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將GaN官網(wǎng)的GS66502B Application部分文檔翻譯了一下

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樓主
ID:385118 發(fā)表于 2018-8-10 20:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
對GaN的Application部分進行了翻譯,供大家參考

GaN系統(tǒng)增強型HEMT沒有內(nèi)在的二極管而且反向恢復(fù)損耗很小,這些設(shè)備能夠自然進行反向傳導(dǎo),而且根據(jù)門極電壓展現(xiàn)出不同的特點。對于GaN系統(tǒng)晶體管來說,反平行二極管是不需要的,因為IGBT可以實現(xiàn)反向?qū)щ娦阅堋?br />
通路狀態(tài):GaN系統(tǒng)增強型HEMT在通路狀態(tài)下反向傳導(dǎo)特性和硅MOSFET 相似,I-V曲線關(guān)于原點對稱,它顯示了一個通道電阻RDS(on),類似于正向傳導(dǎo)操作。

斷開狀態(tài):因為GaN沒有內(nèi)部二極管,斷開狀態(tài)下的反向特性和硅MOSFET不同。在相反方向上,當(dāng)柵極電壓相對于漏極超過柵極閾值電壓時,器件開始傳導(dǎo)。這時該裝置具有通道電阻,可作為有著略高VF且沒有反向恢復(fù)損耗的“體二極管”。

如果在斷開狀態(tài)下使用負柵電壓,則源漏電壓必須比VGS(th)+VGS(off)較高,才能打開設(shè)備。因此,負柵電壓將增加反向電壓降,從而增加反向傳導(dǎo)損耗。

阻塞電壓
阻塞電壓等級BVDS是由漏電流定義的。不可恢復(fù)擊穿電壓大約比額定阻塞電壓高30%。一般來說,最大的漏極電壓應(yīng)該與硅mosfet類似的方式去降級。所有的GaN E-HEMT不會發(fā)生雪崩,因此不會有雪崩擊穿等級。絕對最大漏源電壓為100V,不隨負柵電壓變化。

包裝與出售
包裝材料是高溫環(huán)氧基PCB材料,與FR4相似,但溫度較高。這使得我們的設(shè)備指定到150°C。 該裝置能處理至少3個回流循環(huán)。
建議在IPC/JEDEC J-STD-020 REV .1(2008年3月)中使用reflow配置文件。
無鉛的基本溫度組件:
預(yù)熱/浸泡:60-120,最低溫度=150°C  最高溫=200°C
回流:增加率最大3°C /秒。峰值溫度為260°C和時間在5°C的峰值溫度是30秒。
冷卻:緩降率最大6°C /秒。


使用“非清潔”焊錫膏并在高溫下操作,可能會導(dǎo)致“非清潔”磁通殘差的重新激活,可能會產(chǎn)生不需要的傳導(dǎo)路徑。所以,當(dāng)產(chǎn)品運行溫度大于100°C時,建議也清洗“非清潔”粘貼殘留物。

全部資料51hei下載地址:
GS66502B DS Rev 171101.pdf (1.06 MB, 下載次數(shù): 7)
GaN(翻譯).docx (12.46 KB, 下載次數(shù): 7)


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