NAND flash頁(yè)的訪問(wèn)及片選無(wú)關(guān)技術(shù)

1、nand Flash中頁(yè)的訪問(wèn)順序

在一個(gè)塊內(nèi)，對(duì)每一個(gè)頁(yè)進(jìn)行編程的話，必須是順序的，而不能是隨機(jī)的。比如，一個(gè)塊中有128個(gè)頁(yè)，那么你只能先對(duì)page0編程，再對(duì)page1編程，。。。。，而不能隨機(jī)的，比如先對(duì)page3，再page1，page2.，page0，page4，.。。。

2、片選無(wú)關(guān)(CE don’t-care)技術(shù)

很多Nand flash支持一個(gè)叫做CE don’t-care的技術(shù)，字面意思就是，不關(guān)心是否片選，

那有人會(huì)問(wèn)了，如果不片選，那還能對(duì)其操作嗎？答案就是，這個(gè)技術(shù)，主要用在當(dāng)時(shí)是不需要選中芯片卻還可以繼續(xù)操作的這些情況：在某些應(yīng)用，比如錄音，音頻播放等應(yīng)用中，外部使用的微秒（us）級(jí)的時(shí)鐘周期，此處假設(shè)是比較少的2us，在進(jìn)行讀取一頁(yè)或者對(duì)頁(yè)編程時(shí)，是對(duì)Nand Flash操作，這樣的串行（Serial Access）訪問(wèn)的周期都是20/30/50ns，都是納秒（ns）級(jí)的，此處假設(shè)是50ns，當(dāng)你已經(jīng)發(fā)了對(duì)應(yīng)的讀或?qū)懙拿钪�，接下�?lái)只是需要Nand Flash內(nèi)部去自己操作，將數(shù)據(jù)讀取除了或?qū)懭脒M(jìn)去到內(nèi)部的數(shù)據(jù)寄存器中而已，此處，如果可以把片選取消，CE#是低電平有效，取消片選就是拉高電平，這樣會(huì)在下一個(gè)外部命令發(fā)送過(guò)來(lái)之前，即微秒量級(jí)的時(shí)間里面，即2us－50ns≈2us，這段時(shí)間內(nèi)取消片選，可以降低很少的系統(tǒng)功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整體的功耗了。

總結(jié)起來(lái)簡(jiǎn)單解釋就是：由于某些外部應(yīng)用的頻率比較低，而Nand Flash內(nèi)部操作速度比較快，所以具體讀寫操作的大部分時(shí)間里面，都是在等待外部命令的輸入，同時(shí)卻選中芯片，產(chǎn)生了多余的功耗，此“不關(guān)心片選”技術(shù)，就是在Nand Flash的內(nèi)部的相對(duì)快速的操作（讀或?qū)懀┩瓿芍�，就取消片選，以節(jié)省系統(tǒng)功耗。待下次外部命令/數(shù)據(jù)/地址輸入來(lái)的時(shí)候，再選中芯片，即可正常繼續(xù)操作了。這樣，整體上，就可以大大降低系統(tǒng)功耗了。

注:Nand Flash的片選與否，功耗差別會(huì)有很大。如果數(shù)據(jù)沒(méi)有記錯(cuò)的話，我之前遇到我們系統(tǒng)里面的nand flash的片選，大概有5個(gè)mA的電流輸出呢，要知道，整個(gè)系統(tǒng)優(yōu)化之后的待機(jī)功耗，也才10個(gè)mA左右的。

深圳雷龍發(fā)展有限公司從事NANDFLASH行業(yè)10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多請(qǐng)咨詢扣二八伍二扒二陸扒六八；電一三陸玖一玖八二一零柒