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FNB3210 The FNB3210 is a single Phase MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs. The integrated bootstrap diode reduces external component count. With a wide operating voltage range, high or low side MOSFET gate drive voltage can be optimized for the best efficiency. Internal adaptive nonoverlap circuit further reduces switching losses by preventing simultaneous conduction of both MOSFETs. The UVLO circuits prevent malfunction when VCC is lower than the specified threshold voltage. Wireless Charger for 5W to 20W Systems Half or full bridge driver for N+N MOSFET
馬達(dá)驅(qū)動電路 DW7888
概述 DW7888 是一款 DC 雙向馬達(dá)驅(qū)動電路，它適用于玩具等類的電機(jī)驅(qū)動、自動閥門電機(jī)驅(qū)動、電磁門鎖驅(qū)動 等。它有兩個邏輯輸入端子用來控制電機(jī)前進(jìn)、后退及制動。該電路具有良好的抗干擾性，微小的待機(jī)電流、 低的輸出內(nèi)阻，同時，它還具有內(nèi)置二極管能釋放感性負(fù)載的反向沖擊電流。
特性 ●微小的待機(jī)電流 (小于 2uA)； ●工作電壓范圍寬：2.0V~9.6V； ●有剎車功能； ●有過熱保護(hù)功能； ●有過流嵌流及短路保護(hù)功能；
典型應(yīng)用 ●玩具類的電機(jī)驅(qū)動; ●自動閥門電機(jī)驅(qū)動; ●電磁門鎖驅(qū)動。
MX2113
特性
BOST 二極管擊穿電壓 50V — 可安全應(yīng)用于 36V 供電系統(tǒng)中 高峰值電流輸出能力 — 峰值輸出電流 1.7A — 帶 2.2nF 負(fù)載上升時間 58ns — 峰值吸入電流 2.3A — 帶 2.2nF 負(fù)載下降時間 19.7ns 內(nèi)部集成 50V 耐壓自舉二極管 — 無需外接自舉二極管 輸入引腳內(nèi)置下拉電阻 — 集成 110K 對地下拉電阻 — 輸入信號兼容 3.3V/5V CMOS 輸入 多種防共態(tài)導(dǎo)通技術(shù) — 對輸入信號進(jìn)行邏輯運(yùn)算，使能信號為高 時，HO/LO 輸出電平相反，避免出現(xiàn) HO、 LO 同時輸出高電平 — 內(nèi)部設(shè)置 38ns 死區(qū)時間 — 檢測 HO、 LO 口狀態(tài)，反饋給邏輯電路，避 免出現(xiàn) HO、LO 同時輸出高電平
說明
MX2113 是為使用雙 N 溝道 VDMOS 功率管的橋式 電路設(shè)計的功率管柵極驅(qū)動 IC，可應(yīng)用于直流有 刷、直流無刷電機(jī)以及類似感性負(fù)載的驅(qū)動電路 中。 芯片的輸入信號 IN 和使能信號 EN 控制高邊驅(qū)動電 路輸出(HO)和低邊驅(qū)動電路輸出(LO)。芯片設(shè)計了 驅(qū)動輸出信號(HO、LO) 狀態(tài)檢測電路，將輸出信號 的狀態(tài)反饋到內(nèi)部邏輯，可有效避免出現(xiàn)高邊、低 邊功率管同時導(dǎo)通的情況。此外，內(nèi)部還設(shè)計有約 38ns死區(qū)時間，功率管開關(guān)速度小于 100ns 的應(yīng)用 中，單片機(jī)輸出信號可以不考慮死區(qū)時間設(shè)置。 芯片內(nèi)部沒有設(shè)計欠壓鎖定電路，可自行通過單片 機(jī)靈活設(shè)置電壓保護(hù)點(diǎn)
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