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關于STC單片機EEPROM讀寫操作誤區(qū)

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發(fā)布時間: 2023-1-10 03:45

正文摘要:

最近在使用STC EEPROM時 踩了個坑    寫入的數(shù)據(jù)  取出來 值不一樣  查看STC手冊時才發(fā)現(xiàn) EEPROM 只能1寫成0 不能0 寫成1 正常需要寫數(shù)據(jù)到EEPROM需要 先擦除數(shù)據(jù)整扇 ...

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ID:1057978 發(fā)表于 2023-1-14 18:23
coody_sz 發(fā)表于 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH結構,所有的FLASH都是扇區(qū)擦除的,擦除后全部是FF,寫只能將1寫成0,不能寫成1.
多個 ...

老哥專業(yè),學習了
ID:1034262 發(fā)表于 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH結構,所有的FLASH都是扇區(qū)擦除的,擦除后全部是FF,寫只能將1寫成0,不能寫成1.
多個字節(jié)的操作,先全部讀出來(最多是一個扇區(qū)512字節(jié)),修改,擦除,寫入。

FLASH是一種浮柵結構的FET(U盤、SD卡、TF卡、固態(tài)硬盤都是),一個FET一個bit,擦除就是將柵極放電,則FET截止,輸出1,寫入就是給柵極充電,則FET導通,輸出0。停電后,柵極電壓保持,一般能保持20年以上。
ID:1060328 發(fā)表于 2023-1-10 15:57
EEPROM每個字節(jié)默認是FFH,所以只能寫0將1改成0,擦除是按扇區(qū)(512B)

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