很好的學(xué)習(xí)資料，另辟蹊徑說(shuō)電

LhUpBJT 發(fā)表于 2025-1-5 11:39
不論是電氣連系還是場(chǎng)效應(yīng)，反偏結(jié)的疏通，都是勢(shì)壘型有源器導(dǎo)電的關(guān)鍵，
曾幾何時(shí)，我還真的以為那個(gè)集 ...

肖克萊二極管，可視之為添加了P外延層的N型DIAC，
兩者的啟動(dòng)機(jī)制，都是利用集電結(jié)的擊穿給出「Ib」，但穩(wěn)態(tài)維持的機(jī)制不一樣，
隨著肖克萊二極管的開(kāi)通，P外延層替代集電結(jié)提供「Ib」，DIAC沒(méi)有外延層，集電結(jié)擊穿狀態(tài)的維持，建基于BVceo跟 Ic 的關(guān)系，
所以，整個(gè)肖克萊二極管的通態(tài)壓降可低比一個(gè)PN結(jié)還小，DIAC則永遠(yuǎn)做不到，倘若沒(méi)有〖漂移〗機(jī)制，BJT，IGBT與可控硅這些有源器件就不復(fù)存在。

BJT的基區(qū)為何需要這么薄，大家現(xiàn)在明白了吧，就是要確保集電結(jié)身處發(fā)射結(jié)的 射程范圍，
但是，基區(qū)乃集射二結(jié)的公共區(qū)域，太薄了，兩結(jié)靠近得過(guò)份，就有穿通的風(fēng)險(xiǎn)，MOSFET則永遠(yuǎn)不會(huì)有此問(wèn)題，
MOSFET的結(jié)構(gòu)，實(shí)際上跟BJT相若，MOSFET的溝道，實(shí)際上就是BJT的基區(qū)所在，此溝道透過(guò)場(chǎng)效應(yīng)建立，無(wú)需依賴(lài)射極，那就不受〖擴(kuò)散長(zhǎng)度〗的制肘。

科書(shū)與那些能在新華書(shū)店或圖書(shū)館讀到的課外書(shū)，對(duì)于BJT的解說(shuō)，都僅止于
Ie 只有少量從基極流走，絕大部份進(jìn)入基區(qū)耗盡層被電場(chǎng)「加速」，拉扯進(jìn)入集電極成為 Ic 這樣，
這樣的過(guò)境方式就是漂移，在電子技術(shù)中混搭半導(dǎo)體物理，本來(lái)沒(méi)甚不妥，但問(wèn)題在于，跟二極管單向電導(dǎo)性的闡釋缺乏圓滿的過(guò)渡。

右邊這貨，其實(shí)就是 肖克萊二極管 的原理性結(jié)構(gòu)示意圖及正向轉(zhuǎn)折后的實(shí)際情況，
如果集電結(jié)的摻雜足夠重，這只肖克萊二極管就會(huì)變成 高壓硅堆，金屬如果作為芯片的引線，就必須歐姆接觸，半導(dǎo)體之間究竟能否實(shí)現(xiàn)歐姆接觸我不曉得，但讓反向阻斷能力全失是可以的，不過(guò)，摻雜還是不要重得搞出個(gè)隧道效應(yīng)來(lái)為妙！
亮綠色的那根線，代表的是 PN結(jié)的物理結(jié)面，可以見(jiàn)到，這PN結(jié)已非原理層級(jí)，而是有實(shí)際結(jié)構(gòu)的范兒，結(jié)面區(qū)是輕摻雜，端子區(qū)則是重?fù)诫s，為甚么要這樣玩呢，因?yàn)�，在足以成結(jié)的前提條件下，摻雜愈輕，耐壓愈高，但實(shí)體電阻也愈大，耗盡層的脹幅也愈大，為免穿通的發(fā)生，端子得距離結(jié)區(qū)足夠遠(yuǎn)，PN結(jié)才能安全地施展二極管的效能，重?fù)诫s的外延層只能減小端子段的電阻，但真能增加端子跟結(jié)區(qū)的等效距離嗎？！  
那根綠線代表的，其實(shí)不僅止于物理結(jié)面，而可以是 本征層或量子阱，光伏電池及發(fā)光二極管就需要 量子阱與復(fù)合中心，給載流子提供 集中的復(fù)合或拆分之處，並且規(guī)劃吸收或發(fā)放的額定光譜； 而作為射頻開(kāi)關(guān)或調(diào)制用的二極體，或超高耐壓BJT的集電結(jié)，則此綠線就是本征層 (I區(qū))，這樣的結(jié)構(gòu)就是 PIN二極管，此 I 層並非作為隧穿層 而是提高PN結(jié)反向耐壓的助力，所以不能太薄。

