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ARM7和Cortex-M3比較

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ID:26661 發(fā)表于 2010-11-3 10:47 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
比較項(xiàng)目 ARM7 Cortex-M3
架構(gòu) ARMv4T(馮諾依曼)
指令和數(shù)據(jù)總線共用,會出現(xiàn)瓶頸
ARMv7-M(哈佛)
指令和數(shù)據(jù)總線分開,無瓶頸
指令集 32位ARM指令+16位Thumb指令
兩套指令之間需要進(jìn)行狀態(tài)切換
Thumb/Thumb-2指令集 16位和32位
指令可直接混寫,無需狀態(tài)切換
流水線  3級流水線 若出現(xiàn)轉(zhuǎn)移則需要刷新流水線,損失慘重 3級流水線+分支預(yù)測 出現(xiàn)轉(zhuǎn)移時流水線無需刷新,幾乎無損失
性能 0.95DMIPS/MHz(ARM模式) 1.25DMIPS/MHz
功耗 0.28mW/MHz 0.19mW/MHz
低功耗模式 內(nèi)置睡眠模式
面積 0.62mm2(僅內(nèi)核) 0.86mm2(內(nèi)核+外設(shè))
中斷 普通中斷IRQ和快速中斷FIQ太少,大量外設(shè)不得不復(fù)用中斷 不可屏蔽中斷NMI+1-240個物理中斷
每個外設(shè)都可以獨(dú)占一個中斷,效率高
中斷延遲  24-42個時鐘周期,緩慢 12個時鐘周期,最快只需6個
 中斷壓棧  軟件手工壓棧,代碼長且效率低  硬件自動壓棧,無需代碼且效率高
存儲器保護(hù)  無 8段存儲器保護(hù)單元(MPU)
內(nèi)核寄存器  寄存器分為多組、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、占核面積多  寄存器不分組(SP除外),結(jié)構(gòu)簡單
工作模式  7種工作模式,比較復(fù)雜 只有線程模式和處理模式兩種,簡單
 乘除法指令 多周期乘法指令,無除法指令 單周期乘法指令,2-12周期除法指令
位操作  無 訪問外設(shè)寄存器需分“讀-改-寫”3步走 先進(jìn)的Bit-band位操作技術(shù),可直接訪問外設(shè)寄存器的某個值
系統(tǒng)節(jié)拍定時  無  內(nèi)置系統(tǒng)節(jié)拍定時器,有利于操作系統(tǒng)移植
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