抗飽和二極管，不用這個(gè)二極管，三極管截止時(shí)間是幾個(gè)us，用了這個(gè)二極管，三極管截止時(shí)間是幾百ns。
抗飽和相關(guān)知識(shí)，可以看看課本中分離零件TTL電路的相關(guān)章節(jié)。

TTQ001 發(fā)表于 2024-2-4 08:26
這是 PMOS 晶體管的體二極管，它是在制造 MOSFET 晶體管時(shí)制造的。

樓主問的是D1，沒問體二極管，請(qǐng)審題。

看上去 確實(shí)用處不大。 仔細(xì)看看 ， 有可能 能提升 關(guān)斷MOS的 速度。
只是猜測(cè)， 僅供參考。

這是 PMOS 晶體管的體二極管，它是在制造 MOSFET 晶體管時(shí)制造的。

老哥，圖一中的二極管是由大功率的MOS管生產(chǎn)工藝造成的，不是特地焊裝的啊，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。 小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個(gè)二極管。 模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個(gè)二極管。

二極管沒用。

鉗位S8050基極電壓。