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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片

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發(fā)布時間: 2023-7-31 14:31

正文摘要:

概述 TDM3478使用先進的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負載開關(guān)或在PWM應用程序中使用。 一般說明 RDS(ON)< 9.7mΩ @ VGS=4.5V   RDS(ON)< 6mΩ @ ...

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