同樣是擊穿，PN結(jié)跟絕緣體有著質(zhì)的差異，
絕緣體的擊穿，就像用鐵榔頭敲碎玻璃那樣，是化學(xué)鍵的斷裂，一旦擊穿就無(wú)可救藥，輕則皸裂或焦煳，重者會(huì)散架或焚燒，
PN結(jié)的擊穿，觀感上近似于復(fù)合的逆過(guò)程，跟絕緣體不同，載流子不是結(jié)構(gòu)性束縛，當(dāng)PN結(jié)反偏足夠高時(shí)可以「滑脫」，如果限流，PN結(jié)就像普通電阻那樣不會(huì)損壞，
隧穿效應(yīng)跟隧道效應(yīng)也是不一樣，隧道效應(yīng)建基于PN結(jié)正偏時(shí)的能級(jí)關(guān)系，隧穿效應(yīng)則有絕緣隧穿及深反偏隧穿兩種，當(dāng)絕緣物只有單原子厚度時(shí)，成鍵電子可被導(dǎo)體中的自由電子就地替換，而在深反偏的PN結(jié)中，N導(dǎo)帶跟P價(jià)帶已呈「對(duì)接」之貌，N材電子就逕向P區(qū)價(jià)帶跑，P材空穴也直接往N區(qū)導(dǎo)帶奔，兩家都省得「上竄下跳」了。

不論是電氣連系還是場(chǎng)效應(yīng)，反偏結(jié)的疏通，都是勢(shì)壘型有源器導(dǎo)電的關(guān)鍵，
曾幾何時(shí)，我還真的以為那個(gè)集電結(jié)的狀態(tài)是擊穿的，可不對(duì)啊，集電結(jié)一旦擊穿了就不再受基極控制，那還怎樣放大呢，
后來(lái)才知道，勢(shì)壘型有源器件真的是有擊穿這用法的，DIAC就是，如果把射極開(kāi)路，只用集電結(jié)，那就等同于穩(wěn)壓管的用法了，
但在BJT中，集電結(jié)的狀態(tài)卻像可調(diào)電阻那樣可隨意控制 (跟基極電流成比例)，基極電路一斷，管子就完全不開(kāi)通了，這意味著，BJT集電結(jié)的傳導(dǎo)方式跟DIAC絕不一樣。

增益型有源器件，最簡(jiǎn)單的自然是三極管，
除外先前講過(guò)的 jFET，其他都是勢(shì)壘型的，基本結(jié)構(gòu)中的核心部份，就像乒乓球拍那樣，
板子就是基區(qū) (連引腳)，兩面的膠貼就相當(dāng)于集電結(jié)與發(fā)射結(jié)，BJT如是，MOSFET其實(shí)也差不離，分別在于基區(qū)跟引腳的連線方式，而連線方式的分別，注定了驅(qū)動(dòng)手段不會(huì)一樣，
而讓我感到饒有興味的，就是MOSFET的那個(gè)「溝道」，同具「溝道」之名，但它跟 jFET 中的不是一個(gè)概念，MOSFET的溝道並非與生俱來(lái)，而且是跨接于兩個(gè)物理結(jié)面的，那就跟天體物理學(xué)的「蟲(chóng)洞」有點(diǎn)像，
關(guān)鍵是，MOSFET當(dāng)溝道生成時(shí)，漏源壓降可低至比BJT的飽和壓降還小，換言之，兩個(gè)PN結(jié)的勢(shì)壘都被溝道「破壞」了，BJT的飽和壓降也是比PN結(jié)的正向壓降更小的，我懷疑就是這「溝道」干的好事，這「溝道」的成份就是 Ie 。

