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發(fā)布時(shí)間: 2023-12-14 10:26
正文摘要:鐵電存儲(chǔ)IC擦寫次數(shù)達(dá)到了10的10次方次,也就是10億次。這個(gè)比一般的EEPROM優(yōu)勢(shì)明顯,比如AT24CXX,一般都是10萬次。但是MB85RC16PNF-G-JNERE1為啥SOP8那么大的封裝,鐵電的容量才2KB也就是16Kb,那么小的容量?這是 ... |
在立創(chuàng)商城看了一下,和24c02價(jià)格相差100倍,讀寫次數(shù)相差10萬倍。我懷疑是以前用在航天這種級(jí)別上的。 |
鐵電的優(yōu)勢(shì)也是其他存儲(chǔ)的劣勢(shì),鐵電的劣勢(shì)也是其他存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì),鐵電有集合了RAM和ROM各自的特定,高速存取又掉電保存,但是受限制工藝和材料,難以低成本的大規(guī)模集成,這又是常規(guī)存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)所在 |
飛云居士 發(fā)表于 2023-12-14 12:07 你是做半導(dǎo)體的嗎 了解那么深 |
Hephaestus 發(fā)表于 2023-12-14 12:10 嗯 有道理 不過他這個(gè)擦寫次數(shù)可是吊打其他的EEPROM |
18680365301 發(fā)表于 2023-12-14 11:25 那這個(gè)擦寫次數(shù)有些恐怖啊 根本用不完 |
鐵電核心材料并不是硅,還要集成到硅片上,能有多少集成度? |
在目前現(xiàn)有的科技水平下,鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的容量通常受到材料的限制。鐵電存儲(chǔ)器使用的是一種叫做鐵氧體(ferroelectric)的材料,它是一種晶體狀固體,可以在電場(chǎng)的作用下發(fā)生極化現(xiàn)象。然而,鐵氧體的電阻率較高,導(dǎo)致電流密度較低,限制了其容量。 為了提高鐵電存儲(chǔ)器的容量,人們一直在努力尋找新的材料和工藝來解決這一問題。近年來,出現(xiàn)了一些新型鐵氧體材料,如鈮鈦酸鹽(NTO)、氧化鋅鐵(ZnFeO)等,這些材料的電阻率和靈敏度都比傳統(tǒng)鐵氧體要高得多,有望用于開發(fā)更高容量的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。另外,通過改進(jìn)制造工藝和提高器件設(shè)計(jì)效率等方法也可以在一定程度上提升鐵電存儲(chǔ)器的性能。 總之,目前的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的容量受限于材料的特性和技術(shù)水平的限制,但隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及新材料的應(yīng)用,未來的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品將會(huì)更加高效可靠,并具備更高的容量。 |
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10的10次方是100億次,老弟 |
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