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如何理解單片機(jī)開(kāi)漏輸出與推挽輸出引腳的意義?

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1、開(kāi)漏輸出_OUT_OD ——IO輸出0接GND,IO輸出1,懸空,需要外接上拉電阻,才能實(shí)現(xiàn)輸出高電平。當(dāng)輸出為1時(shí),IO口的狀態(tài)由上拉電阻拉高電平,但由于是開(kāi)漏輸出模式,這樣IO口也就可以由外部電路改變?yōu)榈碗娖交虿蛔儭?梢宰xIO輸入電平變化,實(shí)現(xiàn)C51的IO雙向功能2、推挽輸出_OUT_PP ——IO輸出0-接GND, IO輸出1 -接VCC,讀輸入值是未知的


問(wèn)題:上面說(shuō)推挽輸出時(shí),IO輸出0-GND,這有什么意義呢?我本來(lái)目的就是為輸出低電平,接GND做什么?如何理解?
謝謝
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ID:203000 發(fā)表于 2018-5-10 14:20 | 只看該作者
概念問(wèn)題。推挽輸出時(shí),IO輸出0-接GND正確的。單片機(jī)的低電平就是0(只有接地GND才是0).

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ID:302217 發(fā)表于 2018-5-10 14:28 | 只看該作者
應(yīng)該是說(shuō),0電平相當(dāng)于GND。這段是說(shuō),開(kāi)漏輸出時(shí),把輸出管關(guān)斷或者在輸出管未導(dǎo)通時(shí),這個(gè)IO口就可以變成I口,也就是輸入口,可以用來(lái)讀取這個(gè)IO口的外部狀態(tài);推挽輸出由于狀態(tài)一般非高即低,不存在高阻態(tài)(實(shí)際上也存在,內(nèi)部同時(shí)關(guān)斷上下兩個(gè)MOS管就行,作為I口使用時(shí),內(nèi)部就是這樣設(shè)定的),所以只能作為O口也就是輸出口,作為I口使用需要重新設(shè)定。

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地板
ID:123289 發(fā)表于 2018-5-10 18:22 | 只看該作者
是指將引腳上你接的東西,通過(guò)內(nèi)部一個(gè)開(kāi)關(guān)(元件)再接到地上。簡(jiǎn)稱(chēng)接地(暗指將引腳接地)。
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5#
ID:326446 發(fā)表于 2018-5-10 21:33 | 只看該作者
參照下面的簡(jiǎn)圖:


K1、K2相當(dāng)于口線(xiàn)內(nèi)接的MOS管,有開(kāi)關(guān)兩個(gè)狀態(tài)。

推挽輸出:口線(xiàn)內(nèi)接上下兩只MOS管,K1打開(kāi)、K2閉合時(shí)相當(dāng)于口線(xiàn)接VCC,輸出高電平(輸出電流)。K1閉合、K2打開(kāi)時(shí)相當(dāng)于口線(xiàn)接GND,輸出低電平(吸入電流)。從電流角度看,口線(xiàn)即可輸出電流也可吸入電流,形如一推一拉,所以名曰“推挽”。

開(kāi)漏輸出:口線(xiàn)內(nèi)只接了一只MOS管,口線(xiàn)外部可通過(guò)上拉電阻接VCC。K1閉合時(shí),口線(xiàn)接地,輸出低電平。K1打開(kāi)時(shí),口線(xiàn)通過(guò)上拉電阻拉到高電平。此種形式,口線(xiàn)內(nèi)接的MOS管漏極只通過(guò)口線(xiàn)將其引出,內(nèi)部不接任何元件,是開(kāi)路的,所以名曰“開(kāi)漏”。