有一種文字流過(guò)大腦，但毫無(wú)知識(shí)流過(guò)的感覺(jué)。太高深了，是真不懂，我愿稱(chēng)之為文字泥石流。

單結(jié)型有源器件，功率只取道于一區(qū) (肖特基結(jié)就只有晶片區(qū)可選)，
其他有源器件的組份，至少兩結(jié)，而且，用法必然是PN結(jié)的正規(guī)載流模式，
PN結(jié)，構(gòu)造及原理賊簡(jiǎn)單，但它的運(yùn)作機(jī)制與結(jié)區(qū)制作工藝卻沒(méi)那么簡(jiǎn)單，在用度上，二極管攤上的只是PN結(jié)的單向電導(dǎo)性，
不幸的，人類(lèi)的思維定勢(shì)就卡在二極管的單向電導(dǎo)性上 (這跟學(xué)術(shù)界與業(yè)界的不親民操作不無(wú)關(guān)系)，在多結(jié)型有源器件中跟功率打交道的，正正就是〖勢(shì)壘〗，
別忘了，世上第一只晶體管，可是肖特基版的BJT啊，如果PN結(jié)鐵定不能反向?qū)щ�，那么，世上的半�?dǎo)體有源器件 也許就只有 jFET 獨(dú)挑大樑，半導(dǎo)體功率電子學(xué)及電力電子技術(shù)就不會(huì)那么好發(fā)展了。

LhUpBJT 發(fā)表于 2024-12-28 13:26
有源，無(wú)源，源，是甚么來(lái)著？！
根據(jù)當(dāng)前所悟，意思有三，權(quán)且稱(chēng)之 三是否。
①是否產(chǎn)生新信息：

有源，無(wú)源沒(méi)那么復(fù)雜，完全是翻譯的問(wèn)題。

理解為主動(dòng)和被動(dòng)就可以了。發(fā)電機(jī)是主動(dòng)元件，電燈是被動(dòng)元件。

先前提到過(guò)，PN結(jié)的膝點(diǎn)是有源區(qū)，但二極管不歸屬于有源器件，它不專(zhuān)屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，
隧道二極管與耿氏二極管，它的負(fù)阻伏安特性可直接從直流電源變生出波形來(lái)，所以勉強(qiáng)算是有源器件，
但是，真正的有源器件必須有增益，甚至可控，有源器件最簡(jiǎn)單的，一個(gè)PN結(jié)就搞定，UJT及jFET 就是這樣，電流的位置和方向，是跟物理結(jié)面擦身而過(guò)，
PN結(jié)跟二極管，是 局部與整體 的關(guān)系，端子必須距離結(jié)區(qū)足夠遠(yuǎn)，PN結(jié)的安全運(yùn)行才得保證，而 UJT與jFET 的溝道，正好就是在 結(jié)區(qū)邊緣，那就意味著，電源是橫亙?cè)诙�極管的其中一個(gè)「大后方」的，另一個(gè)「大后方」就成了基 (柵) 極，
UJT跟jFET，拓?fù)湎嗨频珮?gòu)型不同，UJT的基極，幾近于點(diǎn)觸，jFET柵極就大得多，只因要避開(kāi)電源端子而比溝道略短，由于整個(gè)功率通道同質(zhì)，jFET 注定只能是耗盡型，負(fù)偏壓令耗盡層擴(kuò)張把溝道封堵使管子關(guān)斷，而UJT則是當(dāng)成增強(qiáng)型來(lái)用的，它本身不像隧道二極管那樣自帶負(fù)阻，但正向開(kāi)通造成的 電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng) 令溝道下半段的阻力銳減近乎短路，分壓暴跌，接于基極的電容就是利用此變化，反復(fù)充放電，UJT基極太小而且反向耐壓不給力，也許溝道還未「夾斷」就擊穿了，所以大概不會(huì)有人拿它當(dāng)作 jFET 來(lái)用吧。

