在單片機外接電路中，一般會用上外接時鐘晶振，例如32.768KHZ的，而本文章主要就是討論關于外接晶振要注意的問題。
晶振旁的電阻（并聯與串聯）
一個晶振電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網絡提供另外180度的相移，整個環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。
晶振輸入輸出并上電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網絡，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。
和晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動。晶振過分驅動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發(fā)振余裕度。
Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震蕩的.因此,在反相器的兩端并聯一個電阻,由電阻完成將輸出的信號反向 180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.。
并聯M級電阻作用：
1.配合IC內部電路組成負反饋，移相，使放大器工作在線性區(qū)。
2.降低諧振阻抗，使諧振器易啟動。
3.電阻取值從100k-20M都可以正常起振，但會影響脈寬比。
串聯K級電阻作用：
1.和晶振串聯的電阻常用來預防晶振過驅，限制振蕩幅度。
并聯在晶振上的兩顆電容一般取值為20-30pf左右，主要用于微調頻率和波形，并影響幅度。
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2018-6-6 20:45 上傳
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