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STM8S-和-STM8A-入門
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2018-5-23 04:19 上傳
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2018-5-23 04:20 上傳
電源概述
該器件可以通過(guò)一個(gè)外部的 3.0 V 到 5.5 V 電源供電。一個(gè)片上電源管理系統(tǒng)提供了到內(nèi)核邏輯的 1.8 V 數(shù)字電源，具有正常和低功耗兩種工作模式。它也能夠檢測(cè)主要的外部電源(3.3 V/5 V) 和內(nèi)部電源 (1.8 V) 上面的電壓跌落。
該器件提供： 一對(duì) VDD/VSS （3.3 V ± 0.3 V到 5 V ± 0.5 V）焊盤專門用于主穩(wěn)壓器鎮(zhèn)流器晶體管供電。
兩對(duì) VDD_IO/VSS_IO（3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V）專用焊盤，只用于I/O 的供電。在 32引腳封裝上，只綁定了一對(duì)引腳。
對(duì)于臨近 VDD/VSS 的 VDDIO/VSSIO，建議將兩對(duì)連接到一起，同時(shí)只使用一個(gè)去耦電容。目的是通過(guò)減少電源之間以及 VDD/VDDIO 和電容之間的連接線長(zhǎng)度，以確保好的抗噪性能。 一對(duì)專門用于模擬功能供電的 VDDA/VSSA（3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V）焊盤。更多詳
細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)第 3 節(jié)： 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）第 10 頁(yè)。
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2018-5-23 04:21 上傳
電容必須盡可能靠近器件電源連接 （特別是在 VDD 有專用地平面的情況下）。
可選擇在 OSCIN/OSCOUT 上放置一個(gè)晶體 / 諧振器。諧振器必須盡可能靠近 OSCIN 和
OSCOUT 引腳連接。負(fù)載電容地必須盡可能靠近 VSS 連接。
主工作電壓
STM8S 和 STM8A 器件采用 0.13 µm 工藝制作。 STM8S和 STM8A 內(nèi)核以及 I/O 外設(shè)需要不同的電源供電。實(shí)際上，STM8S 和 STM8A 器件有一個(gè)標(biāo)稱目標(biāo)輸出為 1.8 V的內(nèi)部穩(wěn)壓器。
主調(diào)壓器的穩(wěn)定性是通過(guò)將外部電容 CEXT 連接到VCAP 引腳實(shí)現(xiàn)的。更多關(guān)于 VCAP 電容特性的信息，請(qǐng)參考 STM8S或 STM8A 數(shù)據(jù)手冊(cè)。要注意將電容的串聯(lián)等效電感限制在 15 nH 以下。
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2018-5-23 04:22 上傳
上電 /掉電復(fù)位 （POR/PDR）
對(duì)主調(diào)壓器和低功耗調(diào)壓器的輸入供電由上電 / 掉電復(fù)位電路監(jiān)控。監(jiān)控電壓范圍為 0.7 V到 2.7 V。
在上電過(guò)程中時(shí)， POR/PDR 保持器件處于復(fù)位，直到電源電壓（VDD 和 VDDIO）達(dá)到它們指定的工作區(qū)域。
在開(kāi)機(jī)時(shí)，應(yīng)維持一個(gè) 0.7 V以下的預(yù)定義復(fù)位。復(fù)位釋放的上限在產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)的電氣特性一節(jié)中定義。
遲滯 (POR > PDR) 用以確保準(zhǔn)確檢測(cè)電壓上升和下降。
當(dāng)電源電壓下降到 VPOR/PDR 門限值（孤立和重復(fù)的事件）以下時(shí)， POR/PDR 也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)復(fù)位。
建議
所有的引腳需要正確地連接到電源上。這些連接，包括焊盤、線和過(guò)孔，都應(yīng)該有盡可能低的阻抗。典型情況下，這可通過(guò)使用粗的線寬做到，最好在多層印刷電路板 (PCB) 中使用專用供電層。
此外，每個(gè)供電電源對(duì)都應(yīng)使用濾波陶瓷電容（100nF）和化學(xué)電容 (1..2 µF)去耦，它們與STM8S 或 STM8A 器件并聯(lián)。這些陶瓷電容應(yīng)放置在PCB 另一側(cè)盡可能接近或低于適當(dāng)引腳的位置。其典型值為 10 nF 至 100 nF，但準(zhǔn)確值取決于應(yīng)用需要。圖 3 顯示了這種V dd/Vss 對(duì)的典型布局。
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