1947年，第一只半導(dǎo)體三極管誕生，它並非無(wú)能而是無(wú)法便攜，
此管，是金鍺配，鍺硅同屬碳族，如果晶片是硅或石墨，那就是貨真價(jià)實(shí)的 肖特基三極管，
但大家有否思考過(guò)，金銀銅鋁鉑這些金屬，都是良導(dǎo)體，成結(jié)所建的 空乏區(qū) 只能在晶片側(cè)，那么，晶片就只能用于三極管的基區(qū)或溝道，這樣，肖特基三極管就跟真空管那樣只有一型，真空管相當(dāng)于NPN，而肖特基三極管就只能PNP型 (雙極) 或N溝道 (場(chǎng)效應(yīng))。

機(jī)械開(kāi)關(guān)，能做到的最高頻率，也許就止步于換向片與電刷的組合，
但論開(kāi)關(guān)速度，機(jī)械開(kāi)關(guān)卻是無(wú)窮大，開(kāi)關(guān)狀態(tài)的變化是結(jié)構(gòu)而非阻力，而電子元件即使沒(méi)有存儲(chǔ)效應(yīng)和寄生電容，也有〖載流子遷移率〗這個(gè)限制因素 (就連真空管也逃不掉)，所以，機(jī)械開(kāi)關(guān)的  耐壓、抗湧浪能力、開(kāi)關(guān)速度與飽和壓降，也許都是有源器件永遠(yuǎn)無(wú)法做到的。

在職能上，運(yùn)放可權(quán)充比較器，但比較器側(cè)重于邏輯工況，無(wú)法妥善處理模擬類(lèi)信息，
無(wú)獨(dú)有偶，三極管也有如此差異，高放用管的飽和壓降較高，不需內(nèi)置逆導(dǎo)二極管，亦不會(huì)研發(fā)耐壓太高的品種，開(kāi)關(guān)用管的Pcm顯著低于同級(jí)別的高放管，線性差勁，
這里所指的開(kāi)關(guān)，是有源器件，不包括 相當(dāng)于甲類(lèi)放大偏置 那樣的二極管開(kāi)關(guān)，在這大前提下，仍然不是所有開(kāi)關(guān)用管都得要三極，真空管二極也能開(kāi)關(guān)，磁控管不就是以磁場(chǎng)為外力嗎，電子束是能跑的，得磁場(chǎng)之力，就可以輪流接通陽(yáng)極上的每個(gè)坑槽，起到等同于開(kāi)關(guān)的作用。

MOV，可想像為複合導(dǎo)體的特例，
有說(shuō)，它相當(dāng)于一大堆隨意串並聯(lián)的PN結(jié)，
但我覺(jué)得，它的組成是以一種金屬的氧化物為主，這些金屬氧化物納米微粒以類(lèi)似于 點(diǎn)觸型二極管 的形式靠攏，
但這些微粒是單一材質(zhì)，如果真的可搭建出PN結(jié)也該是雙向的吧，但有可能嗎，我覺(jué)得它們應(yīng)該是相當(dāng)于 齒隙導(dǎo)雷器，
另外，這些微粒不見(jiàn)得都能全部靠攏，而是有一部份會(huì)被微氣隙或灌封材料隔開(kāi)，那就會(huì)跟 複合導(dǎo)體 那樣有隧穿這應(yīng)，
隧穿效應(yīng)所用的絕緣物，通常是貧導(dǎo)體，跟半導(dǎo)體不同，貧導(dǎo)體的成鍵電子沒(méi)有類(lèi)似于「齊納擊穿」的可脫臼機(jī)制，材質(zhì)一旦擊穿就立馬崩壞，所以，MOV對(duì)于超高過(guò)電壓的耐受性及重復(fù)性稍遜于TVS是不無(wú)道理的。

