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STM32系列32位閃存微控制器基于ARM Cortex™-M3內(nèi)核，受益于Cortex-M3架構的增強型功能及性能改進的代碼密度更高的Thumb-2指令集， STM32系列不僅大幅提升了中斷響應速度，同時兼具業(yè)內(nèi)最低的功耗。 STM32是一個完整的32位系列產(chǎn)品，同時還具有高集成度和易開發(fā)性。
上圖中，CPU周圍的電容是濾波電容，容量是100nF，精度為+ -10%。這些電容其實都是CPU的各個VDD 3.3V電壓的濾波電容，像衛(wèi)星一樣緊緊圍繞在CPU周圍，越靠近CPU引腳效果越好。
7. STM32的FMSC功能介紹
在這里，我們先來了解一下STM32的FMSC（靈活的靜態(tài)存儲器控制器）功能。其實STM32的FMSC相當于51單片機里的總線技術（數(shù)據(jù)總線、地址總線和控制總線）。 使用FMSC，STM32F103ZET6可以與許多存儲器連接，包括SRAM、NOR閃存和NAND閃存等。
FSMC包含2類控制器：
● 一個NOR閃存/SRAM控制器，可以與NOR閃存、SRAM和PSRAM存儲器接口。
● 一個NAND閃存/PC卡控制器，可以與NAND閃存、 PC卡、 CF卡和CF+存儲器接口。
控制器產(chǎn)生所有驅動這些存儲器的信號時序：
● 16個數(shù)據(jù)線，用于連接8位或16位存儲器
● 26個地址線，最多可連接64M字節(jié)的存儲器(譯注：這里不包括片選線)
● 5個獨立的片選信號線
● 一組適合不同類型存儲器的控制信號線：
─ 控制讀/寫操作
─ 與存儲器通信，提供就緒/繁忙信號和中斷信號
─ 與所用配置的 PC卡接口: PC存儲卡、PC I/O卡和真正的 IDE接口
8. 與 16位的SRAM接口
STM32F103ZET6開發(fā)板提供1片256K X 16的SRAM芯片：IS61LV25616，同時開發(fā)板的硬件兼容IS61LV51216。連接到FSMC的存儲塊3。
芯片使能腳連接到PG10，即FSMC_NE3，即連接到 FSMC BANK 1的片選3信號上，所以對應的基地址是：0x68000000。
開發(fā)板上的IS61LV25616同時支持8bit和16bit訪問模式。
FSMC配置如下：
● 選用存儲塊3：BCR3_MBKEN設置為’1’。
● 存儲器類型為SRAM：BCR3_MTYP設置為’00’，選擇SRAM類型。
● 數(shù)據(jù)總線為16位：BCR3_MWID設置為’01’，選擇16位寬。
● 存儲器為非總線復用：清除BCR3_MUXEN為’0’。
保持其它的所有參數(shù)為清除狀態(tài)。
9. 與 8 位的NAND FLASH閃存存儲器接口
STM32F103ZET6開發(fā)板提供1片128M字節(jié)的NAND Flash，型號為：K9F1G08U0B。
芯片使能腳連接到PD7，即FSMC_NE1，NAND的READ/BUSY信號連接到FSMC_INT2
引腳。FSMC的NAND閃存控制器通過存儲塊2和存儲塊3操作NAND存儲器。
實際上，這3個段的劃分反映了真實的NAND閃存存儲器的結構。寫入命令段的任何
地址，結果都是向NAND閃存寫入命令。寫入地址段的任何地址，結果都是向NAND閃存
寫入讀寫操作的地址；根據(jù)所用NAND閃存的構造，通常需要4~5個寫入地址段才能寫入
一個讀寫操作的地址。寫入或讀出數(shù)據(jù)段的任何地址，結果都是寫入或讀出NAND的內(nèi)部
單元，該單元的地址是之前在地址段寫入的那個地址。
操作NAND閃存存儲器，需要使用特別的訪問協(xié)議，所有的讀寫操作，需要有下述步
驟：
1. 向NAND閃存存儲器發(fā)送一個命令
2. 發(fā)送讀或寫的地址
3. 讀出或寫入數(shù)據(jù)
為了使用戶可以方便地操作NAND閃存，F(xiàn)SMC的NAND存儲塊被劃分為3個段：數(shù)據(jù)
段、地址段和命令段。
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