51單片機個人學(xué)習(xí)筆記及經(jīng)驗—連載1

ID:403543 · 發(fā)表于 2018-10-1 08:39

小白51逆襲之路，筆記分享

1.單片機的基本結(jié)構(gòu)
1.1 單片機就是一塊集成芯片
1.1.1識別芯片上的簡單信息：

STC：生產(chǎn)公司名稱
第一行中的C：采用CMOS制作工藝
第一行中的2：2*4K等于芯片的內(nèi)存的大�。ǔ绦虼笮”仨毿∮谝獞�(yīng)用的單片機的內(nèi)存大小）
第二行：DIP是一種封裝型號（DIP封裝，是dual inline-pin package的縮寫，也叫雙列直插式封裝技術(shù)，雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式。指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100。）
40I：40是單片機芯片所能支持的最大晶振頻率（40MHz），I表示工業(yè)級；
商業(yè)級C 0~85攝氏度
工業(yè)級I -40~125攝氏度
軍品級 -55~168攝氏度
第三行1752：表示生產(chǎn)日期17年第52周
關(guān)于CMOS工藝：
CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。CMOS中的C表示“互補”，即將NMOS器件和PMOS器件同時制作在同一硅襯底上，制作CMOS集成電路。
CMOS電路中既包含NMOS晶體管也包含PMOS晶體管，NMOS晶體管是做在P型硅襯底上的，而PMOS晶體管是做在N型硅襯底上的，要將兩種晶體管都做在同一個硅襯底上，就需要在硅襯底上制作一塊反型區(qū)域，該區(qū)域被稱為“阱”。根據(jù)阱的不同，CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由于工藝簡單、電路性能較P阱CMOS工藝更優(yōu)，從而獲得廣泛的應(yīng)用。
1.1.2芯片內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)8051內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

總線（BUS）是計算機各部件之間傳送信息的公共通道。微機（單片機）中有內(nèi)部總線和外部總線兩類。內(nèi)部總線是CPU內(nèi)部之間的連線。外部總線是指CPU與其它部件之間的連線。外部總線有三種: 數(shù)據(jù)總線DB（Data Bus）, 地址總線 AB（Address Bus）和控制總線CBControl Bus）。

CPU：由運算和控制邏輯組成，同時還包括中斷系統(tǒng)和部分外部特殊功能寄存器；
RAM：用以存放可以讀寫的數(shù)據(jù)，如運算的中間結(jié)果、最終結(jié)果以及欲顯示的數(shù)據(jù)；
ROM：用以存放程序、一些原始數(shù)據(jù)和表格；
I/O口：四個8位并行I/O口，既可用作輸入，也可用作輸出；
T/C：兩個定時/記數(shù)器，既可以工作在定時模式，也可以工作在記數(shù)模式；
五個中斷源的中斷控制系統(tǒng)；
一個全雙工UART（通用異步接收發(fā)送器）的串行I/O口，用于 實現(xiàn)單片機之間或單片機與微機之間的串行通信；
片內(nèi)振蕩器和時鐘產(chǎn)生電路，石英晶體和微調(diào)電容需要外接。最高振蕩頻率取決于單片機型號及性能。

Tip：

C-51中一些與位運算有關(guān)的運算符
>>  <<       （位右移位左移）
& |          (按位與按位或)
^ ~          (按位異或  按位取反)

單片機主要掌握以下幾點：

最小系統(tǒng)能夠運行起來的必要條件。

1.電源 2.晶振（心臟：用以驅(qū)動單片機）3.復(fù)位電路

對單片機任意IO口的隨意操作

1.輸出控制電平高低2.輸出檢測電平高低。

定時器：重點掌握最常用的方式2
中斷：外部中斷、定時器中斷、串口中斷
串口通信：單片機之間、單片機與計算機間
掌握KEIL工程的建立和軟件的開發(fā)；
掌握KEIL中軟件仿真的基本應(yīng)用；
掌握用KEIL直接硬件仿真單片機學(xué)習(xí)板的方法

如何區(qū)分位地址和字節(jié)地址：
位地址是字節(jié)地址中的某一位。（一個字節(jié)有八位）
?51單片機每個存儲單元或特殊功能寄存器（包括I/O口）都分配有一個8位的字節(jié)地址，而從20H~2FH地址的內(nèi)存單元（??RAM??），不僅可以字節(jié)尋址，而且每一個（8位）字節(jié)還被允許分別對其中的每一位進行尋址，20H~2FH一共16字節(jié)，16*8=128位。其余還有一些特殊功能寄存器和I/O也是可以位尋址的。?
一個存儲器就象一個個的小抽屜，一個小抽屜里有八個小格子，每個小格子就是用來存放“電荷”的，電荷通過與它相連的電線傳進來或釋放掉，至于電荷在小格子里是怎樣存的，就不用我們操心了，你能把電線想象成水管，小格子里的電荷就象是水，那就好理解了。存儲器中的每個小抽屜就是一個放數(shù)據(jù)的地方，我們稱之為一個“單元”。

上拉電阻與下拉電阻的區(qū)別于聯(lián)系：

上拉電阻：將一個不確定的信號，通過一個電阻與電源VCC相連，固定在高電平。
作用：上拉是對器件注入電流；灌電流；當(dāng)一個接有上拉電阻的IO端口設(shè)置為輸入狀態(tài)時，它的常態(tài)為高電平。

二、下拉電阻：將一個不確定的信號，通過一個電阻與地GND相連，固定在低電平。
作用：下拉是從器件輸出電流；拉電流。當(dāng)一個接有下拉電阻的IO端口設(shè)置為輸入狀態(tài)時，它的常態(tài)為低電平。

上拉電阻和下拉電阻2者共同的作用是：避免電壓的“懸浮”，造成電路的不穩(wěn)定。

電阻主要有：上拉電路，下拉電阻，限流電阻。
下圖是一個排阻的示意圖，排阻有一個公共端VCC。
普通LED小燈一般負(fù)載的電流為3~10mA,超過10mA就可能燒壞。接5V后一般若是3mA電流，小燈電壓為1.7V，電阻分擔(dān)3.3V，由歐姆定律的電阻大小約為1K歐姆。

芯片手冊閱讀方法1（真值表）：

L：低電平
H：高電平
X：任意值
Q0：保持先前的狀態(tài)
Z：高阻態(tài)（介于高電平與低電平之間的狀態(tài)，它的電平跟著與它相連的器件的電平高低變化而變化，比如與它相連的器件為高電平，它也為高，器件為低它也為低。）
OE：上面的橫線代表低電平有效（即芯片在OE為低電平時工作，out enable:輸出使能）
LE：鎖存器的鎖存端（latch）
D：輸入
Q：輸出

完整的Word格式文檔51黑下載地址：

1-單片機基本結(jié)構(gòu).docx (2.54 MB, 下載次數(shù): 16)

帳號		自動登錄	找回密碼
密碼			立即注冊

51單片機個人學(xué)習(xí)筆記及經(jīng)驗—連載1

評分