有源，無(wú)源，源，是甚么來(lái)著？！
根據(jù)當(dāng)前所悟，意思有三，權(quán)且稱(chēng)之 三是否。
①是否產(chǎn)生新信息：
電子電路所帶的負(fù)載，其所需往往沒(méi)存在 (但自然規(guī)律允許) 或不常備，那就需要「發(fā)生器」，有源器件，就是發(fā)生器的核心，
②是否跟電源有互動(dòng)：
再生制動(dòng)與有源鉗位，是把負(fù)載釋出的能量往電源返還，賣(mài)電則是將自家所產(chǎn)的電力經(jīng)電源匯出，供給其他用戶，
③是否有增益或需要多個(gè)信息：
二極管，若作調(diào)幅或轉(zhuǎn)頻之用，不需電力，但需要訊號(hào)信息源與載波信息源，三極管有增益，作放大器用 需要功率源和訊號(hào)，集電極調(diào)幅則是 把信息放大作為功率源，以載波為訊號(hào) 這樣做。

非線性，其實(shí)不玄乎，無(wú)非就是 不直或不經(jīng)原點(diǎn) (再不就是兩者兼有)。
但是，適用于電子技術(shù)的非線性，只能是 低階函數(shù)，而〖動(dòng)態(tài)電阻〗所在的區(qū)段更是直線，某些元件的直線不止一道，這些直線必須是 既等距且平行的，才有實(shí)用價(jià)值，
指數(shù)曲線與對(duì)數(shù)曲線，都是實(shí)用素材，可成為電子電路傳遞函數(shù)的賦予者；另方面，動(dòng)態(tài)電阻的存在，必然伴隨伏安特性的劇變，有直線就必有急彎，這個(gè)轉(zhuǎn)捩點(diǎn)就是〖有源區(qū)〗！
再次重申，功率電子學(xué)跟電力電子技術(shù)雖不至于兩碼事，但兩者實(shí)在是不等同，感應(yīng)熔煉和家用電磁灶 (最簡(jiǎn)單的就像玩具，只是震蕩器一個(gè))，都是貨真價(jià)實(shí)不折不扣的電子技術(shù)，但它們都不過(guò)是吃電大戶，對(duì)供電輸電不聞不問(wèn)，不涉及電力電子技術(shù)的范疇，那就只能歸屬于 功率電子工程。
作為電子元件的始祖，真空二極管的用途只是整流，是大訊號(hào)運(yùn)用，閥門(mén)的性質(zhì)，應(yīng)該是個(gè)單向通行的理想開(kāi)關(guān)，整流二極管同樣如此，但是，在門(mén)檻值附近，是二極管 (或穩(wěn)壓管) 伏安特性的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)，拐點(diǎn) (或名膝點(diǎn)) 就是它，此處沒(méi)有增益，但讓兩道信息在此相互作用  可變換出原本沒(méi)有的波形，這效果，就是〖有源〗，幅度調(diào)制的方案，其中之一就是拿半導(dǎo)體二極管來(lái)這樣玩，真空二極管理論上也行，但有沒(méi)有人真的這樣用過(guò)就不得而知了。

