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DS18B20

[復(fù)制鏈接]
ID:289194 發(fā)表于 2018-3-9 08:27 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
DS18B20時(shí)序詳解
初始化時(shí)序:
DS18B20的所有通信都是以由復(fù)位脈沖組成的初始化序列開始。該初始化序列由主機(jī)發(fā)出,后跟由DS18B20發(fā)出的存在脈沖(presence pulse)。下圖闡述了這一點(diǎn)。
file:///C:\Users\houwanyou\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps709D.tmp.jpg
DS18B20發(fā)出存在脈沖,通知主機(jī)它在總線上并且準(zhǔn)備好操作了。
在初始化時(shí)序中,總線上的主機(jī)通過拉低單總線至少480μs發(fā)送復(fù)位脈沖。然后總線主機(jī)釋放總線并進(jìn)入接收模式?偩釋放后,4.7kΩ的上拉電阻把單總線上的電平拉回高電平。當(dāng)DS18B20檢測到上升沿后等待1560us,然后以拉低總線60-240us的方式發(fā)出存在脈沖。
所述,主機(jī)將總線拉低最短480us,之后釋放總線。由4.7kΩ上拉電阻總線恢復(fù)到高電平。DS18B20檢測到上升沿后等待1560us,發(fā)出存在脈沖:拉低總線60-240us。至此,初始化和存在時(shí)序完畢。

    /*延時(shí)函數(shù):(由于DS18B20延時(shí)均以15us為單位,故編寫了延時(shí)單位為15us的延時(shí)函數(shù),注意:以下延時(shí)函數(shù)晶振為12MHz*/
    /*
    ************************************
    函數(shù):Delayxus_DS18B20
    功能:DS18B20延時(shí)函數(shù)
    參數(shù):t為定時(shí)時(shí)間長度
    返回:無
    說明: 延時(shí)公式:15n+15(近似),晶振12Mhz
    ******************************************
    */
    void Delayxus_DS18B20(unsigned int t)
    {
          for(t;t>0;t--)
          {
                 _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
          }     
          _nop_(); _nop_();
    }
/*
    ************************************
    函數(shù):RST_DS18B20
    功能:復(fù)位DS18B20,讀取存在脈沖并返回
    參數(shù):無
    返回:1:復(fù)位成功 ;0:復(fù)位失敗
    說明: 拉低總線至少480us ;可用于檢測DS18B20工作是否正常
    ******************************************
    */
    bit RST_DS18B20()
    {            
          bit ret="1";
          DQ=0;/*拉低總線 */
          Delayxus_DS18B20(32);/*為保險(xiǎn)起見,延時(shí)495us */
          DQ=1;/*釋放總線 ,DS18B20檢測到上升沿后會(huì)發(fā)送存在脈沖*/
          Delayxus_DS18B20(4);/*需要等待15~60us,這里延時(shí)75us后可以保證接受到的是存在脈沖 */
          ret=DQ;
          Delayxus_DS18B20(14);/*延時(shí)495us,讓ds18b20釋放總線,避免影響到下一        步的操作 */
       DQ=1;/*釋放總線 */
          return(~ret);
    }
寫時(shí)序:
主機(jī)在寫時(shí)隙向DS18B20寫入數(shù)據(jù),在讀時(shí)隙從DS18B20數(shù)據(jù)。在單總線上每個(gè)時(shí)隙只傳送一位數(shù)據(jù)。
有兩種寫時(shí)隙:寫“0”時(shí)間隙和寫“1”時(shí)間隙?偩主機(jī)使用寫“1”時(shí)間隙向DS18B20寫入邏輯1,使用寫“0”時(shí)間隙向DS18B20寫入邏輯0.所有的寫時(shí)隙必須有最少60us的持續(xù)時(shí)間,相鄰兩個(gè)寫時(shí)隙必須要有最少1us的恢復(fù)時(shí)間。兩種寫時(shí)隙都通過主機(jī)拉低總線產(chǎn)生(見圖)。
file:///C:\Users\houwanyou\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps709E.tmp.jpg
產(chǎn)生寫1時(shí)隙,在拉低總線后主機(jī)必須在15μs內(nèi)釋放總線。在總線被釋放后,由于4.7kΩ上拉電阻總線恢復(fù)為高電平。為產(chǎn)生寫0時(shí)隙,在拉低總線后主機(jī)必須繼續(xù)拉低總線以滿足時(shí)隙持續(xù)時(shí)間的要求(至少60μs)。
在主機(jī)產(chǎn)生寫時(shí)隙后,DS18B20會(huì)在其后的1560us的一個(gè)時(shí)間窗口內(nèi)采樣單總線。在采樣的時(shí)間窗口內(nèi),如果總線為高電平,主機(jī)會(huì)向DS18B20寫入1;如果總線為低電平,主機(jī)會(huì)向DS18B20寫入0。
所述,所有的寫時(shí)隙必須至少有60us的持續(xù)時(shí)間。相鄰兩個(gè)寫時(shí)隙必須要有最少1us的恢復(fù)時(shí)間。所有的寫時(shí)隙(寫0和寫1)都由拉低總線產(chǎn)生。
寫函數(shù)為:
    /*
    ************************************
    函數(shù):WR_Bit
    功能:向DS18B20寫一位數(shù)據(jù)
    參數(shù):i為待寫的位
    返回:無
    說明: 總線從高拉到低產(chǎn)生寫時(shí)序
    ******************************************
    */
    void WR_Bit(bit i)
    {
          DQ=0;//產(chǎn)生寫時(shí)序
          _nop_();
          _nop_();//總線拉低持續(xù)時(shí)間要大于1us
          DQ=i;//寫數(shù)據(jù) ,01均可
          Delayxus_DS18B20(3);//延時(shí)60us,等待ds18b20采樣讀取
          DQ=1;//釋放總線
    }
    /*
/*
    ***********************************
    函數(shù):WR_Byte
    功能:DS18B20寫字節(jié)函數(shù),先寫最低位
    參數(shù):dat為待寫的字節(jié)數(shù)據(jù)
    返回:無
    說明:無
    ******************************************
    */
    void WR_Byte(unsigned char dat)
    {
          unsigned char i="0";
          while(i++<8)
          {
                 WR_Bit(dat&0x01);//從最低位寫起
                 dat>>=1; //注意不要寫成dat>>1
          }
    }
讀時(shí)序:
DS18B20只有在主機(jī)發(fā)出讀時(shí)隙后才會(huì)向主機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù)。因此,在發(fā)出讀暫存器命令 [BEh]或讀電源命令[B4h]后,主機(jī)必須立即產(chǎn)生讀時(shí)隙以便DS18B20提供所需數(shù)據(jù)。另外,主機(jī)

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