0.7-1V較高，緊接著IC工作VCP自舉升壓。VCP與+BAT之間產(chǎn)生12V電壓 ，通過RP1,加在MOS管GS上，驅(qū)動(dòng)MOS完全導(dǎo)通。MOS壓降極低，壓降可忽略。
無二極管電源電壓經(jīng)RP1加在三極管發(fā)射極。  三極管Vbe反向最多只有8-9V，電源電壓超8V  三極管就會(huì)擊穿損壞。
當(dāng)供電接反時(shí)，MOS管S腳對(duì)地是負(fù)電位。MOS內(nèi)部并聯(lián)二極管不導(dǎo)通  。電流從地到電阻 RP2到三極管Be到二極管Drp到+BAT，形成放大開關(guān)電路三極管CE導(dǎo)通，短接MOS的GS。    IC已有反接保護(hù)二極管。VCP可認(rèn)為時(shí)浮動(dòng)狀態(tài)或高阻接地。驅(qū)動(dòng)無效。從而保護(hù)后級(jí)

1防反接 2兼限流

當(dāng)電池極性反轉(zhuǎn)時(shí)，晶體管TRPG導(dǎo)通并拉低MOSFET柵極的電壓以立即將其關(guān)閉。 當(dāng)電池正常連接時(shí)，二極管用于保護(hù)晶體管TRPG免受反向電壓的影響。

二極管（Drp）的作用是防止正常工作時(shí)三極管（Trpg）被擊穿，。二極管（Drp）也可以換個(gè)位置接到Rrp2和地之間，陽(yáng)極接地。paladina 說的是對(duì)的。

zsw3721 發(fā)表于 2021-4-1 12:43
我來說說，不一定對(duì)哈。發(fā)生充電器反接時(shí)，電池負(fù)極接成了充電器正極，會(huì)通過基極電阻產(chǎn)生基極電流使三極管 ...

我覺得二極管不是防止尖峰而是 因?yàn)槿龢O管Vebo只有5-6v， 正接24v 會(huì)擊穿的

圖中是一顆增強(qiáng)型的NMOS管，正常連接時(shí)，G_S電壓超過閾值，管子就導(dǎo)通了，反接時(shí)NPN三極管基極高電平則導(dǎo)通，通過二極管續(xù)流到地線，G點(diǎn)電位下降，關(guān)斷MOS管起到了保護(hù)作用，樓上說得對(duì)

實(shí)際上內(nèi)部VCP是通過二極管鉗位到地的。電池反接時(shí)，三極管導(dǎo)通，相當(dāng)于把mosfet及以后的電路短路了，對(duì)后級(jí)電路而言沒有電壓輸出，也就保護(hù)了后級(jí)電路。

我來說說，不一定對(duì)哈。發(fā)生充電器反接時(shí)，電池負(fù)極接成了充電器正極，會(huì)通過基極電阻產(chǎn)生基極電流使三極管導(dǎo)通并將MOS的G極電位拉低，以關(guān)斷MOS實(shí)現(xiàn)保護(hù)。二極管的作用是在MOS關(guān)斷瞬間，阻止反向尖峰損壞三極管等器件。