線性是甚么，就是電流跟電動(dòng)勢(shì)或電壓降的比例關(guān)系。
這種比例關(guān)系，是實(shí)時(shí)性及本質(zhì)性的，在電源電動(dòng)勢(shì)的播弄下，PN結(jié)完全是「俯仰由人」，勢(shì)壘厚度的變化，使PN結(jié)的等效電阻隨電動(dòng)勢(shì)而增減，
由于等效電阻的變化，使電流跟電動(dòng)勢(shì)或壓降的比例不再是常數(shù)，在直角坐標(biāo)系中描出的伏安特性表現(xiàn)為，不通過(guò)原點(diǎn)，不是直線，或兩者兼有，〖非線性〗之名也許就是如此得來(lái)，
但在非線性的背景里，有一種引人注目的現(xiàn)像就是，在某區(qū)段中，ΔI/ΔV變化不大甚至恒定，恒定，就成為常數(shù)，動(dòng)態(tài)電阻，原來(lái)就是這常數(shù)，這個(gè)動(dòng)態(tài)電阻，不單可用來(lái)穩(wěn)壓或恒流，而且還是衡量三極管線性優(yōu)劣以至電路表現(xiàn)的指標(biāo)。
光耦，各位大神應(yīng)該見(jiàn)過(guò)甚至用過(guò)吧，硫化鎘光敏電阻與小電珠 (微型白熾燈) 的組合，就是元初代的光耦，把兩者並聯(lián)，就可模擬出 跟PN結(jié)正向特性近似 的非線性電阻來(lái)；PTC和NTC是溫度敏感元件，本質(zhì)是普通電阻，但阻值會(huì)隨溫度而變化，給它饋以漸變波，如果電壓瞬時(shí)值的變化跟溫度變化速度相若，則會(huì)呈現(xiàn)類(lèi)似于非線性的效果，但不應(yīng)該跟非線性電阻相提并論。

地是甚么，是各處電位的參考點(diǎn)，是每條環(huán)路的共同歸途，另外就是作故障疏導(dǎo)之用。
接地，有電氣地與大地兩大種，電氣地，以電源端子(或名「軌」)為站臺(tái)，電源端子本來(lái)就是一眾環(huán)路的集散地，作為地的選圵可謂理所當(dāng)然，
但是，接線柱與總線的存在，會(huì)導(dǎo)致公共阻抗的形成，即使阻值為零，但如果電路是高頻系統(tǒng)，這公共阻抗就會(huì)激起感抗，導(dǎo)致〖地彈〗現(xiàn)像，
若把接地點(diǎn)投放至電路板上，則還有造成接地環(huán)道的可能，接地環(huán)道對(duì)系統(tǒng)內(nèi)外都會(huì)造成干擾，無(wú)論公共阻抗抑或接地環(huán)道，電容去耦是平息「內(nèi)亂」的好辦法，但去耦電容必須繞過(guò)接地路段緊貼電路端頭才管用，
倘若電源端子接至大地，則大地亦成了電氣地，但是，大地的主要用途是，事故地，亦就是漏電時(shí)的泄放通道，可保護(hù)人體免遭電亟，也是漏電斷路器發(fā)揮作用所必須的配置，引發(fā)漏保動(dòng)作的，就是由漏電所建立的勵(lì)磁電流，
在電子電路中，有一種地叫做〖交流地〗，如果能以電源端子為地，又何需「另起爐灶」呢，既名交流地，選圵自然有別于電氣地，交流地的設(shè)立，是以電氣地為樁基，在電路中安釘 (穩(wěn)壓管或大容量電容) 設(shè)點(diǎn)而成，電位穩(wěn)固程度稍遜于電氣地但足以湊合，有沒(méi)有發(fā)覺(jué)，交流地的最常用戶，往往就是三極管。

傳輸市電的架空電纜有多粗細(xì)，大家有目共睹，
40瓦熒光燈管有多粗，理應(yīng)更是家喻戶曉了吧，發(fā)電機(jī)電樞與主變壓器繞組所用的線材我沒(méi)見(jiàn)識(shí)過(guò)，但估計(jì)不會(huì)比熒光燈管粗多了去，太粗了，別的不說(shuō)，揻彎就不好搞，
40瓦熒光燈管的截面，相當(dāng)于現(xiàn)今的一元硬幣，根據(jù)安規(guī)算個(gè)賬，你說(shuō)可搭載的電流能有多大，那么，增加電壓輸出，就是提升單機(jī)功率的唯一出路，電線可以超導(dǎo)，有源器件想做到零電阻，估計(jì)比線材更難，更糟的是，那個(gè)非線性是有源器件的本命機(jī)制，無(wú)法以超導(dǎo)手段來(lái)排解，這樣，有源器件也許永遠(yuǎn)無(wú)法實(shí)現(xiàn)零管耗，勢(shì)將成為開(kāi)關(guān)電源發(fā)展的瓶頸！

