QWE4562012 發(fā)表于 2023-3-7 15:23
高端檢測  運(yùn)放承受的電壓不也是采樣電阻兩端的電壓嗎？這是一個差值  應(yīng)該很小才對

電壓和電位是兩個概念.電壓是兩點(diǎn)之間的電位差,電位是相對于0電位點(diǎn)的電壓.假定.你說的采樣電阻兩端的電壓是差模電壓,運(yùn)放還有一個參數(shù)叫共模輸入電壓.你隨便找一本運(yùn)放數(shù)據(jù)手冊看一下運(yùn)放有沒有共模輸入電壓范圍這個參數(shù),就是說取樣電阻兩端電位差可以很小(由于阻值小或者電流小),但取樣電阻兩端的電位并不低,有可能超過運(yùn)放的共模電壓輸入范圍,假定你的POWER點(diǎn)這里是個DC 48V.那么此時Rshunt兩端的電位就在48V附近,兩端的電位差就是流過的電流乘Rshunt阻值.

就是說,此時運(yùn)放承受的差分電壓是shunt電阻兩端的壓差.但此時的共模輸入電壓較高.

低端檢測時,運(yùn)放一端接地,一端接采樣電阻上側(cè),就不存在這個問題

renstone 發(fā)表于 2023-3-7 11:42
高端檢測是指取樣電阻位與電源高電位側(cè)和負(fù)載之間；
低端檢測是指取樣電阻位與負(fù)載和電源地之間。

高端檢測  運(yùn)放承受的電壓不也是采樣電阻兩端的電壓嗎？這是一個差值  應(yīng)該很小才對

coody_sz 發(fā)表于 2023-3-7 13:45
樓主引用的文章其作者確實有局限性。
高端檢測不是用普通的運(yùn)放做（當(dāng)然做好電源也可以），而是有專門的IC ...

沒明白你說的是怎么接  你把圖貼出來

樓主引用的文章其作者確實有局限性。
高端檢測不是用普通的運(yùn)放做（當(dāng)然做好電源也可以），而是有專門的IC，放大部分電路不一樣的。
以前專用IC比較貴時，我常用普通運(yùn)放，隔離正負(fù)電源供電（電感做反擊變換得到），運(yùn)放的地與高端電源軌連接，用一個高壓P溝MOSFET將電流傳到低端，高端可以檢測高達(dá)400V。電壓120V以下，電流精度允許2%，則可以用2N5401.

高端檢測是指取樣電阻位與電源高電位側(cè)和負(fù)載之間；
低端檢測是指取樣電阻位與負(fù)載和電源地之間。

低端檢測1這張圖是高端檢測。Rshunt是取樣電阻，流過電流時，會產(chǎn)生電壓差，這個電壓在經(jīng)過差分放大器放大或衰減到后級。這里的關(guān)鍵是運(yùn)放的+、-端所承受的電壓應(yīng)該在運(yùn)放允許承受的共模電壓范圍內(nèi)，同時也在運(yùn)放的正負(fù)電源軌范圍內(nèi)，否則無法正常工作。由于電源電壓POWER可能遠(yuǎn)大于運(yùn)放的電源軌，采用高側(cè)采樣時，那么就需要先進(jìn)行分壓把這個電壓值限制在運(yùn)放共模輸入電壓范圍內(nèi)。第一張圖里面，Rshunt的高電位側(cè)電位V1*R1/(R1+R2)就是運(yùn)放+端的輸入電壓，同時由于運(yùn)放負(fù)反饋，虛短，運(yùn)放-端的電壓非常接近運(yùn)放+端的電壓。從而+ -輸入端的電壓都被限制在運(yùn)放允許共模輸入電壓范圍內(nèi)。

高端檢測2這張圖，應(yīng)該是VCC比較低時用的這個和低端檢測1實際上是一張圖。

至于推導(dǎo)，無非是負(fù)反饋、虛短、虛斷，你找本模電書，看一下差分放大器部分。
也可以到Ti的網(wǎng)站上找一下高側(cè)電流檢測的芯片手冊看一下

寫這篇文章的作者亂講，以前高端檢測還沒怎么發(fā)展專用芯片，絕大部分都是低端檢測，即使是現(xiàn)在，高端檢測芯片的承受電壓依然有很大限制

Hephaestus 發(fā)表于 2023-3-6 23:31
你引用的文章作者本身就什么都不懂亂寫。

運(yùn)放誕生之初就是默認(rèn)雙電源供電，地在兩個電源中間。如果是單 ...

把四個電路輸出電壓推導(dǎo)寫下哈

你引用的文章作者本身就什么都不懂亂寫。

運(yùn)放誕生之初就是默認(rèn)雙電源供電，地在兩個電源中間。如果是單電源供電，那么地線就是正負(fù)供電的負(fù)電源，電源就是正負(fù)供電的正電源。如果高端檢測需要運(yùn)放“承受較高的共模電壓”，那么低端檢測就需要運(yùn)放“承受較低的共模電壓”。