本帖最后由 cherrydang 于 2017-12-28 10:45 編輯
PS:轉(zhuǎn)載至鼎陽硬件智庫 近年來,LED照明在國內(nèi)得到了迅猛的應(yīng)用,它在市場上的銷量呈現(xiàn)爆炸式的增長,在其所用的電源中,反激式LED驅(qū)動(dòng)電源因其成本低、安全的特性好的優(yōu)點(diǎn)而得到了廣泛的應(yīng)用。但是,在設(shè)計(jì)過程中,一般的工程師由于經(jīng)驗(yàn)不足,會(huì)造成燒機(jī)的毛病,其中重要的原因之一,就是功率MOS管電路的設(shè)計(jì)調(diào)試不當(dāng),本文基于這個(gè)考慮,介紹一種使用示波器測試的手段,講解下相關(guān)電路的調(diào)試方法,對于不同的電路拓?fù),可以采取本方法,舉一反三,通過測試,達(dá)到保證使用的三極管的可靠性的目的!  首先,還是簡單回顧下反激式LED驅(qū)動(dòng)電源的工作原理:如圖1,是一個(gè)反激式LED驅(qū)動(dòng)電源的簡圖,略去輸入電源部分  下面根據(jù)本文的主圖,重點(diǎn)針對MOS管的部分做簡單的原理講解:控制電路根據(jù)電路各取樣回路的取樣,做出判斷,按照設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)編好的工作模式,控制MOS管的工作狀態(tài),開通或者關(guān)斷,R1,C1和D1構(gòu)成吸收回路,用于吸收由于漏感的能量,防止漏感能量無釋放的回路而產(chǎn)生過沖導(dǎo)致MOS管的峰值電壓太高而燒毀MOS管,D2和C2構(gòu)成次級(jí)供電的整流濾波回路,R2是MOS管電流取樣電阻。 當(dāng)MOS管開通的時(shí)候,各部分的電壓(或電動(dòng)勢)的方向是,線電壓通過變壓器,MOS管和取樣電阻形成回路,同時(shí)形成工作電流,而次級(jí)的電壓(或電動(dòng)勢)通過功率二極管,電容和負(fù)載形成回路,由于功率二極管是反向偏置,呈現(xiàn)關(guān)斷狀態(tài),次級(jí)無電流通過,此時(shí)的變壓器相當(dāng)一個(gè)功率儲(chǔ)能電感,把能量儲(chǔ)存在其中,如圖2紅箭頭方向所示: 
當(dāng)MOS管的電流上升到一定的數(shù)值時(shí),控制電路通過取樣電阻感應(yīng)得知,此時(shí)關(guān)斷給MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào),MOS管關(guān)斷,T1變壓器的次級(jí)感應(yīng)電壓反轉(zhuǎn),二極管正向?qū)ǎ儔浩髦写鎯?chǔ)的能量通過二極管向?yàn)V波電容C2和負(fù)載釋放,而存儲(chǔ)在變壓器漏感中的能量是無法向次級(jí)釋放的,由于電感電流不能突變,這些能量就加在MOS管上,造成MOS管尖峰電壓迅速升高,這時(shí)如果不加措施,將會(huì)擊穿MOS管,所以在電路上增加了一個(gè)由C1、R1和D1組成的能量吸收電路,它的工作原理是,給漏感產(chǎn)生的電壓提供一個(gè)回路,在尖峰電壓到來之際,通過二極管把能量送進(jìn)電容,通過電阻放電消耗掉這些存儲(chǔ)在變壓器漏感中的能量,從而保證三極管的安全。如圖3所示: 