終有那么一天，電子技術(shù)進(jìn)軍強(qiáng)電領(lǐng)域，
真空管需要的電源電壓，至少超過(guò)110V，所以直接掛載于電網(wǎng)，
但是，整流不屬于電子技術(shù)，三極管的用場(chǎng)則僅限于線性放大與邏輯電路，算不上  電力電子技術(shù)，
汞弧管 (引燃管)，可理解為真空管版的可控硅，勉強(qiáng)算是電力電子技術(shù)的鼻祖，但是，電力電子技術(shù)是對(duì)供電與用電的深度控制，這是大功率半導(dǎo)體有源器件面世之后的事情了。
電氣工程及電力電子技術(shù)，有一個(gè)共同點(diǎn)，就是都往高(電壓)發(fā)展，相比于器物的粗細(xì)與重量，耐壓對(duì)絕緣材料的考驗(yàn)算不了甚么，這就為電力傳輸?shù)母邏夯�提供了空間，
不論導(dǎo)線還是芯片，其面積都必須跟電流適配，高壓化，可使繞組線徑及芯片面積縮小，對(duì)有源器件而言，耐壓的提升令芯片厚度的增幅不大，開(kāi)關(guān)電源往高發(fā)展的，除了電壓還有頻率，頻率愈高，繞組匝數(shù)就愈少，想要高壓化就得增加匝數(shù)，這樣，能用的頻率就可更高，而且，高壓化可減小線徑，不單使繞組易于制作，還減少了線材因集膚效應(yīng)的架空所造成的浪費(fèi)。

功因補(bǔ)償與阻抗匹配，都是供求關(guān)系，
功因補(bǔ)償，是資源應(yīng)用合理化，阻抗匹配，則是利益最大化，
功因，先是有相移功因，后來(lái)，波形的影響漸漸不可忽視，對(duì)于相移功因的概念，起初只有無(wú)功，其實(shí)，有功也會(huì)影響功因，而且是相移功因與波形功因皆被涉及，
原始的功因校正，是無(wú)功補(bǔ)償，方法有  集中、小組與就地 這么三種，我就納悶，如何做到「肥水不流外人田」，亦就是怎樣才能使補(bǔ)償電容的貯能釋放局限于指定用戶，
我想，要么以變壓器隔離，要么就是使用很長(zhǎng)的電源線 (單個(gè)負(fù)載多用此法)，利用其電阻的壓降使電容電壓始終低于電網(wǎng)電壓，大概是這樣吧。
功因，是供求的比例關(guān)系，這比例沒(méi)限制，只要是固定的，功因就是1，而阻抗匹配的供求關(guān)系卻是有定的，就是必須為 二份一，亦就是負(fù)載阻抗等于電源內(nèi)阻，負(fù)載壓降只有電源電動(dòng)勢(shì)的一半而不是全部，阻抗不論哪種方式匹配，都是負(fù)載與電源之間的事，如有中介環(huán)節(jié) (變壓器或傳輸線)，在匹配狀態(tài)下，中介環(huán)節(jié)不會(huì)瓜分任何電壓。

