這一時(shí)期,內(nèi)部存儲(chǔ)器 EEPROM 和 MCU 是分開封在同一封裝內(nèi)部。侵入者可用微探針來(lái)獲取數(shù)據(jù)。
三、安全熔斷絲(Security Fuse)
隨著入侵者的增加,MCU 為了自身的安全,后來(lái)增加了安全熔斷絲(Security Fuse)來(lái)禁止訪問數(shù)據(jù)。如圖:
優(yōu)點(diǎn):很容易做到,不需要完全重新設(shè)計(jì) MCU 構(gòu)架,僅用熔斷 絲來(lái)控制數(shù)據(jù)的訪問。
缺點(diǎn):熔斷絲容易被定位、攻擊。例如:熔絲的狀態(tài)可以通過直 接把位輸出連到電源或地線上來(lái)進(jìn)行修改。有些僅用激光或聚焦離子 束來(lái)切斷熔絲的感應(yīng)電路就可以了。用非侵入式攻擊也一樣成功,因 為一個(gè)分離的熔絲版圖異于正常存儲(chǔ)陣列,可以用組合外部信號(hào)來(lái)使 位處與不能被正確讀出的狀態(tài),那樣就可以訪問存在內(nèi)部芯片上信息 了。用半侵入式攻擊可以使破解者快速取得成功,但需要打開芯片的 封裝來(lái)接近晶粒。一個(gè)眾所周知方法就是用紫外線擦掉安全熔斷絲。