了解了基本原理,在設(shè)計(jì)產(chǎn)品的時(shí)候,就要對工程樣板進(jìn)行測試,以便進(jìn)行元器件可靠性的評估。 下面使用鼎陽SDS2024示波器對MOS管進(jìn)行電壓和電流的測量,通道1測量MOS管漏記電壓的波形,通道2測量MOS管漏極電流的波形! 圖4,是同時(shí)測量兩個(gè)通道的波形!其中藍(lán)色波形是MOS管漏極和源極之間的電壓波形,綠色的是MOS管電流的波形,我們可以看到,當(dāng)MOS管導(dǎo)通的時(shí)候,MOS管的電壓為0,藍(lán)色的線的位置最低,這個(gè)時(shí)候,MOS管的電流開始上升,如綠色波形所示,當(dāng)MOS管關(guān)斷的時(shí)候,MOS管的電壓上升,藍(lán)色的線位置升高,MOS管的電流急劇降低到0,綠色線很快到達(dá)最低點(diǎn)。同時(shí)觀看這兩個(gè)重疊的波形可以使我們搞清楚MOS管在開通和關(guān)斷的時(shí)候,電壓和電流隨時(shí)間變化的過程! 下面講解下根據(jù)測試結(jié)果如何調(diào)整電路參數(shù) 
下面,我將分別關(guān)上一個(gè)通道,把電壓和電流的波形分開,一個(gè)個(gè)予以分析 如圖5.是MOS管電壓的波形,我們需要測試的參數(shù)是,MOS管上承受的最大電壓,我們?nèi)鐖D可以測量到最大的電壓是紅色箭頭所指之處,它已經(jīng)包含了疊加了漏感的尖峰電壓,使用CUESORS光標(biāo),我們測量的結(jié)果是496V。 
當(dāng)然,我們也可以使用MEASURE功能,而不是CURSORS功能顯示最大的電壓值,如圖5A所示,這個(gè)數(shù)字是504V,結(jié)果在數(shù)字上有點(diǎn)誤差,這是正常的,因?yàn)槿庋叟袛嘧畲笾禃r(shí),有的很尖的波形看不到,而示波器卻可以采樣到的! 
如圖6.是MOS管電流的波形,我們需要測試的參數(shù)是,MOS管上工作的最大電流!如圖紅色箭頭所指的是通過MOS管的工作狀態(tài)的最大電流,綠色箭頭所指的是通過MOS管的最大浪涌電流,這個(gè)電流的形成是在MOS管開通的一霎那,線電壓通過MOS管回路給變壓器極間分布電容的充電電流,因?yàn)檫@個(gè)分布電容是變壓器的寄生參數(shù),它的數(shù)值很小,充電的時(shí)間極短,所以這個(gè)電流的特點(diǎn)是時(shí)間間隔特別小,波形尖峰突出,如圖所示,但是MOS管所能承受的瞬間浪涌電流數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過它的標(biāo)稱電流數(shù)值,所以這個(gè)電流的尖峰看起來似乎很大,但是實(shí)際運(yùn)用時(shí)幾乎可以忽略不計(jì),我們通過CURSORS按鈕,可以測量的通過MOS管極間的最大電流就是紅色箭頭所標(biāo)的500毫安。  根據(jù)調(diào)試的波形進(jìn)行MOS管參數(shù)的選用:1.MOS管的耐壓值:在本電路中,通過圖5可以看到,MOS管上承受的峰值電壓已經(jīng)達(dá)到了500V,為了安全起見,我們選用耐壓值是600V的MOS管就可以了; 2.MOS管的電流值:在本電路中,通過圖6可以看到,MOS管上承受的峰值電流值是500毫安,我們可以選用最大工作電流是1A的MOS管。 綜合以上得知,1N60的MOS管完全可以達(dá)到產(chǎn)品的可靠性要求! 值得注意的是:調(diào)節(jié)吸收回路R1和C1的數(shù)值可以調(diào)節(jié)峰值電壓的高低,但是同時(shí)也會(huì)影響整機(jī)的效率,調(diào)節(jié)的峰值電壓高,效率也好,對MOS管的耐壓也是要求高,反之亦然! |