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功率MOSFET的開關(guān)損耗:關(guān)斷損耗

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發(fā)布時(shí)間: 2017-3-6 15:30

正文摘要:

功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣,有4個(gè)階段,但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動回路的等效電路圖如圖1所示,RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻,RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻,RDown為驅(qū)動電路的下拉電阻, ...

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