空芯線圈，空間就是唯一的磁路，所以是沒(méi)有漏磁這回事的，
漏磁的成因，是磁阻或繞組疏密的不均勻，比如，電源變壓器，磁路是完全閉合的，如果原邊繞組把鐵芯全部覆蓋，理論上就沒(méi)有漏磁了，
鐵芯開(kāi)了氣隙，並不表示不會(huì)飽和，氣隙跟鐵芯是串聯(lián)的，空氣磁導(dǎo)率雖遠(yuǎn)低于鐵芯但沒(méi)有極限，所以，氣隙磁密可以達(dá)至足以令鐵芯飽和的程度，
分別只是，令開(kāi)氣隙鐵芯飽和所需的勵(lì)磁電流比閉合磁路大得多，勵(lì)磁電流愈大，貯能就愈多，故此，用作扼流或貯能的鐵芯線圈都會(huì)開(kāi)氣隙，不過(guò)，閉合型磁路氣隙過(guò)大則電感量大幅減小，所以氣隙宜狹不宜寬，
自感沒(méi)有漏感，互感及動(dòng)生模式才有漏感，直至目前為止，漏感問(wèn)題仍然無(wú)法根絕，即使是環(huán)形變壓器，磁路徹底閉合，繞組也嚴(yán)絲密縫完全覆蓋，但仍不能把漏感消滅，漏感不會(huì)影響變壓器的等功率傳輸規(guī)則，但會(huì)影響短路反射阻抗，用于開(kāi)關(guān)電路時(shí)，影響的就是開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力 (尖峰與震鈴)。

這是一個(gè)很龐大的系統(tǒng)，當(dāng)然也包括我們所生活的方方面面，根據(jù)術(shù)業(yè)專(zhuān)攻不同，又可以分為很多微專(zhuān)業(yè)，對(duì)我來(lái)說(shuō)，真正學(xué)懂其中的精髓是很困難的

電壓源與電流源，皆為自然規(guī)律所允許，但能在現(xiàn)實(shí)中立足的，都是電壓源，所以，這世界是以電壓源為本位的，
悖論，是不可調(diào)和的矛盾，當(dāng)事物中含有悖論，自然規(guī)律就無(wú)法允許其存在，實(shí)際上是，缺陷與極限 把矛盾屏蔽了，所以，天地萬(wàn)物皆有缺陷與極限，恒流源與恒流源是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，
串激發(fā)電機(jī)，可能是唯一能在現(xiàn)實(shí)中立足的非電壓源型電源，它有兩種負(fù)荷特性，加載時(shí)，先是 負(fù)輸出阻抗，當(dāng)負(fù)載阻抗減小至某程度，才突然變?yōu)椤鸽娏髟础�，可這電流源實(shí)在不像話，輸出阻抗太低了，比電焊機(jī)變壓器還要差勁，
電焊變壓器跟電源變壓器或聲頻變壓器，原理一樣，用法也近似，都是帶鐵芯的線圈，差別只是，鐵芯有氣隙，還有磁分路把副邊跟原邊隔開(kāi)，所以這是個(gè) 漏磁變壓器，除了焊機(jī)，在電子鎮(zhèn)流器還未普及的年代，漏磁變壓器也是大功率HID的伙伴。

射極跟隨器，是電子電路，包含有源器件，它的平衡有賴(lài)于 電壓串聯(lián)負(fù)反饋，
變壓器，只是一個(gè)由幾組線圈結(jié)集而成的無(wú)源元件，論性質(zhì)，是個(gè)傳遞電力的換能器，論執(zhí)行機(jī)制，除了電磁感應(yīng)沒(méi)其他了，
在射極跟隨器中，Ib是受負(fù)載壓降反制的，負(fù)載壓降的波動(dòng)不會(huì)超過(guò)Ube，這是負(fù)反饋，變壓器根本沒(méi)有負(fù)反饋機(jī)制，但負(fù)載壓降透過(guò)反射阻抗，同樣對(duì)勵(lì)磁電流起著反制的作用，
射極跟隨器與變壓器，類(lèi)別不同，原理迥然，但效果表現(xiàn)卻是 異曲同工，都是 以負(fù)載為制導(dǎo)的動(dòng)態(tài)平衡，看來(lái)，在博大精深的自然規(guī)律中，動(dòng)態(tài)平衡無(wú)處不在，而動(dòng)態(tài)平衡建立的機(jī)理也是多種多樣，並未全為人類(lèi)所悉。

謝謝分享，真是有效的學(xué)習(xí)到很多知識(shí)。