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隨著便攜式設(shè)備和穿戴式設(shè)備的興起，產(chǎn)品對于功耗的要求也是越來越嚴(yán)格，基本這類設(shè)備對于待機時間，工作時間都有相應(yīng)的要求。然而普通的NAND flash的供電電壓是3.3V，這樣就導(dǎo)致整個NAND flash在讀和寫的時候，功耗會比較大。如果系統(tǒng)要頻繁從NAND flash中獲取數(shù)據(jù)，這樣對于整個NAND flash的功耗又會增加，據(jù)此原因，ATO針對這類應(yīng)該開發(fā)出來了1.8V的低電壓，低功耗NAND flash。 下面主要說明一下，ATO 1.8V 1Gb NAND flash的規(guī)格以及和3.3V NAND flash的對比。
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2018-7-17 15:46 上傳
圖1 3.3V NAND flash的直流特性的指標(biāo)
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圖2 1.8V NAND flash的直流特性指標(biāo)。 從上面兩個圖的對比可以看出，讀，寫，操作操作時，電流的指標(biāo)是一樣的。但是1.8V的電壓值幾乎是一半與3.3V，故功耗也幾乎是3.3V 的一半。 所以，對于功耗的節(jié)省是非常明顯的。 深圳雷龍發(fā)展有限公司從事NANDFLASH行業(yè)10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多請咨詢扣二八伍二扒二陸扒六八；電話一三陸玖一玖八二一零柒
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