電容的下端接近地電平，VCC通過(guò)這個(gè)二極管給電容充電。電容下端為VCC的時(shí)候，電容給VB引腳提供超過(guò)VCC的電壓。

1、低邊MOS的驅(qū)動(dòng)電壓，是以GND為參考點(diǎn)的，例如：打通MOS的VGS需要5V，則lLO只要5V，低端MOS就通了。
2、高邊MOS的驅(qū)動(dòng)電壓，是以TOLOAD為參考點(diǎn)的（源極），當(dāng)HO=5V，高端MOS就不一定通了。如果這時(shí)TOLOAD=2V，則HO就必須達(dá)到7V。實(shí)際使用中，要看負(fù)載的情況而定。
3、如果LO取自VCC，則HO就必須超過(guò)VCC，所以就需要一個(gè)比VCC更高的電源。VB就是這個(gè)電源，C是這個(gè)電源的濾波器，由于VB>VCC，所以它倆不能連在一起。
4、又VB是需要內(nèi)部振蕩工作后才能抬升的，它的基電位（不振蕩時(shí)）希望有一個(gè)較高的值，就選擇了VCC，這個(gè)二極管就起作用了，它會(huì)將電容的基礎(chǔ)電壓抬到（充電）VCC，振蕩器再提升一點(diǎn)，兩者合成VB就有了。

當(dāng)然不能去掉，那個(gè)二極管是給自舉電容充電的，當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，電容充電，當(dāng)打開(kāi)上管時(shí)，用的是電容放電回路，就是電容作為一個(gè)“電源”來(lái)驅(qū)動(dòng)上管，電容作為一個(gè)電源的就相當(dāng)于上管的S是電容的地了，這樣就能解決浮地的問(wèn)題。

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