Si24R2E是一顆工作在2.4GHzISM頻段，專為低功耗有源RFID應用場合設計，集成嵌入式發(fā)射基帶的無線發(fā)射芯片、128次可編程NVM存儲器以及自動發(fā)射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz，共有126個1MHz帶寬的信道。
SI24R2E的引腳圖：
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SI24R2E的管腳功能定義：
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當打開啟自動發(fā)射功能，內(nèi)部Watchdog與內(nèi)部RCOSC工作時，芯片睡眠狀態(tài)下待機電流僅為700nA。當內(nèi)部Timer定時到時，自動發(fā)射控制器自動完成數(shù)據(jù)從NVM的裝載與發(fā)射，數(shù)據(jù)發(fā)射完成后，芯片立即進入睡眠狀態(tài)，因此Si24R2E的平均功耗非常低，對于電池供電應用，可以非常容易實現(xiàn)五年以上的待機時間。
Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自動完成數(shù)據(jù)裝載與發(fā)射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內(nèi)容，掉電后不會丟失，數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下，無需外部高壓，外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程，芯片最大可編程次數(shù)為128次，芯片支持NMV加鎖，防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀，保證用戶數(shù)據(jù)安全。
Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要額外接口，外部微控制器（MCU）通過SPI接口對芯片少數(shù)幾個寄存器配置即可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)射，芯片完全兼容Si24R1發(fā)射功能，在不打開自動發(fā)射功能時，芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。
Si24R2E具有非常低的系統(tǒng)應用成本，可以不需要外部MCU，僅少量外圍無源器件即可以組成一個無線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。內(nèi)部集成高PSRR的LDO電源，保證1.9-3.6V寬電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
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