單片機(jī)的低電平就是地,“地”是整個(gè)電路里電位的最低點(diǎn),口線(xiàn)接地其輸出的就是低電平了。


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6#
ID:65828 發(fā)表于 2018-5-10 22:09 | 只看該作者
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),推挽輸出主要是增加輸出電流的能力,也就是增加IO口的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,在快速翻轉(zhuǎn)和驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的時(shí)候有大作用。
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7#
ID:223571 發(fā)表于 2018-5-11 10:39 | 只看該作者
yzwzfyz 發(fā)表于 2018-5-10 18:22
是指將引腳上你接的東西,通過(guò)內(nèi)部一個(gè)開(kāi)關(guān)(元件)再接到地上。簡(jiǎn)稱(chēng)接地(暗指將引腳接地)。

換個(gè)問(wèn)法:推挽輸出,要輸出高低電平,單片機(jī)外部分別該怎么接線(xiàn)?
                 開(kāi)漏輸出,要輸出高低電平,單片機(jī)外部分別該怎么接線(xiàn)?
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8#
ID:302217 發(fā)表于 2018-5-11 11:56 | 只看該作者
推挽輸出高低電平,直接輸出就行,在一定負(fù)載下,可以理解為高即是V+,低即是地,負(fù)載大時(shí)需要考慮MOS管的導(dǎo)通電阻,也就是驅(qū)動(dòng)能力。這樣的輸出級(jí)有個(gè)好處,就是高低電平驅(qū)動(dòng)能力都比較強(qiáng),而且自身接近不消耗能量;開(kāi)漏輸出腳需要通過(guò)一顆上拉電阻接到V+,也就是說(shuō)高電平時(shí)這顆電阻給出的。開(kāi)漏輸出低電平可以到地,也就是說(shuō),低電平驅(qū)動(dòng)能力比較強(qiáng),而高電平輸出的驅(qū)動(dòng)能力取決于選取的上拉電阻,上拉電阻一般不會(huì)太小,因?yàn)槿绻,?huì)分流低電平驅(qū)動(dòng)能力,所以高電平驅(qū)動(dòng)會(huì)限制于一顆比較大的電阻。
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9#
ID:326954 發(fā)表于 2018-5-11 12:20 | 只看該作者
推挽輸出其實(shí)就是所說(shuō)的“推電流”,開(kāi)漏輸出就是所謂的“灌電流”
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10#
ID:421073 發(fā)表于 2018-11-24 15:33 | 只看該作者
bg1trk 發(fā)表于 2018-5-10 21:33
參照下面的簡(jiǎn)圖:

這圖是最醒目的,其他的完全天花亂墜,云里霧里
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11#
ID:420836 發(fā)表于 2018-11-25 02:42 | 只看該作者
IO輸出0就是接地GND
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12#
ID:388197 發(fā)表于 2018-11-25 22:19 | 只看該作者
簡(jiǎn)單的說(shuō),PP可以理解為一個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān),單刀那個(gè)是輸出,雙擲一個(gè)接VCC 一個(gè)接GND,當(dāng)單刀與VCC接通,那么輸出就是1,反之則為0,因?yàn)檩敵鍪窃匐娫吹膬蓸O切換,所以輸出電阻很小,無(wú)論輸出高和輸出低,帶載能力都很強(qiáng).

OD或者OC的模型更簡(jiǎn)單,就是一個(gè)最普通的開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)一邊接GND,另外一邊為輸出,然后輸出端接一個(gè)上拉電阻到VCC,當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合,相當(dāng)于直接接上GND,所以輸出電阻很小,帶載能力很強(qiáng),當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi),因?yàn)閂CC是經(jīng)過(guò)上拉電阻到輸出的,輸出電阻取決于上拉電阻的阻值,所以帶載能力比較差.
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13#
ID:434171 發(fā)表于 2018-11-27 14:18 | 只看該作者
開(kāi)漏必須外部上拉才能輸出高電平,主要是為了實(shí)現(xiàn)線(xiàn)與的功能,推挽輸出不能直接線(xiàn)與
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14#
ID:279632 發(fā)表于 2018-11-27 16:16 | 只看該作者
開(kāi)漏需要加上拉電路
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15#
ID:689735 發(fā)表于 2020-2-3 17:23 | 只看該作者
bg1trk 發(fā)表于 2018-5-10 21:33
參照下面的簡(jiǎn)圖:

直觀、通俗、易懂!
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